... 2012年,Hayashi 等[34 ] 通过机械化学合成的方法制备了玻璃陶瓷相Na3 PS4 ,玻璃态Na3 PS4 使用Na2 S、P2 S5 按照摩尔比75∶25的比例混合后放入球磨罐中,以510 r/min的速度在球磨机中反应20 h后,分别在270 °C和420 °C下在马弗炉中退火2 h得到不同晶型的Na3 PS4 .通过X射线衍射(XRD)分析表明270 °C烧结得到了立方相的Na3 PS4 ,其室温离子电导率超过10-4 S/cm,与β -Al2 O3 的电导率相当.并且通过扫描电镜(SEM)看到硫化物电解质压片后电解质粉末接触较为致密,显著降低了界面阻抗,提高了离子电导率.之后有大量的报道通过机械化学合成法成功地对Na3 PS4 进行了掺杂并提升了电导率.例如在Na3 PS4 中掺杂Na4 SiS4 [35 ] ,将Na2 S、P2 S5 、SiS4 经过510 r/min球磨1.5~25 h后在220~360 °C下退火2 h得到高离子电导率的94Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 ;亦或在Na3 PS4 中掺杂元素As[36 ] ,将Na2 S、As2 S5 、P2 S5 混合放入玛瑙球磨罐中以510 r/min球磨15 h后在270 °C下经2 h退火得到Na3 P0.62 As0.38 S4 电解质;还有Ge4+ 、Ti4+ 、Sn4+ 掺杂的Na3+ x Mx P1- x S4 (x =0,0.1)同样使用机械化学球磨法制得[37 ] .2017年,Zhang等[38 ] 通过大量实验研究了不同的合成工艺对立方相Na3 SbS4 (c -Na3 SbS4 )和四方相的Na3 SbS4 (t -Na3 SbS4 )的合成、相变和离子迁移的影响.通过原位XRD和核磁共振分析表明,通过高能球磨的方法成功合成了立方相Na3 SbS4 ,而通过在液氮中淬火再高压烧结制备的样品中仅形成了部分立方相Na3 SbS4 .这说明了机械化学合成法使电解质发生了相变,改变了电解质的晶体结构.需要注意的是,单纯的高压处理不能启动这种相变[39 ] . ...
... 早在1992年,Jansen等[46 ] 使用固相法合成了四方相Na3 PS4 (t -Na3 PS4 )并确定了其晶体结构.其空间群是P 4 ¯ 2 1 c ,晶胞参数为a =695.20(4) pm,c =707.57(5) pm,该化合物由钠阳离子和孤立的PS4- 组成,每个晶胞中含有两个分子式单位.实验测得该化合物在50 °C下的离子电导率为4.17×10-6 S/cm,在510 °C下电导率为8.51×10-2 S/cm,他们指出高温造成离子电导率急剧增长是由于化合物在高于490 °C时生成了含有大量无序化阳离子的第二高温相.2012年,Hayashi等[34 ] 使用化学机械球磨的方法首次合成了玻璃相、立方相(c -Na3 PS4 )和四方相(t -Na3 PS4 )的玻璃-陶瓷Na3 PS4 [XRD见图1 (a)],测得c -Na3 PS4 室温离子电导率高达2×10-4 S/cm,活化能为27 kJ/mol.这一具有里程碑意义的发现掀起了对硫化物钠离子固态电解质研究的热潮,极大地推动了该类材料发展.当使用99.1%的高纯度Na2 S原料时,虽然不同纯度原料制备的立方相Na3 PS4 从XRD图谱上看不出区别[见图1 (b)],但高纯度原料提高了离子电导率[见图1 (c)],达到4.6×10-4 S/cm,是普通纯度的2倍[47 ] ;实验结果分析还表明球磨时间过长会导致晶粒细化,晶界电阻提高,电导率下降,而随着烧结时间的延长,晶体结晶度提高,电导率增加. ...
... 500 r/min球磨20 h→270 ℃烧结2 h
[34 ,47 ] Na3 PS4 Tetragonal ...
Preparation and characterization of highly sodium ion conducting Na3 PS4 -Na4 SiS4 solid electrolytes
3
2014
... 2012年,Hayashi 等[34 ] 通过机械化学合成的方法制备了玻璃陶瓷相Na3 PS4 ,玻璃态Na3 PS4 使用Na2 S、P2 S5 按照摩尔比75∶25的比例混合后放入球磨罐中,以510 r/min的速度在球磨机中反应20 h后,分别在270 °C和420 °C下在马弗炉中退火2 h得到不同晶型的Na3 PS4 .通过X射线衍射(XRD)分析表明270 °C烧结得到了立方相的Na3 PS4 ,其室温离子电导率超过10-4 S/cm,与β -Al2 O3 的电导率相当.并且通过扫描电镜(SEM)看到硫化物电解质压片后电解质粉末接触较为致密,显著降低了界面阻抗,提高了离子电导率.之后有大量的报道通过机械化学合成法成功地对Na3 PS4 进行了掺杂并提升了电导率.例如在Na3 PS4 中掺杂Na4 SiS4 [35 ] ,将Na2 S、P2 S5 、SiS4 经过510 r/min球磨1.5~25 h后在220~360 °C下退火2 h得到高离子电导率的94Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 ;亦或在Na3 PS4 中掺杂元素As[36 ] ,将Na2 S、As2 S5 、P2 S5 混合放入玛瑙球磨罐中以510 r/min球磨15 h后在270 °C下经2 h退火得到Na3 P0.62 As0.38 S4 电解质;还有Ge4+ 、Ti4+ 、Sn4+ 掺杂的Na3+ x Mx P1- x S4 (x =0,0.1)同样使用机械化学球磨法制得[37 ] .2017年,Zhang等[38 ] 通过大量实验研究了不同的合成工艺对立方相Na3 SbS4 (c -Na3 SbS4 )和四方相的Na3 SbS4 (t -Na3 SbS4 )的合成、相变和离子迁移的影响.通过原位XRD和核磁共振分析表明,通过高能球磨的方法成功合成了立方相Na3 SbS4 ,而通过在液氮中淬火再高压烧结制备的样品中仅形成了部分立方相Na3 SbS4 .这说明了机械化学合成法使电解质发生了相变,改变了电解质的晶体结构.需要注意的是,单纯的高压处理不能启动这种相变[39 ] . ...
... 除了阴离子掺杂,同样可以对硫化物中的Na或P原子进行掺杂或替代,以优化离子传输通道或晶体结构来获得更高效的离子传输.2014年,Hayashi等[35 ] 实验结果表明在Na3 PS4 中掺杂摩尔比为6%的Na4 SiS4 时其离子电导率明显提高,即名义成分为94 Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 时离子电导率达到7.4×10-4 S/cm,是母相Na3 PS4 的1.7倍[图3 (a)].立方相Na3 PS4 的电子密度分布显示Na+ 沿着Na1、Na2三维通道进行传输[58 ] ,XRD和Rietveld精修分析表明在94Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 中,Na2的占比大于Na3 PS4 ,这可能是导致电导率提升的主要原因.2015年,Ong等[59 ] 通过第一性原理发现纯的c -Na3 PS4 是一种极差的钠离子导体,而引入过量的Na+ 才是获得合理的Na+ 导电性的关键[图3 (b)].分子动力学模拟预测了用M4+ (M=Si、Ge、Sn)替代c -Na3 PS4 中的P5+ 得到Na3+ x Mx P1- x S4 (M=Si、Ge、Sn时,x =0.0625;M=Si时,x =0.125)的离子电导率,结果表明当在c -Na3 PS4 中掺杂6.25%的Sn时具有最高电导率,达到1.07×10-2 S/cm,即通过异价掺杂获得了间隙Na+ 使得电导率提高.拓扑和范霍夫相关函数分析表明,Na+ 运动中的通道体积和联系可能对提高Na+ 在该结构中的电导率起到重要作用.2017年,Adams等[37 ] 通过球磨和退火的方法合成了Na3+ x Mx P1- x S4 (M=Ge、Ti、Sn,x =0、0.1),其中Sn掺杂的Na3.1 Sn0.1 P0.1 S4 的电导率最高,达到2.5×10-4 S/cm,活化能为0.18 eV,与其计算机模拟结果相一致. ...
... 510 r/min球磨15 h→220 ℃退火2 h
提高Na2占位 [35 ] Na3.1 Ge0.1 P0.9 S4 Cubic ...
Exceptionally high ionic conductivity in Na3 P0.62 As0.38 S4 with improved moisture stability for solid-state sodium-ion batteries
5
2017
... 2012年,Hayashi 等[34 ] 通过机械化学合成的方法制备了玻璃陶瓷相Na3 PS4 ,玻璃态Na3 PS4 使用Na2 S、P2 S5 按照摩尔比75∶25的比例混合后放入球磨罐中,以510 r/min的速度在球磨机中反应20 h后,分别在270 °C和420 °C下在马弗炉中退火2 h得到不同晶型的Na3 PS4 .通过X射线衍射(XRD)分析表明270 °C烧结得到了立方相的Na3 PS4 ,其室温离子电导率超过10-4 S/cm,与β -Al2 O3 的电导率相当.并且通过扫描电镜(SEM)看到硫化物电解质压片后电解质粉末接触较为致密,显著降低了界面阻抗,提高了离子电导率.之后有大量的报道通过机械化学合成法成功地对Na3 PS4 进行了掺杂并提升了电导率.例如在Na3 PS4 中掺杂Na4 SiS4 [35 ] ,将Na2 S、P2 S5 、SiS4 经过510 r/min球磨1.5~25 h后在220~360 °C下退火2 h得到高离子电导率的94Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 ;亦或在Na3 PS4 中掺杂元素As[36 ] ,将Na2 S、As2 S5 、P2 S5 混合放入玛瑙球磨罐中以510 r/min球磨15 h后在270 °C下经2 h退火得到Na3 P0.62 As0.38 S4 电解质;还有Ge4+ 、Ti4+ 、Sn4+ 掺杂的Na3+ x Mx P1- x S4 (x =0,0.1)同样使用机械化学球磨法制得[37 ] .2017年,Zhang等[38 ] 通过大量实验研究了不同的合成工艺对立方相Na3 SbS4 (c -Na3 SbS4 )和四方相的Na3 SbS4 (t -Na3 SbS4 )的合成、相变和离子迁移的影响.通过原位XRD和核磁共振分析表明,通过高能球磨的方法成功合成了立方相Na3 SbS4 ,而通过在液氮中淬火再高压烧结制备的样品中仅形成了部分立方相Na3 SbS4 .这说明了机械化学合成法使电解质发生了相变,改变了电解质的晶体结构.需要注意的是,单纯的高压处理不能启动这种相变[39 ] . ...
... 除了阴离子掺杂,同样可以对硫化物中的Na或P原子进行掺杂或替代,以优化离子传输通道或晶体结构来获得更高效的离子传输.2014年,Hayashi等
[35 ] 实验结果表明在Na
3 PS
4 中掺杂摩尔比为6%的Na
4 SiS
4 时其离子电导率明显提高,即名义成分为94 Na
3 PS
4 ∙6Na
4 SiS
4 时离子电导率达到7.4×10
-4 S/cm,是母相Na
3 PS
4 的1.7倍[
图3 (a)].立方相Na
3 PS
4 的电子密度分布显示Na
+ 沿着Na1、Na2三维通道进行传输
[58 ] ,XRD和Rietveld精修分析表明在94Na
3 PS
4 ∙6Na
4 SiS
4 中,Na2的占比大于Na
3 PS
4 ,这可能是导致电导率提升的主要原因.2015年,Ong等
[59 ] 通过第一性原理发现纯的
c -Na
3 PS
4 是一种极差的钠离子导体,而引入过量的Na
+ 才是获得合理的Na
+ 导电性的关键[
图3 (b)].分子动力学模拟预测了用M
4+ (M=Si、Ge、Sn)替代
c -Na
3 PS
4 中的P
5+ 得到Na
3+ x M
x P
1- x S
4 (M=Si、Ge、Sn时,
x =0.0625;M=Si时,
x =0.125)的离子电导率,结果表明当在
c -Na
3 PS
4 中掺杂6.25%的Sn时具有最高电导率,达到1.07×10
-2 S/cm,即通过异价掺杂获得了间隙Na
+ 使得电导率提高.拓扑和范霍夫相关函数分析表明,Na
+ 运动中的通道体积和联系可能对提高Na
+ 在该结构中的电导率起到重要作用.2017年,Adams等
[37 ] 通过球磨和退火的方法合成了Na
3+ x M
x P
1- x S
4 (M=Ge、Ti、Sn,
x =0、0.1),其中Sn掺杂的Na
3.1 Sn
0.1 P
0.1 S
4 的电导率最高,达到2.5×10
-4 S/cm,活化能为0.18 eV,与其计算机模拟结果相一致.
图3 (a) (100 -x )Na3 PS4 ∙x Na4 SiS4 玻璃- 陶瓷相室温离子电导率[58 ] ;(b) 立方相Na3 PS4 晶体结构与间隙钠离子[59 ] ;(c) Na3 P3- x Asx S4 室温离子电导率随x 的变化(i) 与Na3 P0.62 As0.38 S4 Arrhenius 图(ii) [36 ] ;(d) c -Na3-2 x Cax PS4 室温离子电导率与活化能随x 的变化[61 ] (a) room temperature ion conductivity of (100 -x )Na3 PS4 ∙x Na4 SiS4 glass-ceramic[58 ] ; (b) crystal structure of cubic Na3 PS4 (left panel) and the interstitial sodium ions (right panel) [59 ] ; (c) room temperature ion conductivity of Na3 P0.62 As0.38 S4 (i) and Arrhenius plots and the corresponding impedance plots of Na3 P0.62 As0.38 S4 (ii) [36 ] ; (d) room temperature ion conductivity and activation energy of cubic Na3 - 2 x Cax PS4 as a function of x [61 ] Fig.3 ![]()
2017年,Liu等[36 ] 通过机械化学合成的方法制备出Na3 P0.62 As0.38 S4 电解质[图3 (c)],测得室温离子电导率为1.46×10-3 S/cm;相比Na3 PS4 ,Na3 P0.62 As0.38 S4 在干燥空气中很稳定,在湿度为15%的空气中暴露100 h后XRD显示没有新物质的生成,这是由于与P—O相比,As—O的亲和力较弱,因此不易形成水合物[60 ] .2018年,Lee等[61 ] 合成出Ca2+ 掺杂的c -Na3-2 x Cax PS4 ,当x =0.135时离子电导率最高[如图3 (d)],达到1×10-3 S/cm.电导率的提升是由于Ca2+ 掺杂形成了Na+ 空位并使得Na3 PS4 由四方相向立方相转变.总之,对Na3 PS4 的掺杂引入了Na+ 空位或间隙,能够有效提高电解质的离子电导率. ...
... [
36 ]
; (d) room temperature ion conductivity and activation energy of cubic Na3 - 2 x Cax PS4 as a function of x [61 ] Fig.3 ![]()
2017年,Liu等[36 ] 通过机械化学合成的方法制备出Na3 P0.62 As0.38 S4 电解质[图3 (c)],测得室温离子电导率为1.46×10-3 S/cm;相比Na3 PS4 ,Na3 P0.62 As0.38 S4 在干燥空气中很稳定,在湿度为15%的空气中暴露100 h后XRD显示没有新物质的生成,这是由于与P—O相比,As—O的亲和力较弱,因此不易形成水合物[60 ] .2018年,Lee等[61 ] 合成出Ca2+ 掺杂的c -Na3-2 x Cax PS4 ,当x =0.135时离子电导率最高[如图3 (d)],达到1×10-3 S/cm.电导率的提升是由于Ca2+ 掺杂形成了Na+ 空位并使得Na3 PS4 由四方相向立方相转变.总之,对Na3 PS4 的掺杂引入了Na+ 空位或间隙,能够有效提高电解质的离子电导率. ...
... 2017年,Liu等[36 ] 通过机械化学合成的方法制备出Na3 P0.62 As0.38 S4 电解质[图3 (c)],测得室温离子电导率为1.46×10-3 S/cm;相比Na3 PS4 ,Na3 P0.62 As0.38 S4 在干燥空气中很稳定,在湿度为15%的空气中暴露100 h后XRD显示没有新物质的生成,这是由于与P—O相比,As—O的亲和力较弱,因此不易形成水合物[60 ] .2018年,Lee等[61 ] 合成出Ca2+ 掺杂的c -Na3-2 x Cax PS4 ,当x =0.135时离子电导率最高[如图3 (d)],达到1×10-3 S/cm.电导率的提升是由于Ca2+ 掺杂形成了Na+ 空位并使得Na3 PS4 由四方相向立方相转变.总之,对Na3 PS4 的掺杂引入了Na+ 空位或间隙,能够有效提高电解质的离子电导率. ...
