动态可重构电池储能技术：原理与应用

慈松, 张从佳, 刘宝昌, 周杨林

Dynamic reconfigurable battery energy storage technology： Principle and application

Song CI, Congjia ZHANG, Baochang LIU, Yanglin ZHOU

表1 功率MOSFET与IGBT的性能比较

Table 1 Performance comparison of power MOSFET and IGBT

指标 低压低功耗MOSFET IGBT 电压 50～200 V 0.6～6.5 kV 电流 100～200 A 750～3600 A 开关频率 可达几百kHz 可达几十kHz 导通电阻 1～8 mΩ <400 mΩ 成本 1～3美元 4～12美元