... 510 r/min球磨15 h→270 ℃退火2 h
提高离子电导率、空气稳定性 [36 ] Na2.730 Ca0.135 PS4 Cubic ...
Na3+ x Mx P1- x S4 (M=Ge4+ , Ti4+ , Sn4+ ) enables high rate all-solid-state Na-ion batteries Na2+2 δ Fe2- δ (SO4 )3 |Na3+ x Mx P1- x S4 |Na2 Ti3 O7
5
2017
... 2012年,Hayashi 等[34 ] 通过机械化学合成的方法制备了玻璃陶瓷相Na3 PS4 ,玻璃态Na3 PS4 使用Na2 S、P2 S5 按照摩尔比75∶25的比例混合后放入球磨罐中,以510 r/min的速度在球磨机中反应20 h后,分别在270 °C和420 °C下在马弗炉中退火2 h得到不同晶型的Na3 PS4 .通过X射线衍射(XRD)分析表明270 °C烧结得到了立方相的Na3 PS4 ,其室温离子电导率超过10-4 S/cm,与β -Al2 O3 的电导率相当.并且通过扫描电镜(SEM)看到硫化物电解质压片后电解质粉末接触较为致密,显著降低了界面阻抗,提高了离子电导率.之后有大量的报道通过机械化学合成法成功地对Na3 PS4 进行了掺杂并提升了电导率.例如在Na3 PS4 中掺杂Na4 SiS4 [35 ] ,将Na2 S、P2 S5 、SiS4 经过510 r/min球磨1.5~25 h后在220~360 °C下退火2 h得到高离子电导率的94Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 ;亦或在Na3 PS4 中掺杂元素As[36 ] ,将Na2 S、As2 S5 、P2 S5 混合放入玛瑙球磨罐中以510 r/min球磨15 h后在270 °C下经2 h退火得到Na3 P0.62 As0.38 S4 电解质;还有Ge4+ 、Ti4+ 、Sn4+ 掺杂的Na3+ x Mx P1- x S4 (x =0,0.1)同样使用机械化学球磨法制得[37 ] .2017年,Zhang等[38 ] 通过大量实验研究了不同的合成工艺对立方相Na3 SbS4 (c -Na3 SbS4 )和四方相的Na3 SbS4 (t -Na3 SbS4 )的合成、相变和离子迁移的影响.通过原位XRD和核磁共振分析表明,通过高能球磨的方法成功合成了立方相Na3 SbS4 ,而通过在液氮中淬火再高压烧结制备的样品中仅形成了部分立方相Na3 SbS4 .这说明了机械化学合成法使电解质发生了相变,改变了电解质的晶体结构.需要注意的是,单纯的高压处理不能启动这种相变[39 ] . ...
... 除了阴离子掺杂,同样可以对硫化物中的Na或P原子进行掺杂或替代,以优化离子传输通道或晶体结构来获得更高效的离子传输.2014年,Hayashi等[35 ] 实验结果表明在Na3 PS4 中掺杂摩尔比为6%的Na4 SiS4 时其离子电导率明显提高,即名义成分为94 Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 时离子电导率达到7.4×10-4 S/cm,是母相Na3 PS4 的1.7倍[图3 (a)].立方相Na3 PS4 的电子密度分布显示Na+ 沿着Na1、Na2三维通道进行传输[58 ] ,XRD和Rietveld精修分析表明在94Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 中,Na2的占比大于Na3 PS4 ,这可能是导致电导率提升的主要原因.2015年,Ong等[59 ] 通过第一性原理发现纯的c -Na3 PS4 是一种极差的钠离子导体,而引入过量的Na+ 才是获得合理的Na+ 导电性的关键[图3 (b)].分子动力学模拟预测了用M4+ (M=Si、Ge、Sn)替代c -Na3 PS4 中的P5+ 得到Na3+ x Mx P1- x S4 (M=Si、Ge、Sn时,x =0.0625;M=Si时,x =0.125)的离子电导率,结果表明当在c -Na3 PS4 中掺杂6.25%的Sn时具有最高电导率,达到1.07×10-2 S/cm,即通过异价掺杂获得了间隙Na+ 使得电导率提高.拓扑和范霍夫相关函数分析表明,Na+ 运动中的通道体积和联系可能对提高Na+ 在该结构中的电导率起到重要作用.2017年,Adams等[37 ] 通过球磨和退火的方法合成了Na3+ x Mx P1- x S4 (M=Ge、Ti、Sn,x =0、0.1),其中Sn掺杂的Na3.1 Sn0.1 P0.1 S4 的电导率最高,达到2.5×10-4 S/cm,活化能为0.18 eV,与其计算机模拟结果相一致. ...
... I 43m
6.9950 0.212 0.21 Na2 S+P2 S5 +GeS2 ;球磨10 h→250 ℃退火6 h 提高Na+ 浓度 [37 ] Na3.1 Ti0.1 P0.9 S4 Cubic ...
... I 43m
6.9893 0.23 0.20 Na2 S+P2 S5 +TiS2 ;球磨10 h→250 ℃退火6 h 提高Na+ 浓度 [37 ] Na3.1 Sn0.1 P0.9 S4 Cubic ...
... I 43m
7.0088 0.25 0.18 Na2 S+P2 S5 +SnS2 ;球磨10 h→250 ℃退火6 h 提高Na+ 浓度 [37 ] Na3 P0.62 As0.38 S4 Tetragonal ...
Synthesis of cubic Na3 SbS4 solid electrolyte with enhanced ion transport for all-solid-state sodium-ion batteries
2
2018
... 2012年,Hayashi 等[34 ] 通过机械化学合成的方法制备了玻璃陶瓷相Na3 PS4 ,玻璃态Na3 PS4 使用Na2 S、P2 S5 按照摩尔比75∶25的比例混合后放入球磨罐中,以510 r/min的速度在球磨机中反应20 h后,分别在270 °C和420 °C下在马弗炉中退火2 h得到不同晶型的Na3 PS4 .通过X射线衍射(XRD)分析表明270 °C烧结得到了立方相的Na3 PS4 ,其室温离子电导率超过10-4 S/cm,与β -Al2 O3 的电导率相当.并且通过扫描电镜(SEM)看到硫化物电解质压片后电解质粉末接触较为致密,显著降低了界面阻抗,提高了离子电导率.之后有大量的报道通过机械化学合成法成功地对Na3 PS4 进行了掺杂并提升了电导率.例如在Na3 PS4 中掺杂Na4 SiS4 [35 ] ,将Na2 S、P2 S5 、SiS4 经过510 r/min球磨1.5~25 h后在220~360 °C下退火2 h得到高离子电导率的94Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 ;亦或在Na3 PS4 中掺杂元素As[36 ] ,将Na2 S、As2 S5 、P2 S5 混合放入玛瑙球磨罐中以510 r/min球磨15 h后在270 °C下经2 h退火得到Na3 P0.62 As0.38 S4 电解质;还有Ge4+ 、Ti4+ 、Sn4+ 掺杂的Na3+ x Mx P1- x S4 (x =0,0.1)同样使用机械化学球磨法制得[37 ] .2017年,Zhang等[38 ] 通过大量实验研究了不同的合成工艺对立方相Na3 SbS4 (c -Na3 SbS4 )和四方相的Na3 SbS4 (t -Na3 SbS4 )的合成、相变和离子迁移的影响.通过原位XRD和核磁共振分析表明,通过高能球磨的方法成功合成了立方相Na3 SbS4 ,而通过在液氮中淬火再高压烧结制备的样品中仅形成了部分立方相Na3 SbS4 .这说明了机械化学合成法使电解质发生了相变,改变了电解质的晶体结构.需要注意的是,单纯的高压处理不能启动这种相变[39 ] . ...
... Na3 SbS4 是另一种有趣的钠离子硫化物电解质,它不仅具有该体系最高的离子电导率,还能在水中形成稳定的水合物,而不是水解产生硫化氢.其晶体结构与Na3 PS4 相似,拥有三维离子扩散通道.2016年,Zhang等[41 ] 首次报道了一种室温离子电导率高达3×10-3 S/cm的电解质Na3 SbS4 ,其活化能为0.25 eV.该电解质结构如图4 (a)所示,拥有四方相的晶体结构,Rietveld精修发现Na2位点存在20%的钠空位,而不是完全填满钠原子,整个结构中包含2.5%的钠离子空位.结合理论模拟和实验分析,他们研究了立方和四方相对Na3 SbS4 离子迁移的影响[38 ] ,发现立方相能适当提高离子电导率,但数值都在同一数量级上.此外,该电解质在干燥空气中很稳定,在空气湿度为65%的条件下暴露5 h后形成了Na3 SbS4 ∙9H2 O,继续将其在100 °C下加热5 h后脱水恢复为Na3 SbS4 ,这种特质为水溶液法合成提供了基础.同年Hong和Jung等[63 ] 通过溶液法合成出Na3 SbS4 ,离子电导率为1×10-4 ~3×10-4 S/cm,活化能为0.2 eV,并成功将其包覆在活性材料表面[图4 (b)],电池性能较机械混合的正极有了显著提高.Na3 SbS4 优秀的空气稳定性可以通过“软硬酸碱理论”解释:Sb(一种比P更软的酸)与O(一种硬碱)的亲和力比P与O的亲和力低[64 ] .2018年,Zhang和Chen等[53 , 65 ] 用Se代替S制得Na3 SbSe4 ,Se的大原子半径实现了晶格尺寸的进一步增大[图4 (c)],其高极化性的特点削弱了Na+ 与[SbSe4 3- ]四面体间的结合力,制备得到立方相的Na3 SbSe4 ,其电导率达到8.5×10-4 S/cm,活化能为0.193 eV.之后,Wang等[66 ] 通过固液融合技术成了纳米级Na3 SbS3.75 Se0.25 ,该技术结合了液相反应可以得到小粒径和固相反应达到高离子电导率的特点,其室温离子电导率为4.4×10-3 S/cm,活化能为21.73 kJ/mol. ...
In-situ investigation of pressure effect on structural evolution and conductivity of Na3 SbS4 superionic conductor
1
2018
... 2012年,Hayashi 等[34 ] 通过机械化学合成的方法制备了玻璃陶瓷相Na3 PS4 ,玻璃态Na3 PS4 使用Na2 S、P2 S5 按照摩尔比75∶25的比例混合后放入球磨罐中,以510 r/min的速度在球磨机中反应20 h后,分别在270 °C和420 °C下在马弗炉中退火2 h得到不同晶型的Na3 PS4 .通过X射线衍射(XRD)分析表明270 °C烧结得到了立方相的Na3 PS4 ,其室温离子电导率超过10-4 S/cm,与β -Al2 O3 的电导率相当.并且通过扫描电镜(SEM)看到硫化物电解质压片后电解质粉末接触较为致密,显著降低了界面阻抗,提高了离子电导率.之后有大量的报道通过机械化学合成法成功地对Na3 PS4 进行了掺杂并提升了电导率.例如在Na3 PS4 中掺杂Na4 SiS4 [35 ] ,将Na2 S、P2 S5 、SiS4 经过510 r/min球磨1.5~25 h后在220~360 °C下退火2 h得到高离子电导率的94Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 ;亦或在Na3 PS4 中掺杂元素As[36 ] ,将Na2 S、As2 S5 、P2 S5 混合放入玛瑙球磨罐中以510 r/min球磨15 h后在270 °C下经2 h退火得到Na3 P0.62 As0.38 S4 电解质;还有Ge4+ 、Ti4+ 、Sn4+ 掺杂的Na3+ x Mx P1- x S4 (x =0,0.1)同样使用机械化学球磨法制得[37 ] .2017年,Zhang等[38 ] 通过大量实验研究了不同的合成工艺对立方相Na3 SbS4 (c -Na3 SbS4 )和四方相的Na3 SbS4 (t -Na3 SbS4 )的合成、相变和离子迁移的影响.通过原位XRD和核磁共振分析表明,通过高能球磨的方法成功合成了立方相Na3 SbS4 ,而通过在液氮中淬火再高压烧结制备的样品中仅形成了部分立方相Na3 SbS4 .这说明了机械化学合成法使电解质发生了相变,改变了电解质的晶体结构.需要注意的是,单纯的高压处理不能启动这种相变[39 ] . ...
Na3 PSe4 : A novel chalcogenide solid electrolyte with high ionic conductivity
9
2015
... 2015年,Zhang等[40 ] 通过固相法在800 °C下合成了具有超高离子电导率的Na3 PSe4 ,通过差示扫描量热法(DSC)确定了其在500 °C以内的热稳定性.之后,他们[41 ] 又通过固相法将原料在真空密封的石英管在700 °C烧结12 h合成了Na3 SbS4 ,通过结构精修发现电解质结构中包含2.5%的空位,其室温离子电导率达3×10-3 S/cm.Chu等[42 ] 采用固相法向Na3 PS4 中掺杂Cl元素,他们在制备过程中加入NaCl引入Cl- ,将原料在800 °C下加热4 h后淬火,经研磨后压片,420 °C静置2 h再压片,用等离子体烧结(SPS)的方法成功合成出t -Na2.9375 PS3.9375 Cl0.0625 ,结构精修显示Cl掺杂后化合物的晶格常数发生了明显的变化. ...
... 2015年,Zhang等[40 ] 将Na3 PS4 中的S用Se替代,使用固相法合成出Na3 PSe4 固态电解质,晶体结构如图2 (a)、2 (b)所示,P原子占据2a 位点,Se原子占据8c 位点,Na+ 离子在PSe4 组成的四面体中快速扩散.测得该化合物其室温离子电导率为1.16×10-3 S/cm,活化能为0.21 eV.之所以得到如此高的离子电导率有两个原因,其一是Se的原子半径比S大,使用Se代替S扩大了晶格体积,为Na+ 的传输创造了更广阔的空间,如图2 (c)所示.其二Se2- 的高极化性较低迁移离子与阴离子骨架间的结合能,进一步弱化对钠离子的束缚.随后,他们又通过在Na3 PSe4 中掺入Sb进一步扩大晶格体积来增大钠离子传输通道[53 ] [图2 (d)],通过固相法制得Na3 SbSe4 最大离子电导率为3.7×10-3 S/cm,活化能为0.19 eV.同期,Ceder等[54 ] 通过较低的烧结温度制备出Na3 PSe4 电解质,测得离子电导率为1.1×10-4 S/cm,之后他们[55 ] 又研究了Na3 PSx Se4- x 中Se的含量变化说明随着Se含量的增加,电解质Na3 PSx Se4- x 从四方相转变成立方相,并且离子电导率不断提升[图2 (e)~(f)],这种电导率的提高是由于结构中空位浓度的不断升高导致的.随后,Zeier等[56 ] 通过表征声速来探究晶格动力学对离子电导率的影响,声速测量结果表明随着Se的掺杂量的增加,阴离子骨架极化率不断增加进而导致晶格软化,这种软化既影响阿伦尼乌斯指前因子,也影响离子迁移的激活屏障.2016年,Chu等[42 ] 通过第一性原理发现Cl- 掺杂的四方相Na3 PS4 (t -Na3 PS4 )电解质t -Na3- x PS4- x Clx 的电导率可以进一步提升,理论计算结果表明当x =0.0625时t -Na2.9375 PS3.9375 Cl0.0625 室温离子电导率可达1.38×10-3 S/cm.并通过实验成功合成出t -Na2.9375 PS3.9375 Cl0.0625 测得室温电导率为1.14×10-3 S/cm.活化能为0.249 eV,并且使用该电解质组装的TiS2 /t -Na2.9375 PS3.9375 Cl0.0625 /Na全固态电池在室温下,以0.1 C倍率进行循环,10圈之后容量为80 mA· h/g.2019年,Hayashi等[57 ] 用1,2-二甲氧基乙烷(DME)作为媒介用溶液法合成了t -Na2.9375 PS3.9375 Cl0.0625 ,离子电导率为4.3×10-4 S/cm,并通过简单的液相法制备了均匀的复合电极,使电极与电解质颗粒之间的接触面积增大,从而提升了电池的循环性能. ...
... [
40 ];
(b) xy 平面
( z =0) 电子密度分布傅里叶变换差分图
[40 ] ;
(c) Na3 PSe4 - x Sx 中不同
S 含量的室温离子电导率和晶胞参数
[40 ] ;
(d) 不同组分电解质的
Na+ 扩散通道示意图
[53 ] ;
(e) Na3 PSx Se4 - x (x =0、
1 、
2 、
3 、
4) 的阿伦尼乌斯图
[55 ] ;
(f) Na3 PSx Se4 - x (x =0、
1 、
2 、
3 、
4) 的
X 射线衍射图
[55 ] (a) crystal structure of Na3 PSe4 . The sodium ions located at the diffusion channels formed by PSe4 tetrahedral [40 ] ; (b) fourier map of the difference pattern on the xy (z =0) plane [40 ] ; (c) room temperature ionic conductivity and lattice parameters with various S contents in Na3 PSe4 - x Sx [40 ] ; (d) schematic diagram if Na+ diffusion channels of different electrolytes [53 ] ; (e) Arrhenius plots of Na3 PSx Se4 - x (x =0, 1, 2, 3, 4)[55 ] ; (f) X-ray diffraction pattern of Na3 PSx Se4- x (x =0, 1, 2, 3, 4) [55 ] Fig.2 ![]()
2.1.2.2 Na3 PS4 的阳离子掺杂 除了阴离子掺杂,同样可以对硫化物中的Na或P原子进行掺杂或替代,以优化离子传输通道或晶体结构来获得更高效的离子传输.2014年,Hayashi等[35 ] 实验结果表明在Na3 PS4 中掺杂摩尔比为6%的Na4 SiS4 时其离子电导率明显提高,即名义成分为94 Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 时离子电导率达到7.4×10-4 S/cm,是母相Na3 PS4 的1.7倍[图3 (a)].立方相Na3 PS4 的电子密度分布显示Na+ 沿着Na1、Na2三维通道进行传输[58 ] ,XRD和Rietveld精修分析表明在94Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 中,Na2的占比大于Na3 PS4 ,这可能是导致电导率提升的主要原因.2015年,Ong等[59 ] 通过第一性原理发现纯的c -Na3 PS4 是一种极差的钠离子导体,而引入过量的Na+ 才是获得合理的Na+ 导电性的关键[图3 (b)].分子动力学模拟预测了用M4+ (M=Si、Ge、Sn)替代c -Na3 PS4 中的P5+ 得到Na3+ x Mx P1- x S4 (M=Si、Ge、Sn时,x =0.0625;M=Si时,x =0.125)的离子电导率,结果表明当在c -Na3 PS4 中掺杂6.25%的Sn时具有最高电导率,达到1.07×10-2 S/cm,即通过异价掺杂获得了间隙Na+ 使得电导率提高.拓扑和范霍夫相关函数分析表明,Na+ 运动中的通道体积和联系可能对提高Na+ 在该结构中的电导率起到重要作用.2017年,Adams等[37 ] 通过球磨和退火的方法合成了Na3+ x Mx P1- x S4 (M=Ge、Ti、Sn,x =0、0.1),其中Sn掺杂的Na3.1 Sn0.1 P0.1 S4 的电导率最高,达到2.5×10-4 S/cm,活化能为0.18 eV,与其计算机模拟结果相一致. ...
... [
40 ];
(c) Na3 PSe4 - x Sx 中不同
S 含量的室温离子电导率和晶胞参数
[40 ] ;
(d) 不同组分电解质的
Na+ 扩散通道示意图
[53 ] ;
(e) Na3 PSx Se4 - x (x =0、
1 、
2 、
3 、
4) 的阿伦尼乌斯图
[55 ] ;
(f) Na3 PSx Se4 - x (x =0、
1 、
2 、
3 、
4) 的
X 射线衍射图
[55 ] (a) crystal structure of Na3 PSe4 . The sodium ions located at the diffusion channels formed by PSe4 tetrahedral [40 ] ; (b) fourier map of the difference pattern on the xy (z =0) plane [40 ] ; (c) room temperature ionic conductivity and lattice parameters with various S contents in Na3 PSe4 - x Sx [40 ] ; (d) schematic diagram if Na+ diffusion channels of different electrolytes [53 ] ; (e) Arrhenius plots of Na3 PSx Se4 - x (x =0, 1, 2, 3, 4)[55 ] ; (f) X-ray diffraction pattern of Na3 PSx Se4- x (x =0, 1, 2, 3, 4) [55 ] Fig.2 ![]()
2.1.2.2 Na3 PS4 的阳离子掺杂 除了阴离子掺杂,同样可以对硫化物中的Na或P原子进行掺杂或替代,以优化离子传输通道或晶体结构来获得更高效的离子传输.2014年,Hayashi等[35 ] 实验结果表明在Na3 PS4 中掺杂摩尔比为6%的Na4 SiS4 时其离子电导率明显提高,即名义成分为94 Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 时离子电导率达到7.4×10-4 S/cm,是母相Na3 PS4 的1.7倍[图3 (a)].立方相Na3 PS4 的电子密度分布显示Na+ 沿着Na1、Na2三维通道进行传输[58 ] ,XRD和Rietveld精修分析表明在94Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 中,Na2的占比大于Na3 PS4 ,这可能是导致电导率提升的主要原因.2015年,Ong等[59 ] 通过第一性原理发现纯的c -Na3 PS4 是一种极差的钠离子导体,而引入过量的Na+ 才是获得合理的Na+ 导电性的关键[图3 (b)].分子动力学模拟预测了用M4+ (M=Si、Ge、Sn)替代c -Na3 PS4 中的P5+ 得到Na3+ x Mx P1- x S4 (M=Si、Ge、Sn时,x =0.0625;M=Si时,x =0.125)的离子电导率,结果表明当在c -Na3 PS4 中掺杂6.25%的Sn时具有最高电导率,达到1.07×10-2 S/cm,即通过异价掺杂获得了间隙Na+ 使得电导率提高.拓扑和范霍夫相关函数分析表明,Na+ 运动中的通道体积和联系可能对提高Na+ 在该结构中的电导率起到重要作用.2017年,Adams等[37 ] 通过球磨和退火的方法合成了Na3+ x Mx P1- x S4 (M=Ge、Ti、Sn,x =0、0.1),其中Sn掺杂的Na3.1 Sn0.1 P0.1 S4 的电导率最高,达到2.5×10-4 S/cm,活化能为0.18 eV,与其计算机模拟结果相一致. ...
... [
40 ];
(d) 不同组分电解质的
Na+ 扩散通道示意图
[53 ] ;
(e) Na3 PSx Se4 - x (x =0、
1 、
2 、
3 、
4) 的阿伦尼乌斯图
[55 ] ;
(f) Na3 PSx Se4 - x (x =0、
1 、
2 、
3 、
4) 的
X 射线衍射图
[55 ] (a) crystal structure of Na3 PSe4 . The sodium ions located at the diffusion channels formed by PSe4 tetrahedral [40 ] ; (b) fourier map of the difference pattern on the xy (z =0) plane [40 ] ; (c) room temperature ionic conductivity and lattice parameters with various S contents in Na3 PSe4 - x Sx [40 ] ; (d) schematic diagram if Na+ diffusion channels of different electrolytes [53 ] ; (e) Arrhenius plots of Na3 PSx Se4 - x (x =0, 1, 2, 3, 4)[55 ] ; (f) X-ray diffraction pattern of Na3 PSx Se4- x (x =0, 1, 2, 3, 4) [55 ] Fig.2 ![]()
2.1.2.2 Na3 PS4 的阳离子掺杂 除了阴离子掺杂,同样可以对硫化物中的Na或P原子进行掺杂或替代,以优化离子传输通道或晶体结构来获得更高效的离子传输.2014年,Hayashi等[35 ] 实验结果表明在Na3 PS4 中掺杂摩尔比为6%的Na4 SiS4 时其离子电导率明显提高,即名义成分为94 Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 时离子电导率达到7.4×10-4 S/cm,是母相Na3 PS4 的1.7倍[图3 (a)].立方相Na3 PS4 的电子密度分布显示Na+ 沿着Na1、Na2三维通道进行传输[58 ] ,XRD和Rietveld精修分析表明在94Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 中,Na2的占比大于Na3 PS4 ,这可能是导致电导率提升的主要原因.2015年,Ong等[59 ] 通过第一性原理发现纯的c -Na3 PS4 是一种极差的钠离子导体,而引入过量的Na+ 才是获得合理的Na+ 导电性的关键[图3 (b)].分子动力学模拟预测了用M4+ (M=Si、Ge、Sn)替代c -Na3 PS4 中的P5+ 得到Na3+ x Mx P1- x S4 (M=Si、Ge、Sn时,x =0.0625;M=Si时,x =0.125)的离子电导率,结果表明当在c -Na3 PS4 中掺杂6.25%的Sn时具有最高电导率,达到1.07×10-2 S/cm,即通过异价掺杂获得了间隙Na+ 使得电导率提高.拓扑和范霍夫相关函数分析表明,Na+ 运动中的通道体积和联系可能对提高Na+ 在该结构中的电导率起到重要作用.2017年,Adams等[37 ] 通过球磨和退火的方法合成了Na3+ x Mx P1- x S4 (M=Ge、Ti、Sn,x =0、0.1),其中Sn掺杂的Na3.1 Sn0.1 P0.1 S4 的电导率最高,达到2.5×10-4 S/cm,活化能为0.18 eV,与其计算机模拟结果相一致. ...
... [
40 ]
; (b) fourier map of the difference pattern on the xy (z =0) plane [40 ] ; (c) room temperature ionic conductivity and lattice parameters with various S contents in Na3 PSe4 - x Sx [40 ] ; (d) schematic diagram if Na+ diffusion channels of different electrolytes [53 ] ; (e) Arrhenius plots of Na3 PSx Se4 - x (x =0, 1, 2, 3, 4)[55 ] ; (f) X-ray diffraction pattern of Na3 PSx Se4- x (x =0, 1, 2, 3, 4) [55 ] Fig.2 ![]()
2.1.2.2 Na3 PS4 的阳离子掺杂 除了阴离子掺杂,同样可以对硫化物中的Na或P原子进行掺杂或替代,以优化离子传输通道或晶体结构来获得更高效的离子传输.2014年,Hayashi等[35 ] 实验结果表明在Na3 PS4 中掺杂摩尔比为6%的Na4 SiS4 时其离子电导率明显提高,即名义成分为94 Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 时离子电导率达到7.4×10-4 S/cm,是母相Na3 PS4 的1.7倍[图3 (a)].立方相Na3 PS4 的电子密度分布显示Na+ 沿着Na1、Na2三维通道进行传输[58 ] ,XRD和Rietveld精修分析表明在94Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 中,Na2的占比大于Na3 PS4 ,这可能是导致电导率提升的主要原因.2015年,Ong等[59 ] 通过第一性原理发现纯的c -Na3 PS4 是一种极差的钠离子导体,而引入过量的Na+ 才是获得合理的Na+ 导电性的关键[图3 (b)].分子动力学模拟预测了用M4+ (M=Si、Ge、Sn)替代c -Na3 PS4 中的P5+ 得到Na3+ x Mx P1- x S4 (M=Si、Ge、Sn时,x =0.0625;M=Si时,x =0.125)的离子电导率,结果表明当在c -Na3 PS4 中掺杂6.25%的Sn时具有最高电导率,达到1.07×10-2 S/cm,即通过异价掺杂获得了间隙Na+ 使得电导率提高.拓扑和范霍夫相关函数分析表明,Na+ 运动中的通道体积和联系可能对提高Na+ 在该结构中的电导率起到重要作用.2017年,Adams等[37 ] 通过球磨和退火的方法合成了Na3+ x Mx P1- x S4 (M=Ge、Ti、Sn,x =0、0.1),其中Sn掺杂的Na3.1 Sn0.1 P0.1 S4 的电导率最高,达到2.5×10-4 S/cm,活化能为0.18 eV,与其计算机模拟结果相一致. ...
... [
40 ]
; (c) room temperature ionic conductivity and lattice parameters with various S contents in Na3 PSe4 - x Sx [40 ] ; (d) schematic diagram if Na+ diffusion channels of different electrolytes [53 ] ; (e) Arrhenius plots of Na3 PSx Se4 - x (x =0, 1, 2, 3, 4)[55 ] ; (f) X-ray diffraction pattern of Na3 PSx Se4- x (x =0, 1, 2, 3, 4) [55 ] Fig.2 ![]()
2.1.2.2 Na3 PS4 的阳离子掺杂 除了阴离子掺杂,同样可以对硫化物中的Na或P原子进行掺杂或替代,以优化离子传输通道或晶体结构来获得更高效的离子传输.2014年,Hayashi等[35 ] 实验结果表明在Na3 PS4 中掺杂摩尔比为6%的Na4 SiS4 时其离子电导率明显提高,即名义成分为94 Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 时离子电导率达到7.4×10-4 S/cm,是母相Na3 PS4 的1.7倍[图3 (a)].立方相Na3 PS4 的电子密度分布显示Na+ 沿着Na1、Na2三维通道进行传输[58 ] ,XRD和Rietveld精修分析表明在94Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 中,Na2的占比大于Na3 PS4 ,这可能是导致电导率提升的主要原因.2015年,Ong等[59 ] 通过第一性原理发现纯的c -Na3 PS4 是一种极差的钠离子导体,而引入过量的Na+ 才是获得合理的Na+ 导电性的关键[图3 (b)].分子动力学模拟预测了用M4+ (M=Si、Ge、Sn)替代c -Na3 PS4 中的P5+ 得到Na3+ x Mx P1- x S4 (M=Si、Ge、Sn时,x =0.0625;M=Si时,x =0.125)的离子电导率,结果表明当在c -Na3 PS4 中掺杂6.25%的Sn时具有最高电导率,达到1.07×10-2 S/cm,即通过异价掺杂获得了间隙Na+ 使得电导率提高.拓扑和范霍夫相关函数分析表明,Na+ 运动中的通道体积和联系可能对提高Na+ 在该结构中的电导率起到重要作用.2017年,Adams等[37 ] 通过球磨和退火的方法合成了Na3+ x Mx P1- x S4 (M=Ge、Ti、Sn,x =0、0.1),其中Sn掺杂的Na3.1 Sn0.1 P0.1 S4 的电导率最高,达到2.5×10-4 S/cm,活化能为0.18 eV,与其计算机模拟结果相一致. ...
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40 ]
; (d) schematic diagram if Na+ diffusion channels of different electrolytes [53 ] ; (e) Arrhenius plots of Na3 PSx Se4 - x (x =0, 1, 2, 3, 4)[55 ] ; (f) X-ray diffraction pattern of Na3 PSx Se4- x (x =0, 1, 2, 3, 4) [55 ] Fig.2 ![]()
2.1.2.2 Na3 PS4 的阳离子掺杂 除了阴离子掺杂,同样可以对硫化物中的Na或P原子进行掺杂或替代,以优化离子传输通道或晶体结构来获得更高效的离子传输.2014年,Hayashi等[35 ] 实验结果表明在Na3 PS4 中掺杂摩尔比为6%的Na4 SiS4 时其离子电导率明显提高,即名义成分为94 Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 时离子电导率达到7.4×10-4 S/cm,是母相Na3 PS4 的1.7倍[图3 (a)].立方相Na3 PS4 的电子密度分布显示Na+ 沿着Na1、Na2三维通道进行传输[58 ] ,XRD和Rietveld精修分析表明在94Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 中,Na2的占比大于Na3 PS4 ,这可能是导致电导率提升的主要原因.2015年,Ong等[59 ] 通过第一性原理发现纯的c -Na3 PS4 是一种极差的钠离子导体,而引入过量的Na+ 才是获得合理的Na+ 导电性的关键[图3 (b)].分子动力学模拟预测了用M4+ (M=Si、Ge、Sn)替代c -Na3 PS4 中的P5+ 得到Na3+ x Mx P1- x S4 (M=Si、Ge、Sn时,x =0.0625;M=Si时,x =0.125)的离子电导率,结果表明当在c -Na3 PS4 中掺杂6.25%的Sn时具有最高电导率,达到1.07×10-2 S/cm,即通过异价掺杂获得了间隙Na+ 使得电导率提高.拓扑和范霍夫相关函数分析表明,Na+ 运动中的通道体积和联系可能对提高Na+ 在该结构中的电导率起到重要作用.2017年,Adams等[37 ] 通过球磨和退火的方法合成了Na3+ x Mx P1- x S4 (M=Ge、Ti、Sn,x =0、0.1),其中Sn掺杂的Na3.1 Sn0.1 P0.1 S4 的电导率最高,达到2.5×10-4 S/cm,活化能为0.18 eV,与其计算机模拟结果相一致. ...
... I 43m
7.3094 1.16 0.210 Na+P+Se;800 ℃烧结12 h 扩大晶格体积;降低Na+ 与骨架结合能 [40 ] Na3 PSe4 Cubic ...
Vacancy-contained tetragonal Na3 SbS4 superionic conductor
5
2016
... 2015年,Zhang等[40 ] 通过固相法在800 °C下合成了具有超高离子电导率的Na3 PSe4 ,通过差示扫描量热法(DSC)确定了其在500 °C以内的热稳定性.之后,他们[41 ] 又通过固相法将原料在真空密封的石英管在700 °C烧结12 h合成了Na3 SbS4 ,通过结构精修发现电解质结构中包含2.5%的空位,其室温离子电导率达3×10-3 S/cm.Chu等[42 ] 采用固相法向Na3 PS4 中掺杂Cl元素,他们在制备过程中加入NaCl引入Cl- ,将原料在800 °C下加热4 h后淬火,经研磨后压片,420 °C静置2 h再压片,用等离子体烧结(SPS)的方法成功合成出t -Na2.9375 PS3.9375 Cl0.0625 ,结构精修显示Cl掺杂后化合物的晶格常数发生了明显的变化. ...
... 7.2906
3.00 0.250 Na+Sb+S;700 ℃烧结12 h [41 ] Na3 SbS4 Tetragonal ...
... Na3 SbS4 是另一种有趣的钠离子硫化物电解质,它不仅具有该体系最高的离子电导率,还能在水中形成稳定的水合物,而不是水解产生硫化氢.其晶体结构与Na3 PS4 相似,拥有三维离子扩散通道.2016年,Zhang等[41 ] 首次报道了一种室温离子电导率高达3×10-3 S/cm的电解质Na3 SbS4 ,其活化能为0.25 eV.该电解质结构如图4 (a)所示,拥有四方相的晶体结构,Rietveld精修发现Na2位点存在20%的钠空位,而不是完全填满钠原子,整个结构中包含2.5%的钠离子空位.结合理论模拟和实验分析,他们研究了立方和四方相对Na3 SbS4 离子迁移的影响[38 ] ,发现立方相能适当提高离子电导率,但数值都在同一数量级上.此外,该电解质在干燥空气中很稳定,在空气湿度为65%的条件下暴露5 h后形成了Na3 SbS4 ∙9H2 O,继续将其在100 °C下加热5 h后脱水恢复为Na3 SbS4 ,这种特质为水溶液法合成提供了基础.同年Hong和Jung等[63 ] 通过溶液法合成出Na3 SbS4 ,离子电导率为1×10-4 ~3×10-4 S/cm,活化能为0.2 eV,并成功将其包覆在活性材料表面[图4 (b)],电池性能较机械混合的正极有了显著提高.Na3 SbS4 优秀的空气稳定性可以通过“软硬酸碱理论”解释:Sb(一种比P更软的酸)与O(一种硬碱)的亲和力比P与O的亲和力低[64 ] .2018年,Zhang和Chen等[53 , 65 ] 用Se代替S制得Na3 SbSe4 ,Se的大原子半径实现了晶格尺寸的进一步增大[图4 (c)],其高极化性的特点削弱了Na+ 与[SbSe4 3- ]四面体间的结合力,制备得到立方相的Na3 SbSe4 ,其电导率达到8.5×10-4 S/cm,活化能为0.193 eV.之后,Wang等[66 ] 通过固液融合技术成了纳米级Na3 SbS3.75 Se0.25 ,该技术结合了液相反应可以得到小粒径和固相反应达到高离子电导率的特点,其室温离子电导率为4.4×10-3 S/cm,活化能为21.73 kJ/mol. ...
... [
41 ];
(b) Na3 SbS4 包覆
NaCrO2 的
SEM 图
[63 ] ;
(c) Na3 SbSe4 - x Sx 晶胞参数随
x 的变化
[65 ] ;
(d) Na4- x Sn1 - x Sbx S4 的晶体结构示意图
[67 ] ;
(e) 各种钠离子导体的
Arrhenius 图
[69 ] (a) crystal structure of Na3 SbS4 [41 ] ; (b) SEM image of Na3 SbS4 coated NaCrO2 [63 ] ; (c) lattice parameters of Na3 SbSe4 - x Sx as function of x [65 ] ; (d) crystal structure of Na4 - x Sn1 - x Sbx S4 [67 ] ; (e) arrhenius diagrams of various sodium-ion conductors [69 ] Fig.4 ![]()
2018年,Jung等[67 ] 发现一种新型电解质Na4- x Sn1- x Sbx S4 ,Sn和Sb共占8a 位[图4 (d)],虽然Na4 SnS4 的离子电导率非常低,接近绝缘体,且遇水分解,但掺入x =0.25的Sb后,离子电导率达到5.1×10-4 S/cm,且在干燥空气中能稳定至少24 h.2019年,Zhang等[68 ] 实验研究了在Na3 SbS4 中掺入二价阳离子Yb、Mg和三价的Al进入Na位,试图改变其晶体结构,构建更适合钠离子传输的通道,但是实验结果表明很难掺杂成功,不能有效提高离子电导率.Hayashi等[69 ] 报道了W掺杂的Na2.88 Sb0.88 W0.12 S4 ,将该电解质在1080 MPa 的压力下275 °C加热1.5 h后的电导率为1.7×10-2 S/cm,活化能为19 kJ/mol,当加热12 h后,离子电导率高达3.2×10-2 S/cm,活化能降为17 kJ/mol,成为目前已知的室温离子电导率最高的硫化物电解质[图4 (e)].同期,Zeier等[70 ] 也报道Na2.9 Sb0.9 W0.1 S4 室温离子电导率为(41±8)×10-3 S/cm.空位浓度的增加导致离子电导率提高了几个数量级.Hayashi等[71 ] 还报道了使用液相法合成了具有优异化学稳定性的电解质Na2.88 Sb0.88 W0.12 S4 ,室温离子电导率为4.28×10-3 S/cm. ...
... [
41 ]
; (b) SEM image of Na3 SbS4 coated NaCrO2 [63 ] ; (c) lattice parameters of Na3 SbSe4 - x Sx as function of x [65 ] ; (d) crystal structure of Na4 - x Sn1 - x Sbx S4 [67 ] ; (e) arrhenius diagrams of various sodium-ion conductors [69 ] Fig.4 ![]()
2018年,Jung等[67 ] 发现一种新型电解质Na4- x Sn1- x Sbx S4 ,Sn和Sb共占8a 位[图4 (d)],虽然Na4 SnS4 的离子电导率非常低,接近绝缘体,且遇水分解,但掺入x =0.25的Sb后,离子电导率达到5.1×10-4 S/cm,且在干燥空气中能稳定至少24 h.2019年,Zhang等[68 ] 实验研究了在Na3 SbS4 中掺入二价阳离子Yb、Mg和三价的Al进入Na位,试图改变其晶体结构,构建更适合钠离子传输的通道,但是实验结果表明很难掺杂成功,不能有效提高离子电导率.Hayashi等[69 ] 报道了W掺杂的Na2.88 Sb0.88 W0.12 S4 ,将该电解质在1080 MPa 的压力下275 °C加热1.5 h后的电导率为1.7×10-2 S/cm,活化能为19 kJ/mol,当加热12 h后,离子电导率高达3.2×10-2 S/cm,活化能降为17 kJ/mol,成为目前已知的室温离子电导率最高的硫化物电解质[图4 (e)].同期,Zeier等[70 ] 也报道Na2.9 Sb0.9 W0.1 S4 室温离子电导率为(41±8)×10-3 S/cm.空位浓度的增加导致离子电导率提高了几个数量级.Hayashi等[71 ] 还报道了使用液相法合成了具有优异化学稳定性的电解质Na2.88 Sb0.88 W0.12 S4 ,室温离子电导率为4.28×10-3 S/cm. ...
Room-temperature all-solid-state rechargeable sodium-ion batteries with a Cl-doped Na3 PS4 superionic conductor
3
2016
... 2015年,Zhang等[40 ] 通过固相法在800 °C下合成了具有超高离子电导率的Na3 PSe4 ,通过差示扫描量热法(DSC)确定了其在500 °C以内的热稳定性.之后,他们[41 ] 又通过固相法将原料在真空密封的石英管在700 °C烧结12 h合成了Na3 SbS4 ,通过结构精修发现电解质结构中包含2.5%的空位,其室温离子电导率达3×10-3 S/cm.Chu等[42 ] 采用固相法向Na3 PS4 中掺杂Cl元素,他们在制备过程中加入NaCl引入Cl- ,将原料在800 °C下加热4 h后淬火,经研磨后压片,420 °C静置2 h再压片,用等离子体烧结(SPS)的方法成功合成出t -Na2.9375 PS3.9375 Cl0.0625 ,结构精修显示Cl掺杂后化合物的晶格常数发生了明显的变化. ...
... 2015年,Zhang等[40 ] 将Na3 PS4 中的S用Se替代,使用固相法合成出Na3 PSe4 固态电解质,晶体结构如图2 (a)、2 (b)所示,P原子占据2a 位点,Se原子占据8c 位点,Na+ 离子在PSe4 组成的四面体中快速扩散.测得该化合物其室温离子电导率为1.16×10-3 S/cm,活化能为0.21 eV.之所以得到如此高的离子电导率有两个原因,其一是Se的原子半径比S大,使用Se代替S扩大了晶格体积,为Na+ 的传输创造了更广阔的空间,如图2 (c)所示.其二Se2- 的高极化性较低迁移离子与阴离子骨架间的结合能,进一步弱化对钠离子的束缚.随后,他们又通过在Na3 PSe4 中掺入Sb进一步扩大晶格体积来增大钠离子传输通道[53 ] [图2 (d)],通过固相法制得Na3 SbSe4 最大离子电导率为3.7×10-3 S/cm,活化能为0.19 eV.同期,Ceder等[54 ] 通过较低的烧结温度制备出Na3 PSe4 电解质,测得离子电导率为1.1×10-4 S/cm,之后他们[55 ] 又研究了Na3 PSx Se4- x 中Se的含量变化说明随着Se含量的增加,电解质Na3 PSx Se4- x 从四方相转变成立方相,并且离子电导率不断提升[图2 (e)~(f)],这种电导率的提高是由于结构中空位浓度的不断升高导致的.随后,Zeier等[56 ] 通过表征声速来探究晶格动力学对离子电导率的影响,声速测量结果表明随着Se的掺杂量的增加,阴离子骨架极化率不断增加进而导致晶格软化,这种软化既影响阿伦尼乌斯指前因子,也影响离子迁移的激活屏障.2016年,Chu等[42 ] 通过第一性原理发现Cl- 掺杂的四方相Na3 PS4 (t -Na3 PS4 )电解质t -Na3- x PS4- x Clx 的电导率可以进一步提升,理论计算结果表明当x =0.0625时t -Na2.9375 PS3.9375 Cl0.0625 室温离子电导率可达1.38×10-3 S/cm.并通过实验成功合成出t -Na2.9375 PS3.9375 Cl0.0625 测得室温电导率为1.14×10-3 S/cm.活化能为0.249 eV,并且使用该电解质组装的TiS2 /t -Na2.9375 PS3.9375 Cl0.0625 /Na全固态电池在室温下,以0.1 C倍率进行循环,10圈之后容量为80 mA· h/g.2019年,Hayashi等[57 ] 用1,2-二甲氧基乙烷(DME)作为媒介用溶液法合成了t -Na2.9375 PS3.9375 Cl0.0625 ,离子电导率为4.3×10-4 S/cm,并通过简单的液相法制备了均匀的复合电极,使电极与电解质颗粒之间的接触面积增大,从而提升了电池的循环性能. ...
... 800 ℃烧结4 h→420 ℃退火2 h
产生Na+ 空位 [42 ] 94Na3 PS4 ·6Na4 SiS4 Cubic ...
Sodium-ion conducting Na3 PS4 electrolyte synthesized via a liquid-phase process using N-methylformamide
1
2015
... 2015年Hayashi等[43 ] 通过液相法成功合成出Na3 PS4 ,使用N -甲基甲酰胺(NMF)和正己烷利用溶液法合成了立方相Na3 PS4 ,测得其电导率为2.6×10-6 S/cm,该方法制得的电导率低其一是因为其中含有杂项Na3 POS3 ,杂质相的电导率很低(约10-8 数量级),第二个原因可能是因为晶界电阻的提高导致电导率的下降.用溶液法制备的电解质为电极的包覆创造了条件.2018年,Hu等[44 ] 使用乙腈作为溶剂,通过液相法成功合成了粒径大小约为500 nm的Na2.9 PS3.95 Se0.05 ,实验测得其与固相法合成的电解质离子电导率相当,并使用该电解质成功包覆于Fe1- x S电极中使电池性能得到较大提升.之后,Jung等[45 ] 使用Na2 S、Sb2 S3 和S作为原料溶液法合成了Na3 SbS4 ,该制备过程使用水作溶剂,避免了有机溶剂与硫化物的反应.电解质的合成工艺主要是这三种,当制备电解质材料时,我们需要根据实际情况选择采用适合的合成方法以达到理想的效果. ...
Core-shell Fe1- x S@Na2.9 PS3.95 Se0.05 nanorods for room temperature all-solid-state sodium batteries with high energy density
5
2018
... 2015年Hayashi等[43 ] 通过液相法成功合成出Na3 PS4 ,使用N -甲基甲酰胺(NMF)和正己烷利用溶液法合成了立方相Na3 PS4 ,测得其电导率为2.6×10-6 S/cm,该方法制得的电导率低其一是因为其中含有杂项Na3 POS3 ,杂质相的电导率很低(约10-8 数量级),第二个原因可能是因为晶界电阻的提高导致电导率的下降.用溶液法制备的电解质为电极的包覆创造了条件.2018年,Hu等[44 ] 使用乙腈作为溶剂,通过液相法成功合成了粒径大小约为500 nm的Na2.9 PS3.95 Se0.05 ,实验测得其与固相法合成的电解质离子电导率相当,并使用该电解质成功包覆于Fe1- x S电极中使电池性能得到较大提升.之后,Jung等[45 ] 使用Na2 S、Sb2 S3 和S作为原料溶液法合成了Na3 SbS4 ,该制备过程使用水作溶剂,避免了有机溶剂与硫化物的反应.电解质的合成工艺主要是这三种,当制备电解质材料时,我们需要根据实际情况选择采用适合的合成方法以达到理想的效果. ...
... 乙腈分散→80 ℃干燥→270 ℃退火
扩大Na+ 扩散通道;产生空位 [44 ] Na3 PSe4 Cubic ...
... Hu等[44 ] 通过原位液相包覆法合成了核壳结构的Fe1- x S@Na2.9 PS3.95 Se0.05 纳米棒状正极材料[图6 (a)],使得活性物质与电解质材料接触紧密,从而实现了高循环稳定性,电池在100 mA/g的电流密度下循环100圈后依然保持494.3 mA· h/g的容量.之后他们又报道了用FeS2 作为活性物质的全固态钠电池FeS2 ||纳米Na3 PS4 ||Na,该电池表现出优异的循环性能,这可归因于FeS2 /纳米Na3 PS4 固体电解质界面紧密的固-固接触及良好的界面相容性[92 ] .2018年,Jung等[93 ] 报道使用甲醇溶液法制备了0.1NaI∙0.9Na3 SbS4 固态电解质并将其包覆在活性材料FeS2 表面,均匀包覆层为电极提供更多的离子传输通道,使得电池FeS2 ||0.1NaI∙0.9Na3 SbS4 ||Na3 Sn表现出优良的循环性能.近日,Zhang等[91 ] 采用水溶液包覆的方法将Na3 SbS4 电解质包覆于硫基活性物质(Sex S)表面形成复合材料作为正极.形貌和能谱分析表明,溶液法形成了均匀且紧密的Na3 SbS4 包覆层[图6 (b)],而研磨混合法难以形成完整包覆,且Na3 SbS4 的颗粒粗、粒度分布大.包覆型电极获得了高的离子扩散率和低的界面阻抗,其Na离子扩散系数比混合电极高7倍,由这两种电极测试的CV曲线也能直观反应出这种差别[图6 (b)].包覆电极表现出优异的电池性能,在583.2 mA/g的电流密度下具有316 mA· h/g的比容量;在活性物质量为0.62 mg/cm时,在437.4 mA/g的电流密度下,电池循环100圈后容量保持在504 mA· h/g,达到了98.9%的高容量保持率[图6 (c)].循环后,电池的正极依然保持完整的形貌.Yao等[83 ] 报道了使用Co0.1 Fe0.9 S2 活性材料,大小几百纳米,结合双电解质层组装成Co0.1 Fe0.9 S2 ||Na11 Sn2 SbS11.5 Se0.5 -Na3 PS4 ||Na全固态电池,在20 mA/g的电流密度下循环30圈容量保持在383.5 mA· h/g,双电解质层解决了Na11 Sn2 SbS11.5 Se0.5 与金属钠不兼容的问题. ...
... [
44 ];
(b) Na3 SbS4 形成的均匀的包覆层示意图
[91 ] ;
(c) 包覆与不包覆情况下在不同电流密度下的充放电循环图
[91 ] (b) schematic diagram of the uniform coating of Na3 SbS4 [91 ] ; (c) CV curves and cycling performance of the cells with and without coating layer[91 ] ...
... (b) schematic diagram of the uniform coating of Na
3 SbS
4 [91 ] ; (c) CV curves and cycling performance of the cells with and without coating layer
[91 ] (a) schematic diagram of positive electrode assembling and the corresponding battery performance[44 ] ; Fig.6 ![]()
3.2 负极-电解质界面 钠金属具有较高的能量密度,但是其化学性质非常活泼,当金属钠作为负极与电解质接触时很快便会发生反应,如果该反应不能形成自钝化的界面层,那么降解反应将会一直进行下去,使界面阻抗持续增大,离子扩散速率不断降低,最终导致电池失效.此外,在钠电池中也存在与锂电池类似的枝晶问题,由此引发电池短路、体积膨胀等,影响循环和安全性能[94 ] .一个理想的电极-电解质界面应该是具有良好的兼容性和合适的机械强度,两者之间形成良好的接触能够使离子快速通过.当金属钠与Na3 PS4 电解质接触时,会发生如下反应:Na3 PS4 +8Na→4Na2 S+Na3 P导致界面性能衰退、电池容量衰减[95 ] .由于生成的Na3 P是混合导体,进一步推动电解质不断降解.缓冲层或修饰层的引入能有效缓解这一问题.Zeier等[96 ] 使用Na-β ″-Al2 O3 做缓冲层,阻止了降解反应的进行,使得钠电池性得到显著提高.Meng等[95 ] 发现电解质Na2.9375 PS3.9375 Cl0.062 与钠负极接触时除生成上述产物外还会生成NaCl,而NaCl是电子绝缘体,生成的NaCl作为一种钝化层抑制了电解质的降解.实验发现当在Na3 PS4 电解质表面包覆4 %的PEO-NaClO4 以防止电解质与负极的直接接触,能实现高的电解质电导率和最优的电池循环稳定性能[97 ] .Acher等[98 ] 使用溴丙烷与金属钠负极反应使表面形成一层厚度2~12 μm的NaBr[图7 (a)],这层NaBr的存在使得离子在界面处传输活化能降低了3倍,不仅抑制了钠枝晶的形成还有效阻止了电极与电解质界面之间的反应,显著提高了电池的稳定性.当Na3 SbS4 与钠负极接触时,也会发生如下降解反应:Na3 SbS4 +8Na→4Na2 S+Na3 Sb,分解产物形成了渗流电子传输路径导致Na3 SbS4 会不断地分解最终造成电池的失效.Ceder等[99 ] 通过理论计算与实验发现Na3 SbS4 在空气中暴露10 min后得到Na3 SbS4 ∙8H2 O与钠接触会形成一层钝化层[图7 (b)],钝化层阻挡了电解质与负极的直接接触,显著提高了对称电池的性能.Yao等[100 ] 通过在Na3 SbS4 电解质和Na负极之间加入纤维素聚环氧乙烷(CPEO)稳定界面,CPEO作为电子阻碍层阻止电子的传输[图7 (c)],抑制Na3 SbS4 的分解. ...
Aqueous-solution synthesis of Na3 SbS4 solid electrolytes for all-solid-state Na-ion batteries
2
2018
... 2015年Hayashi等[43 ] 通过液相法成功合成出Na3 PS4 ,使用N -甲基甲酰胺(NMF)和正己烷利用溶液法合成了立方相Na3 PS4 ,测得其电导率为2.6×10-6 S/cm,该方法制得的电导率低其一是因为其中含有杂项Na3 POS3 ,杂质相的电导率很低(约10-8 数量级),第二个原因可能是因为晶界电阻的提高导致电导率的下降.用溶液法制备的电解质为电极的包覆创造了条件.2018年,Hu等[44 ] 使用乙腈作为溶剂,通过液相法成功合成了粒径大小约为500 nm的Na2.9 PS3.95 Se0.05 ,实验测得其与固相法合成的电解质离子电导率相当,并使用该电解质成功包覆于Fe1- x S电极中使电池性能得到较大提升.之后,Jung等[45 ] 使用Na2 S、Sb2 S3 和S作为原料溶液法合成了Na3 SbS4 ,该制备过程使用水作溶剂,避免了有机溶剂与硫化物的反应.电解质的合成工艺主要是这三种,当制备电解质材料时,我们需要根据实际情况选择采用适合的合成方法以达到理想的效果. ...
... P421 c
0.10-0.20 0.270-0.350 Na2 S+Sb2 S3 +S;溶于水→干燥后200 ℃退火 [45 ] Na3 SbS4 Cubic ...
Synthesis, structure determination, and ionic conductivity of sodium tetrathiophosphate
1
1992
... 早在1992年,Jansen等[46 ] 使用固相法合成了四方相Na3 PS4 (t -Na3 PS4 )并确定了其晶体结构.其空间群是P 4 ¯ 2 1 c ,晶胞参数为a =695.20(4) pm,c =707.57(5) pm,该化合物由钠阳离子和孤立的PS4- 组成,每个晶胞中含有两个分子式单位.实验测得该化合物在50 °C下的离子电导率为4.17×10-6 S/cm,在510 °C下电导率为8.51×10-2 S/cm,他们指出高温造成离子电导率急剧增长是由于化合物在高于490 °C时生成了含有大量无序化阳离子的第二高温相.2012年,Hayashi等[34 ] 使用化学机械球磨的方法首次合成了玻璃相、立方相(c -Na3 PS4 )和四方相(t -Na3 PS4 )的玻璃-陶瓷Na3 PS4 [XRD见图1 (a)],测得c -Na3 PS4 室温离子电导率高达2×10-4 S/cm,活化能为27 kJ/mol.这一具有里程碑意义的发现掀起了对硫化物钠离子固态电解质研究的热潮,极大地推动了该类材料发展.当使用99.1%的高纯度Na2 S原料时,虽然不同纯度原料制备的立方相Na3 PS4 从XRD图谱上看不出区别[见图1 (b)],但高纯度原料提高了离子电导率[见图1 (c)],达到4.6×10-4 S/cm,是普通纯度的2倍[47 ] ;实验结果分析还表明球磨时间过长会导致晶粒细化,晶界电阻提高,电导率下降,而随着烧结时间的延长,晶体结晶度提高,电导率增加. ...
High sodium ion conductivity of glass-ceramic electrolytes with cubic Na3 PS4
6
2014
... 早在1992年,Jansen等[46 ] 使用固相法合成了四方相Na3 PS4 (t -Na3 PS4 )并确定了其晶体结构.其空间群是P 4 ¯ 2 1 c ,晶胞参数为a =695.20(4) pm,c =707.57(5) pm,该化合物由钠阳离子和孤立的PS4- 组成,每个晶胞中含有两个分子式单位.实验测得该化合物在50 °C下的离子电导率为4.17×10-6 S/cm,在510 °C下电导率为8.51×10-2 S/cm,他们指出高温造成离子电导率急剧增长是由于化合物在高于490 °C时生成了含有大量无序化阳离子的第二高温相.2012年,Hayashi等[34 ] 使用化学机械球磨的方法首次合成了玻璃相、立方相(c -Na3 PS4 )和四方相(t -Na3 PS4 )的玻璃-陶瓷Na3 PS4 [XRD见图1 (a)],测得c -Na3 PS4 室温离子电导率高达2×10-4 S/cm,活化能为27 kJ/mol.这一具有里程碑意义的发现掀起了对硫化物钠离子固态电解质研究的热潮,极大地推动了该类材料发展.当使用99.1%的高纯度Na2 S原料时,虽然不同纯度原料制备的立方相Na3 PS4 从XRD图谱上看不出区别[见图1 (b)],但高纯度原料提高了离子电导率[见图1 (c)],达到4.6×10-4 S/cm,是普通纯度的2倍[47 ] ;实验结果分析还表明球磨时间过长会导致晶粒细化,晶界电阻提高,电导率下降,而随着烧结时间的延长,晶体结晶度提高,电导率增加. ...
... [
47 ];
(c) 使用不同纯度
Na2 S 制备的
Na3 PS4 的离子电导率随温度变化关系
[47 ] ;
(d) 分子动力学模拟当存在
2% 钠空位时钠离子分布情况
[48 ] (a) XRD patterns of Na3 PS4 powders and the powders sintered respectively at 270 °C and 420 °C. The filled circles and rhombuses represent cubic and tetragonal phases, respectively[34 ] ; (b) XRD patterns of Na3 PS4 prepared using Na2 S with different purities[47 ] ; (c) ionic conductivity of Na3 PS4 prepared using Na2 S with different purities[47 ] ; (d) molecular dynamics simulation of Na-distribution for Na3 PS4 with 0 and 2% Na vacancies[48 ] Fig.1 ![]()
2016年,Wagemaker等[48 ] 通过密度泛函理论分子动力学模拟指出当Na3 PS4 中存在2%的钠空位时[图1 (d)],电导率可以比原本的化学计量组成的化合物电导率提高一个数量级到达0.2 S/cm,活化能从0.28 eV降低到0.16 eV,并且预测了Br掺杂的Na3 PS4 具有最高的电导率.同年他们[49 ] 利用球磨退火的工艺合成出t -Na3PS4和c -Na3 PS4 并通过核磁共振技术(NMR)、密度泛函理论(DFT)和分子动力学模拟(MD)综合对比分析,验证了提高电解质材料中的空位浓度是提高离子电导率的关键.2018年,Kanno等[50 ] 报道了他们在700 °C下淬火、再在450 °C下退火制备出四方相Na3 PS4 (t -Na3 PS4 )电解质,其室温离子电导率高达3.39×10-3 S/cm,指出离子电导率增加是由于淬火提高了空位的浓度,经过退火进一步扩大了晶格体积.2018年,Zeier等[51 ] 分别使用球磨和高温处理的方法合成了Na3 PS4 探究其整体和局部的晶体结构特征,通过Rietveld精修、对分布函数(PDF)及实验综合分析指出造成Na3 PS4 离子电导率差异的原因不在于晶体结构差异,而是高能球磨所导致的缺陷浓度的差异.研究人员通过不同的合成工艺制备出了立方相(c -Na3 PS4 )和四方相(t -Na3 PS4 )的玻璃-陶瓷Na3 PS4 固体电解质并使得电导率不断提升.理论和实验结果都表明电解质中晶格缺陷的存在,尤其是空位的存在是提高电导率的关键因素[52 ] ,同时通过扩大晶体中Na+ 传输通道从而降低离子跃迁势垒也是提高电解质电导率的重要方法. ...
... [
47 ];
(d) 分子动力学模拟当存在
2% 钠空位时钠离子分布情况
[48 ] (a) XRD patterns of Na3 PS4 powders and the powders sintered respectively at 270 °C and 420 °C. The filled circles and rhombuses represent cubic and tetragonal phases, respectively[34 ] ; (b) XRD patterns of Na3 PS4 prepared using Na2 S with different purities[47 ] ; (c) ionic conductivity of Na3 PS4 prepared using Na2 S with different purities[47 ] ; (d) molecular dynamics simulation of Na-distribution for Na3 PS4 with 0 and 2% Na vacancies[48 ] Fig.1 ![]()
2016年,Wagemaker等[48 ] 通过密度泛函理论分子动力学模拟指出当Na3 PS4 中存在2%的钠空位时[图1 (d)],电导率可以比原本的化学计量组成的化合物电导率提高一个数量级到达0.2 S/cm,活化能从0.28 eV降低到0.16 eV,并且预测了Br掺杂的Na3 PS4 具有最高的电导率.同年他们[49 ] 利用球磨退火的工艺合成出t -Na3PS4和c -Na3 PS4 并通过核磁共振技术(NMR)、密度泛函理论(DFT)和分子动力学模拟(MD)综合对比分析,验证了提高电解质材料中的空位浓度是提高离子电导率的关键.2018年,Kanno等[50 ] 报道了他们在700 °C下淬火、再在450 °C下退火制备出四方相Na3 PS4 (t -Na3 PS4 )电解质,其室温离子电导率高达3.39×10-3 S/cm,指出离子电导率增加是由于淬火提高了空位的浓度,经过退火进一步扩大了晶格体积.2018年,Zeier等[51 ] 分别使用球磨和高温处理的方法合成了Na3 PS4 探究其整体和局部的晶体结构特征,通过Rietveld精修、对分布函数(PDF)及实验综合分析指出造成Na3 PS4 离子电导率差异的原因不在于晶体结构差异,而是高能球磨所导致的缺陷浓度的差异.研究人员通过不同的合成工艺制备出了立方相(c -Na3 PS4 )和四方相(t -Na3 PS4 )的玻璃-陶瓷Na3 PS4 固体电解质并使得电导率不断提升.理论和实验结果都表明电解质中晶格缺陷的存在,尤其是空位的存在是提高电导率的关键因素[52 ] ,同时通过扩大晶体中Na+ 传输通道从而降低离子跃迁势垒也是提高电解质电导率的重要方法. ...
... [
47 ]; (c) ionic conductivity of Na
3 PS
4 prepared using Na
2 S with different purities
[47 ] ; (d) molecular dynamics simulation of Na-distribution for Na
3 PS
4 with 0 and 2% Na vacancies
[48 ] Fig.1 ![]()
2016年,Wagemaker等[48 ] 通过密度泛函理论分子动力学模拟指出当Na3 PS4 中存在2%的钠空位时[图1 (d)],电导率可以比原本的化学计量组成的化合物电导率提高一个数量级到达0.2 S/cm,活化能从0.28 eV降低到0.16 eV,并且预测了Br掺杂的Na3 PS4 具有最高的电导率.同年他们[49 ] 利用球磨退火的工艺合成出t -Na3PS4和c -Na3 PS4 并通过核磁共振技术(NMR)、密度泛函理论(DFT)和分子动力学模拟(MD)综合对比分析,验证了提高电解质材料中的空位浓度是提高离子电导率的关键.2018年,Kanno等[50 ] 报道了他们在700 °C下淬火、再在450 °C下退火制备出四方相Na3 PS4 (t -Na3 PS4 )电解质,其室温离子电导率高达3.39×10-3 S/cm,指出离子电导率增加是由于淬火提高了空位的浓度,经过退火进一步扩大了晶格体积.2018年,Zeier等[51 ] 分别使用球磨和高温处理的方法合成了Na3 PS4 探究其整体和局部的晶体结构特征,通过Rietveld精修、对分布函数(PDF)及实验综合分析指出造成Na3 PS4 离子电导率差异的原因不在于晶体结构差异,而是高能球磨所导致的缺陷浓度的差异.研究人员通过不同的合成工艺制备出了立方相(c -Na3 PS4 )和四方相(t -Na3 PS4 )的玻璃-陶瓷Na3 PS4 固体电解质并使得电导率不断提升.理论和实验结果都表明电解质中晶格缺陷的存在,尤其是空位的存在是提高电导率的关键因素[52 ] ,同时通过扩大晶体中Na+ 传输通道从而降低离子跃迁势垒也是提高电解质电导率的重要方法. ...
... [
47 ]; (d) molecular dynamics simulation of Na-distribution for Na
3 PS
4 with 0 and 2% Na vacancies
[48 ] Fig.1 ![]()
2016年,Wagemaker等[48 ] 通过密度泛函理论分子动力学模拟指出当Na3 PS4 中存在2%的钠空位时[图1 (d)],电导率可以比原本的化学计量组成的化合物电导率提高一个数量级到达0.2 S/cm,活化能从0.28 eV降低到0.16 eV,并且预测了Br掺杂的Na3 PS4 具有最高的电导率.同年他们[49 ] 利用球磨退火的工艺合成出t -Na3PS4和c -Na3 PS4 并通过核磁共振技术(NMR)、密度泛函理论(DFT)和分子动力学模拟(MD)综合对比分析,验证了提高电解质材料中的空位浓度是提高离子电导率的关键.2018年,Kanno等[50 ] 报道了他们在700 °C下淬火、再在450 °C下退火制备出四方相Na3 PS4 (t -Na3 PS4 )电解质,其室温离子电导率高达3.39×10-3 S/cm,指出离子电导率增加是由于淬火提高了空位的浓度,经过退火进一步扩大了晶格体积.2018年,Zeier等[51 ] 分别使用球磨和高温处理的方法合成了Na3 PS4 探究其整体和局部的晶体结构特征,通过Rietveld精修、对分布函数(PDF)及实验综合分析指出造成Na3 PS4 离子电导率差异的原因不在于晶体结构差异,而是高能球磨所导致的缺陷浓度的差异.研究人员通过不同的合成工艺制备出了立方相(c -Na3 PS4 )和四方相(t -Na3 PS4 )的玻璃-陶瓷Na3 PS4 固体电解质并使得电导率不断提升.理论和实验结果都表明电解质中晶格缺陷的存在,尤其是空位的存在是提高电导率的关键因素[52 ] ,同时通过扩大晶体中Na+ 传输通道从而降低离子跃迁势垒也是提高电解质电导率的重要方法. ...
... 500 r/min球磨20 h→270 ℃烧结2 h
[34 ,47 ] Na3 PS4 Tetragonal ...
Diffusion mechanism of the sodium-ion solid electrolyte Na3 PS4 and potential improvements of halogen doping
3
2016
... 早在1992年,Jansen等
[46 ] 使用固相法合成了四方相Na
3 PS
4 (
t -Na
3 PS
4 )并确定了其晶体结构.其空间群是
P 4 ¯ 2 1 c ,晶胞参数为
a =695.20(4) pm,
c =707.57(5) pm,该化合物由钠阳离子和孤立的PS
4- 组成,每个晶胞中含有两个分子式单位.实验测得该化合物在50 °C下的离子电导率为4.17×10
-6 S/cm,在510 °C下电导率为8.51×10
-2 S/cm,他们指出高温造成离子电导率急剧增长是由于化合物在高于490 °C时生成了含有大量无序化阳离子的第二高温相.2012年,Hayashi等
[34 ] 使用化学机械球磨的方法首次合成了玻璃相、立方相(
c -Na
3 PS
4 )和四方相(
t -Na
3 PS
4 )的玻璃-陶瓷Na
3 PS
4 [XRD见
图1 (a)],测得
c -Na
3 PS
4 室温离子电导率高达2×10
-4 S/cm,活化能为27 kJ/mol.这一具有里程碑意义的发现掀起了对硫化物钠离子固态电解质研究的热潮,极大地推动了该类材料发展.当使用99.1%的高纯度Na
2 S原料时,虽然不同纯度原料制备的立方相Na
3 PS
4 从XRD图谱上看不出区别[见
图1 (b)],但高纯度原料提高了离子电导率[见
图1 (c)],达到4.6×10
-4 S/cm,是普通纯度的2倍
[47 ] ;实验结果分析还表明球磨时间过长会导致晶粒细化,晶界电阻提高,电导率下降,而随着烧结时间的延长,晶体结晶度提高,电导率增加.
图1 (a) Na3 PS4 经球磨、球磨后270 °C 烧结、球磨后420 °C 烧结的XRD 图谱.图中实心圆圈与菱形分别表示立方相和四方相[34 ] ;(b) 使用不同纯度Na2 S 制备的Na3 PS4 的XRD 图谱[47 ] ;(c) 使用不同纯度Na2 S 制备的Na3 PS4 的离子电导率随温度变化关系[47 ] ;(d) 分子动力学模拟当存在2% 钠空位时钠离子分布情况[48 ] (a) XRD patterns of Na3 PS4 powders and the powders sintered respectively at 270 °C and 420 °C. The filled circles and rhombuses represent cubic and tetragonal phases, respectively[34 ] ; (b) XRD patterns of Na3 PS4 prepared using Na2 S with different purities[47 ] ; (c) ionic conductivity of Na3 PS4 prepared using Na2 S with different purities[47 ] ; (d) molecular dynamics simulation of Na-distribution for Na3 PS4 with 0 and 2% Na vacancies[48 ] Fig.1 ![]()
2016年,Wagemaker等[48 ] 通过密度泛函理论分子动力学模拟指出当Na3 PS4 中存在2%的钠空位时[图1 (d)],电导率可以比原本的化学计量组成的化合物电导率提高一个数量级到达0.2 S/cm,活化能从0.28 eV降低到0.16 eV,并且预测了Br掺杂的Na3 PS4 具有最高的电导率.同年他们[49 ] 利用球磨退火的工艺合成出t -Na3PS4和c -Na3 PS4 并通过核磁共振技术(NMR)、密度泛函理论(DFT)和分子动力学模拟(MD)综合对比分析,验证了提高电解质材料中的空位浓度是提高离子电导率的关键.2018年,Kanno等[50 ] 报道了他们在700 °C下淬火、再在450 °C下退火制备出四方相Na3 PS4 (t -Na3 PS4 )电解质,其室温离子电导率高达3.39×10-3 S/cm,指出离子电导率增加是由于淬火提高了空位的浓度,经过退火进一步扩大了晶格体积.2018年,Zeier等[51 ] 分别使用球磨和高温处理的方法合成了Na3 PS4 探究其整体和局部的晶体结构特征,通过Rietveld精修、对分布函数(PDF)及实验综合分析指出造成Na3 PS4 离子电导率差异的原因不在于晶体结构差异,而是高能球磨所导致的缺陷浓度的差异.研究人员通过不同的合成工艺制备出了立方相(c -Na3 PS4 )和四方相(t -Na3 PS4 )的玻璃-陶瓷Na3 PS4 固体电解质并使得电导率不断提升.理论和实验结果都表明电解质中晶格缺陷的存在,尤其是空位的存在是提高电导率的关键因素[52 ] ,同时通过扩大晶体中Na+ 传输通道从而降低离子跃迁势垒也是提高电解质电导率的重要方法. ...
... [
48 ]
Fig.1 ![]()
2016年,Wagemaker等[48 ] 通过密度泛函理论分子动力学模拟指出当Na3 PS4 中存在2%的钠空位时[图1 (d)],电导率可以比原本的化学计量组成的化合物电导率提高一个数量级到达0.2 S/cm,活化能从0.28 eV降低到0.16 eV,并且预测了Br掺杂的Na3 PS4 具有最高的电导率.同年他们[49 ] 利用球磨退火的工艺合成出t -Na3PS4和c -Na3 PS4 并通过核磁共振技术(NMR)、密度泛函理论(DFT)和分子动力学模拟(MD)综合对比分析,验证了提高电解质材料中的空位浓度是提高离子电导率的关键.2018年,Kanno等[50 ] 报道了他们在700 °C下淬火、再在450 °C下退火制备出四方相Na3 PS4 (t -Na3 PS4 )电解质,其室温离子电导率高达3.39×10-3 S/cm,指出离子电导率增加是由于淬火提高了空位的浓度,经过退火进一步扩大了晶格体积.2018年,Zeier等[51 ] 分别使用球磨和高温处理的方法合成了Na3 PS4 探究其整体和局部的晶体结构特征,通过Rietveld精修、对分布函数(PDF)及实验综合分析指出造成Na3 PS4 离子电导率差异的原因不在于晶体结构差异,而是高能球磨所导致的缺陷浓度的差异.研究人员通过不同的合成工艺制备出了立方相(c -Na3 PS4 )和四方相(t -Na3 PS4 )的玻璃-陶瓷Na3 PS4 固体电解质并使得电导率不断提升.理论和实验结果都表明电解质中晶格缺陷的存在,尤其是空位的存在是提高电导率的关键因素[52 ] ,同时通过扩大晶体中Na+ 传输通道从而降低离子跃迁势垒也是提高电解质电导率的重要方法. ...
... 2016年,Wagemaker等[48 ] 通过密度泛函理论分子动力学模拟指出当Na3 PS4 中存在2%的钠空位时[图1 (d)],电导率可以比原本的化学计量组成的化合物电导率提高一个数量级到达0.2 S/cm,活化能从0.28 eV降低到0.16 eV,并且预测了Br掺杂的Na3 PS4 具有最高的电导率.同年他们[49 ] 利用球磨退火的工艺合成出t -Na3PS4和c -Na3 PS4 并通过核磁共振技术(NMR)、密度泛函理论(DFT)和分子动力学模拟(MD)综合对比分析,验证了提高电解质材料中的空位浓度是提高离子电导率的关键.2018年,Kanno等[50 ] 报道了他们在700 °C下淬火、再在450 °C下退火制备出四方相Na3 PS4 (t -Na3 PS4 )电解质,其室温离子电导率高达3.39×10-3 S/cm,指出离子电导率增加是由于淬火提高了空位的浓度,经过退火进一步扩大了晶格体积.2018年,Zeier等[51 ] 分别使用球磨和高温处理的方法合成了Na3 PS4 探究其整体和局部的晶体结构特征,通过Rietveld精修、对分布函数(PDF)及实验综合分析指出造成Na3 PS4 离子电导率差异的原因不在于晶体结构差异,而是高能球磨所导致的缺陷浓度的差异.研究人员通过不同的合成工艺制备出了立方相(c -Na3 PS4 )和四方相(t -Na3 PS4 )的玻璃-陶瓷Na3 PS4 固体电解质并使得电导率不断提升.理论和实验结果都表明电解质中晶格缺陷的存在,尤其是空位的存在是提高电导率的关键因素[52 ] ,同时通过扩大晶体中Na+ 传输通道从而降低离子跃迁势垒也是提高电解质电导率的重要方法. ...
Na-ion dynamics in tetragonal and cubic Na3 PS4 , a Na-ion conductor for solid state Na-ion batteries
1
2016
... 2016年,Wagemaker等[48 ] 通过密度泛函理论分子动力学模拟指出当Na3 PS4 中存在2%的钠空位时[图1 (d)],电导率可以比原本的化学计量组成的化合物电导率提高一个数量级到达0.2 S/cm,活化能从0.28 eV降低到0.16 eV,并且预测了Br掺杂的Na3 PS4 具有最高的电导率.同年他们[49 ] 利用球磨退火的工艺合成出t -Na3PS4和c -Na3 PS4 并通过核磁共振技术(NMR)、密度泛函理论(DFT)和分子动力学模拟(MD)综合对比分析,验证了提高电解质材料中的空位浓度是提高离子电导率的关键.2018年,Kanno等[50 ] 报道了他们在700 °C下淬火、再在450 °C下退火制备出四方相Na3 PS4 (t -Na3 PS4 )电解质,其室温离子电导率高达3.39×10-3 S/cm,指出离子电导率增加是由于淬火提高了空位的浓度,经过退火进一步扩大了晶格体积.2018年,Zeier等[51 ] 分别使用球磨和高温处理的方法合成了Na3 PS4 探究其整体和局部的晶体结构特征,通过Rietveld精修、对分布函数(PDF)及实验综合分析指出造成Na3 PS4 离子电导率差异的原因不在于晶体结构差异,而是高能球磨所导致的缺陷浓度的差异.研究人员通过不同的合成工艺制备出了立方相(c -Na3 PS4 )和四方相(t -Na3 PS4 )的玻璃-陶瓷Na3 PS4 固体电解质并使得电导率不断提升.理论和实验结果都表明电解质中晶格缺陷的存在,尤其是空位的存在是提高电导率的关键因素[52 ] ,同时通过扩大晶体中Na+ 传输通道从而降低离子跃迁势垒也是提高电解质电导率的重要方法. ...
Sodium superionic conduction in tetragonal Na3 PS4
2
2018
... 2016年,Wagemaker等[48 ] 通过密度泛函理论分子动力学模拟指出当Na3 PS4 中存在2%的钠空位时[图1 (d)],电导率可以比原本的化学计量组成的化合物电导率提高一个数量级到达0.2 S/cm,活化能从0.28 eV降低到0.16 eV,并且预测了Br掺杂的Na3 PS4 具有最高的电导率.同年他们[49 ] 利用球磨退火的工艺合成出t -Na3PS4和c -Na3 PS4 并通过核磁共振技术(NMR)、密度泛函理论(DFT)和分子动力学模拟(MD)综合对比分析,验证了提高电解质材料中的空位浓度是提高离子电导率的关键.2018年,Kanno等[50 ] 报道了他们在700 °C下淬火、再在450 °C下退火制备出四方相Na3 PS4 (t -Na3 PS4 )电解质,其室温离子电导率高达3.39×10-3 S/cm,指出离子电导率增加是由于淬火提高了空位的浓度,经过退火进一步扩大了晶格体积.2018年,Zeier等[51 ] 分别使用球磨和高温处理的方法合成了Na3 PS4 探究其整体和局部的晶体结构特征,通过Rietveld精修、对分布函数(PDF)及实验综合分析指出造成Na3 PS4 离子电导率差异的原因不在于晶体结构差异,而是高能球磨所导致的缺陷浓度的差异.研究人员通过不同的合成工艺制备出了立方相(c -Na3 PS4 )和四方相(t -Na3 PS4 )的玻璃-陶瓷Na3 PS4 固体电解质并使得电导率不断提升.理论和实验结果都表明电解质中晶格缺陷的存在,尤其是空位的存在是提高电导率的关键因素[52 ] ,同时通过扩大晶体中Na+ 传输通道从而降低离子跃迁势垒也是提高电解质电导率的重要方法. ...
... 7.0838
3.39 0.173 Na2 S、P2 S5 ;450 ℃结8h→700 ℃烧结12 h [50 ] Na2.9 PS3.95 Se0.05 Cubic ...
Local tetragonal structure of the cubic superionic conductor Na3 PS4
1
2018
... 2016年,Wagemaker等[48 ] 通过密度泛函理论分子动力学模拟指出当Na3 PS4 中存在2%的钠空位时[图1 (d)],电导率可以比原本的化学计量组成的化合物电导率提高一个数量级到达0.2 S/cm,活化能从0.28 eV降低到0.16 eV,并且预测了Br掺杂的Na3 PS4 具有最高的电导率.同年他们[49 ] 利用球磨退火的工艺合成出t -Na3PS4和c -Na3 PS4 并通过核磁共振技术(NMR)、密度泛函理论(DFT)和分子动力学模拟(MD)综合对比分析,验证了提高电解质材料中的空位浓度是提高离子电导率的关键.2018年,Kanno等[50 ] 报道了他们在700 °C下淬火、再在450 °C下退火制备出四方相Na3 PS4 (t -Na3 PS4 )电解质,其室温离子电导率高达3.39×10-3 S/cm,指出离子电导率增加是由于淬火提高了空位的浓度,经过退火进一步扩大了晶格体积.2018年,Zeier等[51 ] 分别使用球磨和高温处理的方法合成了Na3 PS4 探究其整体和局部的晶体结构特征,通过Rietveld精修、对分布函数(PDF)及实验综合分析指出造成Na3 PS4 离子电导率差异的原因不在于晶体结构差异,而是高能球磨所导致的缺陷浓度的差异.研究人员通过不同的合成工艺制备出了立方相(c -Na3 PS4 )和四方相(t -Na3 PS4 )的玻璃-陶瓷Na3 PS4 固体电解质并使得电导率不断提升.理论和实验结果都表明电解质中晶格缺陷的存在,尤其是空位的存在是提高电导率的关键因素[52 ] ,同时通过扩大晶体中Na+ 传输通道从而降低离子跃迁势垒也是提高电解质电导率的重要方法. ...
Sodium-ion battery electrolytes: Modeling and simulations
1
2018
... 2016年,Wagemaker等[48 ] 通过密度泛函理论分子动力学模拟指出当Na3 PS4 中存在2%的钠空位时[图1 (d)],电导率可以比原本的化学计量组成的化合物电导率提高一个数量级到达0.2 S/cm,活化能从0.28 eV降低到0.16 eV,并且预测了Br掺杂的Na3 PS4 具有最高的电导率.同年他们[49 ] 利用球磨退火的工艺合成出t -Na3PS4和c -Na3 PS4 并通过核磁共振技术(NMR)、密度泛函理论(DFT)和分子动力学模拟(MD)综合对比分析,验证了提高电解质材料中的空位浓度是提高离子电导率的关键.2018年,Kanno等[50 ] 报道了他们在700 °C下淬火、再在450 °C下退火制备出四方相Na3 PS4 (t -Na3 PS4 )电解质,其室温离子电导率高达3.39×10-3 S/cm,指出离子电导率增加是由于淬火提高了空位的浓度,经过退火进一步扩大了晶格体积.2018年,Zeier等[51 ] 分别使用球磨和高温处理的方法合成了Na3 PS4 探究其整体和局部的晶体结构特征,通过Rietveld精修、对分布函数(PDF)及实验综合分析指出造成Na3 PS4 离子电导率差异的原因不在于晶体结构差异,而是高能球磨所导致的缺陷浓度的差异.研究人员通过不同的合成工艺制备出了立方相(c -Na3 PS4 )和四方相(t -Na3 PS4 )的玻璃-陶瓷Na3 PS4 固体电解质并使得电导率不断提升.理论和实验结果都表明电解质中晶格缺陷的存在,尤其是空位的存在是提高电导率的关键因素[52 ] ,同时通过扩大晶体中Na+ 传输通道从而降低离子跃迁势垒也是提高电解质电导率的重要方法. ...
Improvement in ion transport in Na3 PSe4 -Na3 SbSe4 by Sb substitution
5
2018
... 2015年,Zhang等[40 ] 将Na3 PS4 中的S用Se替代,使用固相法合成出Na3 PSe4 固态电解质,晶体结构如图2 (a)、2 (b)所示,P原子占据2a 位点,Se原子占据8c 位点,Na+ 离子在PSe4 组成的四面体中快速扩散.测得该化合物其室温离子电导率为1.16×10-3 S/cm,活化能为0.21 eV.之所以得到如此高的离子电导率有两个原因,其一是Se的原子半径比S大,使用Se代替S扩大了晶格体积,为Na+ 的传输创造了更广阔的空间,如图2 (c)所示.其二Se2- 的高极化性较低迁移离子与阴离子骨架间的结合能,进一步弱化对钠离子的束缚.随后,他们又通过在Na3 PSe4 中掺入Sb进一步扩大晶格体积来增大钠离子传输通道[53 ] [图2 (d)],通过固相法制得Na3 SbSe4 最大离子电导率为3.7×10-3 S/cm,活化能为0.19 eV.同期,Ceder等[54 ] 通过较低的烧结温度制备出Na3 PSe4 电解质,测得离子电导率为1.1×10-4 S/cm,之后他们[55 ] 又研究了Na3 PSx Se4- x 中Se的含量变化说明随着Se含量的增加,电解质Na3 PSx Se4- x 从四方相转变成立方相,并且离子电导率不断提升[图2 (e)~(f)],这种电导率的提高是由于结构中空位浓度的不断升高导致的.随后,Zeier等[56 ] 通过表征声速来探究晶格动力学对离子电导率的影响,声速测量结果表明随着Se的掺杂量的增加,阴离子骨架极化率不断增加进而导致晶格软化,这种软化既影响阿伦尼乌斯指前因子,也影响离子迁移的激活屏障.2016年,Chu等[42 ] 通过第一性原理发现Cl- 掺杂的四方相Na3 PS4 (t -Na3 PS4 )电解质t -Na3- x PS4- x Clx 的电导率可以进一步提升,理论计算结果表明当x =0.0625时t -Na2.9375 PS3.9375 Cl0.0625 室温离子电导率可达1.38×10-3 S/cm.并通过实验成功合成出t -Na2.9375 PS3.9375 Cl0.0625 测得室温电导率为1.14×10-3 S/cm.活化能为0.249 eV,并且使用该电解质组装的TiS2 /t -Na2.9375 PS3.9375 Cl0.0625 /Na全固态电池在室温下,以0.1 C倍率进行循环,10圈之后容量为80 mA· h/g.2019年,Hayashi等[57 ] 用1,2-二甲氧基乙烷(DME)作为媒介用溶液法合成了t -Na2.9375 PS3.9375 Cl0.0625 ,离子电导率为4.3×10-4 S/cm,并通过简单的液相法制备了均匀的复合电极,使电极与电解质颗粒之间的接触面积增大,从而提升了电池的循环性能. ...
... [
53 ];
(e) Na3 PSx Se4 - x (x =0、
1 、
2 、
3 、
4) 的阿伦尼乌斯图
[55 ] ;
(f) Na3 PSx Se4 - x (x =0、
1 、
2 、
3 、
4) 的
X 射线衍射图
[55 ] (a) crystal structure of Na3 PSe4 . The sodium ions located at the diffusion channels formed by PSe4 tetrahedral [40 ] ; (b) fourier map of the difference pattern on the xy (z =0) plane [40 ] ; (c) room temperature ionic conductivity and lattice parameters with various S contents in Na3 PSe4 - x Sx [40 ] ; (d) schematic diagram if Na+ diffusion channels of different electrolytes [53 ] ; (e) Arrhenius plots of Na3 PSx Se4 - x (x =0, 1, 2, 3, 4)[55 ] ; (f) X-ray diffraction pattern of Na3 PSx Se4- x (x =0, 1, 2, 3, 4) [55 ] Fig.2 ![]()
2.1.2.2 Na3 PS4 的阳离子掺杂 除了阴离子掺杂,同样可以对硫化物中的Na或P原子进行掺杂或替代,以优化离子传输通道或晶体结构来获得更高效的离子传输.2014年,Hayashi等[35 ] 实验结果表明在Na3 PS4 中掺杂摩尔比为6%的Na4 SiS4 时其离子电导率明显提高,即名义成分为94 Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 时离子电导率达到7.4×10-4 S/cm,是母相Na3 PS4 的1.7倍[图3 (a)].立方相Na3 PS4 的电子密度分布显示Na+ 沿着Na1、Na2三维通道进行传输[58 ] ,XRD和Rietveld精修分析表明在94Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 中,Na2的占比大于Na3 PS4 ,这可能是导致电导率提升的主要原因.2015年,Ong等[59 ] 通过第一性原理发现纯的c -Na3 PS4 是一种极差的钠离子导体,而引入过量的Na+ 才是获得合理的Na+ 导电性的关键[图3 (b)].分子动力学模拟预测了用M4+ (M=Si、Ge、Sn)替代c -Na3 PS4 中的P5+ 得到Na3+ x Mx P1- x S4 (M=Si、Ge、Sn时,x =0.0625;M=Si时,x =0.125)的离子电导率,结果表明当在c -Na3 PS4 中掺杂6.25%的Sn时具有最高电导率,达到1.07×10-2 S/cm,即通过异价掺杂获得了间隙Na+ 使得电导率提高.拓扑和范霍夫相关函数分析表明,Na+ 运动中的通道体积和联系可能对提高Na+ 在该结构中的电导率起到重要作用.2017年,Adams等[37 ] 通过球磨和退火的方法合成了Na3+ x Mx P1- x S4 (M=Ge、Ti、Sn,x =0、0.1),其中Sn掺杂的Na3.1 Sn0.1 P0.1 S4 的电导率最高,达到2.5×10-4 S/cm,活化能为0.18 eV,与其计算机模拟结果相一致. ...
... [
53 ]
; (e) Arrhenius plots of Na3 PSx Se4 - x (x =0, 1, 2, 3, 4)[55 ] ; (f) X-ray diffraction pattern of Na3 PSx Se4- x (x =0, 1, 2, 3, 4) [55 ] Fig.2 ![]()
2.1.2.2 Na3 PS4 的阳离子掺杂 除了阴离子掺杂,同样可以对硫化物中的Na或P原子进行掺杂或替代,以优化离子传输通道或晶体结构来获得更高效的离子传输.2014年,Hayashi等[35 ] 实验结果表明在Na3 PS4 中掺杂摩尔比为6%的Na4 SiS4 时其离子电导率明显提高,即名义成分为94 Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 时离子电导率达到7.4×10-4 S/cm,是母相Na3 PS4 的1.7倍[图3 (a)].立方相Na3 PS4 的电子密度分布显示Na+ 沿着Na1、Na2三维通道进行传输[58 ] ,XRD和Rietveld精修分析表明在94Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 中,Na2的占比大于Na3 PS4 ,这可能是导致电导率提升的主要原因.2015年,Ong等[59 ] 通过第一性原理发现纯的c -Na3 PS4 是一种极差的钠离子导体,而引入过量的Na+ 才是获得合理的Na+ 导电性的关键[图3 (b)].分子动力学模拟预测了用M4+ (M=Si、Ge、Sn)替代c -Na3 PS4 中的P5+ 得到Na3+ x Mx P1- x S4 (M=Si、Ge、Sn时,x =0.0625;M=Si时,x =0.125)的离子电导率,结果表明当在c -Na3 PS4 中掺杂6.25%的Sn时具有最高电导率,达到1.07×10-2 S/cm,即通过异价掺杂获得了间隙Na+ 使得电导率提高.拓扑和范霍夫相关函数分析表明,Na+ 运动中的通道体积和联系可能对提高Na+ 在该结构中的电导率起到重要作用.2017年,Adams等[37 ] 通过球磨和退火的方法合成了Na3+ x Mx P1- x S4 (M=Ge、Ti、Sn,x =0、0.1),其中Sn掺杂的Na3.1 Sn0.1 P0.1 S4 的电导率最高,达到2.5×10-4 S/cm,活化能为0.18 eV,与其计算机模拟结果相一致. ...
... I 43m
7.4920 3.70 0.190 Na+Sb+Se;700 ℃烧结12 h 扩大晶胞体积 [53 ] Na2.9375 PS3.9375 Cl0.0625 Tetragonal ...
... Na3 SbS4 是另一种有趣的钠离子硫化物电解质,它不仅具有该体系最高的离子电导率,还能在水中形成稳定的水合物,而不是水解产生硫化氢.其晶体结构与Na3 PS4 相似,拥有三维离子扩散通道.2016年,Zhang等[41 ] 首次报道了一种室温离子电导率高达3×10-3 S/cm的电解质Na3 SbS4 ,其活化能为0.25 eV.该电解质结构如图4 (a)所示,拥有四方相的晶体结构,Rietveld精修发现Na2位点存在20%的钠空位,而不是完全填满钠原子,整个结构中包含2.5%的钠离子空位.结合理论模拟和实验分析,他们研究了立方和四方相对Na3 SbS4 离子迁移的影响[38 ] ,发现立方相能适当提高离子电导率,但数值都在同一数量级上.此外,该电解质在干燥空气中很稳定,在空气湿度为65%的条件下暴露5 h后形成了Na3 SbS4 ∙9H2 O,继续将其在100 °C下加热5 h后脱水恢复为Na3 SbS4 ,这种特质为水溶液法合成提供了基础.同年Hong和Jung等[63 ] 通过溶液法合成出Na3 SbS4 ,离子电导率为1×10-4 ~3×10-4 S/cm,活化能为0.2 eV,并成功将其包覆在活性材料表面[图4 (b)],电池性能较机械混合的正极有了显著提高.Na3 SbS4 优秀的空气稳定性可以通过“软硬酸碱理论”解释:Sb(一种比P更软的酸)与O(一种硬碱)的亲和力比P与O的亲和力低[64 ] .2018年,Zhang和Chen等[53 , 65 ] 用Se代替S制得Na3 SbSe4 ,Se的大原子半径实现了晶格尺寸的进一步增大[图4 (c)],其高极化性的特点削弱了Na+ 与[SbSe4 3- ]四面体间的结合力,制备得到立方相的Na3 SbSe4 ,其电导率达到8.5×10-4 S/cm,活化能为0.193 eV.之后,Wang等[66 ] 通过固液融合技术成了纳米级Na3 SbS3.75 Se0.25 ,该技术结合了液相反应可以得到小粒径和固相反应达到高离子电导率的特点,其室温离子电导率为4.4×10-3 S/cm,活化能为21.73 kJ/mol. ...
Computational and experimental investigations of Na-ion conduction in cubic Na3 PSe4
2
2015
... 2015年,Zhang等[40 ] 将Na3 PS4 中的S用Se替代,使用固相法合成出Na3 PSe4 固态电解质,晶体结构如图2 (a)、2 (b)所示,P原子占据2a 位点,Se原子占据8c 位点,Na+ 离子在PSe4 组成的四面体中快速扩散.测得该化合物其室温离子电导率为1.16×10-3 S/cm,活化能为0.21 eV.之所以得到如此高的离子电导率有两个原因,其一是Se的原子半径比S大,使用Se代替S扩大了晶格体积,为Na+ 的传输创造了更广阔的空间,如图2 (c)所示.其二Se2- 的高极化性较低迁移离子与阴离子骨架间的结合能,进一步弱化对钠离子的束缚.随后,他们又通过在Na3 PSe4 中掺入Sb进一步扩大晶格体积来增大钠离子传输通道[53 ] [图2 (d)],通过固相法制得Na3 SbSe4 最大离子电导率为3.7×10-3 S/cm,活化能为0.19 eV.同期,Ceder等[54 ] 通过较低的烧结温度制备出Na3 PSe4 电解质,测得离子电导率为1.1×10-4 S/cm,之后他们[55 ] 又研究了Na3 PSx Se4- x 中Se的含量变化说明随着Se含量的增加,电解质Na3 PSx Se4- x 从四方相转变成立方相,并且离子电导率不断提升[图2 (e)~(f)],这种电导率的提高是由于结构中空位浓度的不断升高导致的.随后,Zeier等[56 ] 通过表征声速来探究晶格动力学对离子电导率的影响,声速测量结果表明随着Se的掺杂量的增加,阴离子骨架极化率不断增加进而导致晶格软化,这种软化既影响阿伦尼乌斯指前因子,也影响离子迁移的激活屏障.2016年,Chu等[42 ] 通过第一性原理发现Cl- 掺杂的四方相Na3 PS4 (t -Na3 PS4 )电解质t -Na3- x PS4- x Clx 的电导率可以进一步提升,理论计算结果表明当x =0.0625时t -Na2.9375 PS3.9375 Cl0.0625 室温离子电导率可达1.38×10-3 S/cm.并通过实验成功合成出t -Na2.9375 PS3.9375 Cl0.0625 测得室温电导率为1.14×10-3 S/cm.活化能为0.249 eV,并且使用该电解质组装的TiS2 /t -Na2.9375 PS3.9375 Cl0.0625 /Na全固态电池在室温下,以0.1 C倍率进行循环,10圈之后容量为80 mA· h/g.2019年,Hayashi等[57 ] 用1,2-二甲氧基乙烷(DME)作为媒介用溶液法合成了t -Na2.9375 PS3.9375 Cl0.0625 ,离子电导率为4.3×10-4 S/cm,并通过简单的液相法制备了均匀的复合电极,使电极与电解质颗粒之间的接触面积增大,从而提升了电池的循环性能. ...
... I 43m
7.3136 0.11 0.281 Na2 Se+P+Se;300 ℃烧结12 h 有空位形成 [54 ] Na3 SbSe4 Cubic ...
Structural and Na-ion conduction characteristics of Na3 PSx Se4- x
5
2016
... 2015年,Zhang等[40 ] 将Na3 PS4 中的S用Se替代,使用固相法合成出Na3 PSe4 固态电解质,晶体结构如图2 (a)、2 (b)所示,P原子占据2a 位点,Se原子占据8c 位点,Na+ 离子在PSe4 组成的四面体中快速扩散.测得该化合物其室温离子电导率为1.16×10-3 S/cm,活化能为0.21 eV.之所以得到如此高的离子电导率有两个原因,其一是Se的原子半径比S大,使用Se代替S扩大了晶格体积,为Na+ 的传输创造了更广阔的空间,如图2 (c)所示.其二Se2- 的高极化性较低迁移离子与阴离子骨架间的结合能,进一步弱化对钠离子的束缚.随后,他们又通过在Na3 PSe4 中掺入Sb进一步扩大晶格体积来增大钠离子传输通道[53 ] [图2 (d)],通过固相法制得Na3 SbSe4 最大离子电导率为3.7×10-3 S/cm,活化能为0.19 eV.同期,Ceder等[54 ] 通过较低的烧结温度制备出Na3 PSe4 电解质,测得离子电导率为1.1×10-4 S/cm,之后他们[55 ] 又研究了Na3 PSx Se4- x 中Se的含量变化说明随着Se含量的增加,电解质Na3 PSx Se4- x 从四方相转变成立方相,并且离子电导率不断提升[图2 (e)~(f)],这种电导率的提高是由于结构中空位浓度的不断升高导致的.随后,Zeier等[56 ] 通过表征声速来探究晶格动力学对离子电导率的影响,声速测量结果表明随着Se的掺杂量的增加,阴离子骨架极化率不断增加进而导致晶格软化,这种软化既影响阿伦尼乌斯指前因子,也影响离子迁移的激活屏障.2016年,Chu等[42 ] 通过第一性原理发现Cl- 掺杂的四方相Na3 PS4 (t -Na3 PS4 )电解质t -Na3- x PS4- x Clx 的电导率可以进一步提升,理论计算结果表明当x =0.0625时t -Na2.9375 PS3.9375 Cl0.0625 室温离子电导率可达1.38×10-3 S/cm.并通过实验成功合成出t -Na2.9375 PS3.9375 Cl0.0625 测得室温电导率为1.14×10-3 S/cm.活化能为0.249 eV,并且使用该电解质组装的TiS2 /t -Na2.9375 PS3.9375 Cl0.0625 /Na全固态电池在室温下,以0.1 C倍率进行循环,10圈之后容量为80 mA· h/g.2019年,Hayashi等[57 ] 用1,2-二甲氧基乙烷(DME)作为媒介用溶液法合成了t -Na2.9375 PS3.9375 Cl0.0625 ,离子电导率为4.3×10-4 S/cm,并通过简单的液相法制备了均匀的复合电极,使电极与电解质颗粒之间的接触面积增大,从而提升了电池的循环性能. ...
... [
55 ];
(f) Na3 PSx Se4 - x (x =0、
1 、
2 、
3 、
4) 的
X 射线衍射图
[55 ] (a) crystal structure of Na3 PSe4 . The sodium ions located at the diffusion channels formed by PSe4 tetrahedral [40 ] ; (b) fourier map of the difference pattern on the xy (z =0) plane [40 ] ; (c) room temperature ionic conductivity and lattice parameters with various S contents in Na3 PSe4 - x Sx [40 ] ; (d) schematic diagram if Na+ diffusion channels of different electrolytes [53 ] ; (e) Arrhenius plots of Na3 PSx Se4 - x (x =0, 1, 2, 3, 4)[55 ] ; (f) X-ray diffraction pattern of Na3 PSx Se4- x (x =0, 1, 2, 3, 4) [55 ] Fig.2 ![]()
2.1.2.2 Na3 PS4 的阳离子掺杂 除了阴离子掺杂,同样可以对硫化物中的Na或P原子进行掺杂或替代,以优化离子传输通道或晶体结构来获得更高效的离子传输.2014年,Hayashi等[35 ] 实验结果表明在Na3 PS4 中掺杂摩尔比为6%的Na4 SiS4 时其离子电导率明显提高,即名义成分为94 Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 时离子电导率达到7.4×10-4 S/cm,是母相Na3 PS4 的1.7倍[图3 (a)].立方相Na3 PS4 的电子密度分布显示Na+ 沿着Na1、Na2三维通道进行传输[58 ] ,XRD和Rietveld精修分析表明在94Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 中,Na2的占比大于Na3 PS4 ,这可能是导致电导率提升的主要原因.2015年,Ong等[59 ] 通过第一性原理发现纯的c -Na3 PS4 是一种极差的钠离子导体,而引入过量的Na+ 才是获得合理的Na+ 导电性的关键[图3 (b)].分子动力学模拟预测了用M4+ (M=Si、Ge、Sn)替代c -Na3 PS4 中的P5+ 得到Na3+ x Mx P1- x S4 (M=Si、Ge、Sn时,x =0.0625;M=Si时,x =0.125)的离子电导率,结果表明当在c -Na3 PS4 中掺杂6.25%的Sn时具有最高电导率,达到1.07×10-2 S/cm,即通过异价掺杂获得了间隙Na+ 使得电导率提高.拓扑和范霍夫相关函数分析表明,Na+ 运动中的通道体积和联系可能对提高Na+ 在该结构中的电导率起到重要作用.2017年,Adams等[37 ] 通过球磨和退火的方法合成了Na3+ x Mx P1- x S4 (M=Ge、Ti、Sn,x =0、0.1),其中Sn掺杂的Na3.1 Sn0.1 P0.1 S4 的电导率最高,达到2.5×10-4 S/cm,活化能为0.18 eV,与其计算机模拟结果相一致. ...
... [
55 ]
(a) crystal structure of Na3 PSe4 . The sodium ions located at the diffusion channels formed by PSe4 tetrahedral [40 ] ; (b) fourier map of the difference pattern on the xy (z =0) plane [40 ] ; (c) room temperature ionic conductivity and lattice parameters with various S contents in Na3 PSe4 - x Sx [40 ] ; (d) schematic diagram if Na+ diffusion channels of different electrolytes [53 ] ; (e) Arrhenius plots of Na3 PSx Se4 - x (x =0, 1, 2, 3, 4)[55 ] ; (f) X-ray diffraction pattern of Na3 PSx Se4- x (x =0, 1, 2, 3, 4) [55 ] Fig.2 ![]()
2.1.2.2 Na3 PS4 的阳离子掺杂 除了阴离子掺杂,同样可以对硫化物中的Na或P原子进行掺杂或替代,以优化离子传输通道或晶体结构来获得更高效的离子传输.2014年,Hayashi等[35 ] 实验结果表明在Na3 PS4 中掺杂摩尔比为6%的Na4 SiS4 时其离子电导率明显提高,即名义成分为94 Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 时离子电导率达到7.4×10-4 S/cm,是母相Na3 PS4 的1.7倍[图3 (a)].立方相Na3 PS4 的电子密度分布显示Na+ 沿着Na1、Na2三维通道进行传输[58 ] ,XRD和Rietveld精修分析表明在94Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 中,Na2的占比大于Na3 PS4 ,这可能是导致电导率提升的主要原因.2015年,Ong等[59 ] 通过第一性原理发现纯的c -Na3 PS4 是一种极差的钠离子导体,而引入过量的Na+ 才是获得合理的Na+ 导电性的关键[图3 (b)].分子动力学模拟预测了用M4+ (M=Si、Ge、Sn)替代c -Na3 PS4 中的P5+ 得到Na3+ x Mx P1- x S4 (M=Si、Ge、Sn时,x =0.0625;M=Si时,x =0.125)的离子电导率,结果表明当在c -Na3 PS4 中掺杂6.25%的Sn时具有最高电导率,达到1.07×10-2 S/cm,即通过异价掺杂获得了间隙Na+ 使得电导率提高.拓扑和范霍夫相关函数分析表明,Na+ 运动中的通道体积和联系可能对提高Na+ 在该结构中的电导率起到重要作用.2017年,Adams等[37 ] 通过球磨和退火的方法合成了Na3+ x Mx P1- x S4 (M=Ge、Ti、Sn,x =0、0.1),其中Sn掺杂的Na3.1 Sn0.1 P0.1 S4 的电导率最高,达到2.5×10-4 S/cm,活化能为0.18 eV,与其计算机模拟结果相一致. ...
... [
55 ]
; (f) X-ray diffraction pattern of Na3 PSx Se4- x (x =0, 1, 2, 3, 4) [55 ] Fig.2 ![]()
2.1.2.2 Na3 PS4 的阳离子掺杂 除了阴离子掺杂,同样可以对硫化物中的Na或P原子进行掺杂或替代,以优化离子传输通道或晶体结构来获得更高效的离子传输.2014年,Hayashi等[35 ] 实验结果表明在Na3 PS4 中掺杂摩尔比为6%的Na4 SiS4 时其离子电导率明显提高,即名义成分为94 Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 时离子电导率达到7.4×10-4 S/cm,是母相Na3 PS4 的1.7倍[图3 (a)].立方相Na3 PS4 的电子密度分布显示Na+ 沿着Na1、Na2三维通道进行传输[58 ] ,XRD和Rietveld精修分析表明在94Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 中,Na2的占比大于Na3 PS4 ,这可能是导致电导率提升的主要原因.2015年,Ong等[59 ] 通过第一性原理发现纯的c -Na3 PS4 是一种极差的钠离子导体,而引入过量的Na+ 才是获得合理的Na+ 导电性的关键[图3 (b)].分子动力学模拟预测了用M4+ (M=Si、Ge、Sn)替代c -Na3 PS4 中的P5+ 得到Na3+ x Mx P1- x S4 (M=Si、Ge、Sn时,x =0.0625;M=Si时,x =0.125)的离子电导率,结果表明当在c -Na3 PS4 中掺杂6.25%的Sn时具有最高电导率,达到1.07×10-2 S/cm,即通过异价掺杂获得了间隙Na+ 使得电导率提高.拓扑和范霍夫相关函数分析表明,Na+ 运动中的通道体积和联系可能对提高Na+ 在该结构中的电导率起到重要作用.2017年,Adams等[37 ] 通过球磨和退火的方法合成了Na3+ x Mx P1- x S4 (M=Ge、Ti、Sn,x =0、0.1),其中Sn掺杂的Na3.1 Sn0.1 P0.1 S4 的电导率最高,达到2.5×10-4 S/cm,活化能为0.18 eV,与其计算机模拟结果相一致. ...
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55 ]
Fig.2 ![]()
2.1.2.2 Na3 PS4 的阳离子掺杂 除了阴离子掺杂,同样可以对硫化物中的Na或P原子进行掺杂或替代,以优化离子传输通道或晶体结构来获得更高效的离子传输.2014年,Hayashi等[35 ] 实验结果表明在Na3 PS4 中掺杂摩尔比为6%的Na4 SiS4 时其离子电导率明显提高,即名义成分为94 Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 时离子电导率达到7.4×10-4 S/cm,是母相Na3 PS4 的1.7倍[图3 (a)].立方相Na3 PS4 的电子密度分布显示Na+ 沿着Na1、Na2三维通道进行传输[58 ] ,XRD和Rietveld精修分析表明在94Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 中,Na2的占比大于Na3 PS4 ,这可能是导致电导率提升的主要原因.2015年,Ong等[59 ] 通过第一性原理发现纯的c -Na3 PS4 是一种极差的钠离子导体,而引入过量的Na+ 才是获得合理的Na+ 导电性的关键[图3 (b)].分子动力学模拟预测了用M4+ (M=Si、Ge、Sn)替代c -Na3 PS4 中的P5+ 得到Na3+ x Mx P1- x S4 (M=Si、Ge、Sn时,x =0.0625;M=Si时,x =0.125)的离子电导率,结果表明当在c -Na3 PS4 中掺杂6.25%的Sn时具有最高电导率,达到1.07×10-2 S/cm,即通过异价掺杂获得了间隙Na+ 使得电导率提高.拓扑和范霍夫相关函数分析表明,Na+ 运动中的通道体积和联系可能对提高Na+ 在该结构中的电导率起到重要作用.2017年,Adams等[37 ] 通过球磨和退火的方法合成了Na3+ x Mx P1- x S4 (M=Ge、Ti、Sn,x =0、0.1),其中Sn掺杂的Na3.1 Sn0.1 P0.1 S4 的电导率最高,达到2.5×10-4 S/cm,活化能为0.18 eV,与其计算机模拟结果相一致. ...
Influence of lattice dynamics on Na+ transport in the solid electrolyte Na3 PS4– x Sex
1
2017
... 2015年,Zhang等[40 ] 将Na3 PS4 中的S用Se替代,使用固相法合成出Na3 PSe4 固态电解质,晶体结构如图2 (a)、2 (b)所示,P原子占据2a 位点,Se原子占据8c 位点,Na+ 离子在PSe4 组成的四面体中快速扩散.测得该化合物其室温离子电导率为1.16×10-3 S/cm,活化能为0.21 eV.之所以得到如此高的离子电导率有两个原因,其一是Se的原子半径比S大,使用Se代替S扩大了晶格体积,为Na+ 的传输创造了更广阔的空间,如图2 (c)所示.其二Se2- 的高极化性较低迁移离子与阴离子骨架间的结合能,进一步弱化对钠离子的束缚.随后,他们又通过在Na3 PSe4 中掺入Sb进一步扩大晶格体积来增大钠离子传输通道[53 ] [图2 (d)],通过固相法制得Na3 SbSe4 最大离子电导率为3.7×10-3 S/cm,活化能为0.19 eV.同期,Ceder等[54 ] 通过较低的烧结温度制备出Na3 PSe4 电解质,测得离子电导率为1.1×10-4 S/cm,之后他们[55 ] 又研究了Na3 PSx Se4- x 中Se的含量变化说明随着Se含量的增加,电解质Na3 PSx Se4- x 从四方相转变成立方相,并且离子电导率不断提升[图2 (e)~(f)],这种电导率的提高是由于结构中空位浓度的不断升高导致的.随后,Zeier等[56 ] 通过表征声速来探究晶格动力学对离子电导率的影响,声速测量结果表明随着Se的掺杂量的增加,阴离子骨架极化率不断增加进而导致晶格软化,这种软化既影响阿伦尼乌斯指前因子,也影响离子迁移的激活屏障.2016年,Chu等[42 ] 通过第一性原理发现Cl- 掺杂的四方相Na3 PS4 (t -Na3 PS4 )电解质t -Na3- x PS4- x Clx 的电导率可以进一步提升,理论计算结果表明当x =0.0625时t -Na2.9375 PS3.9375 Cl0.0625 室温离子电导率可达1.38×10-3 S/cm.并通过实验成功合成出t -Na2.9375 PS3.9375 Cl0.0625 测得室温电导率为1.14×10-3 S/cm.活化能为0.249 eV,并且使用该电解质组装的TiS2 /t -Na2.9375 PS3.9375 Cl0.0625 /Na全固态电池在室温下,以0.1 C倍率进行循环,10圈之后容量为80 mA· h/g.2019年,Hayashi等[57 ] 用1,2-二甲氧基乙烷(DME)作为媒介用溶液法合成了t -Na2.9375 PS3.9375 Cl0.0625 ,离子电导率为4.3×10-4 S/cm,并通过简单的液相法制备了均匀的复合电极,使电极与电解质颗粒之间的接触面积增大,从而提升了电池的循环性能. ...
Suspension synthesis of Na3- x PS4- x Clx solid electrolytes
1
2019
... 2015年,Zhang等[40 ] 将Na3 PS4 中的S用Se替代,使用固相法合成出Na3 PSe4 固态电解质,晶体结构如图2 (a)、2 (b)所示,P原子占据2a 位点,Se原子占据8c 位点,Na+ 离子在PSe4 组成的四面体中快速扩散.测得该化合物其室温离子电导率为1.16×10-3 S/cm,活化能为0.21 eV.之所以得到如此高的离子电导率有两个原因,其一是Se的原子半径比S大,使用Se代替S扩大了晶格体积,为Na+ 的传输创造了更广阔的空间,如图2 (c)所示.其二Se2- 的高极化性较低迁移离子与阴离子骨架间的结合能,进一步弱化对钠离子的束缚.随后,他们又通过在Na3 PSe4 中掺入Sb进一步扩大晶格体积来增大钠离子传输通道[53 ] [图2 (d)],通过固相法制得Na3 SbSe4 最大离子电导率为3.7×10-3 S/cm,活化能为0.19 eV.同期,Ceder等[54 ] 通过较低的烧结温度制备出Na3 PSe4 电解质,测得离子电导率为1.1×10-4 S/cm,之后他们[55 ] 又研究了Na3 PSx Se4- x 中Se的含量变化说明随着Se含量的增加,电解质Na3 PSx Se4- x 从四方相转变成立方相,并且离子电导率不断提升[图2 (e)~(f)],这种电导率的提高是由于结构中空位浓度的不断升高导致的.随后,Zeier等[56 ] 通过表征声速来探究晶格动力学对离子电导率的影响,声速测量结果表明随着Se的掺杂量的增加,阴离子骨架极化率不断增加进而导致晶格软化,这种软化既影响阿伦尼乌斯指前因子,也影响离子迁移的激活屏障.2016年,Chu等[42 ] 通过第一性原理发现Cl- 掺杂的四方相Na3 PS4 (t -Na3 PS4 )电解质t -Na3- x PS4- x Clx 的电导率可以进一步提升,理论计算结果表明当x =0.0625时t -Na2.9375 PS3.9375 Cl0.0625 室温离子电导率可达1.38×10-3 S/cm.并通过实验成功合成出t -Na2.9375 PS3.9375 Cl0.0625 测得室温电导率为1.14×10-3 S/cm.活化能为0.249 eV,并且使用该电解质组装的TiS2 /t -Na2.9375 PS3.9375 Cl0.0625 /Na全固态电池在室温下,以0.1 C倍率进行循环,10圈之后容量为80 mA· h/g.2019年,Hayashi等[57 ] 用1,2-二甲氧基乙烷(DME)作为媒介用溶液法合成了t -Na2.9375 PS3.9375 Cl0.0625 ,离子电导率为4.3×10-4 S/cm,并通过简单的液相法制备了均匀的复合电极,使电极与电解质颗粒之间的接触面积增大,从而提升了电池的循环性能. ...
X-ray crystal structure analysis of sodium-ion conductivity in 94Na3 PS4 ?6Na4 SiS4 glass-ceramic electrolytes
3
2014
... 除了阴离子掺杂,同样可以对硫化物中的Na或P原子进行掺杂或替代,以优化离子传输通道或晶体结构来获得更高效的离子传输.2014年,Hayashi等[35 ] 实验结果表明在Na3 PS4 中掺杂摩尔比为6%的Na4 SiS4 时其离子电导率明显提高,即名义成分为94 Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 时离子电导率达到7.4×10-4 S/cm,是母相Na3 PS4 的1.7倍[图3 (a)].立方相Na3 PS4 的电子密度分布显示Na+ 沿着Na1、Na2三维通道进行传输[58 ] ,XRD和Rietveld精修分析表明在94Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 中,Na2的占比大于Na3 PS4 ,这可能是导致电导率提升的主要原因.2015年,Ong等[59 ] 通过第一性原理发现纯的c -Na3 PS4 是一种极差的钠离子导体,而引入过量的Na+ 才是获得合理的Na+ 导电性的关键[图3 (b)].分子动力学模拟预测了用M4+ (M=Si、Ge、Sn)替代c -Na3 PS4 中的P5+ 得到Na3+ x Mx P1- x S4 (M=Si、Ge、Sn时,x =0.0625;M=Si时,x =0.125)的离子电导率,结果表明当在c -Na3 PS4 中掺杂6.25%的Sn时具有最高电导率,达到1.07×10-2 S/cm,即通过异价掺杂获得了间隙Na+ 使得电导率提高.拓扑和范霍夫相关函数分析表明,Na+ 运动中的通道体积和联系可能对提高Na+ 在该结构中的电导率起到重要作用.2017年,Adams等[37 ] 通过球磨和退火的方法合成了Na3+ x Mx P1- x S4 (M=Ge、Ti、Sn,x =0、0.1),其中Sn掺杂的Na3.1 Sn0.1 P0.1 S4 的电导率最高,达到2.5×10-4 S/cm,活化能为0.18 eV,与其计算机模拟结果相一致. ...
... [
58 ];
(b) 立方相
Na3 PS4 晶体结构与间隙钠离子
[59 ] ;
(c) Na3 P3- x Asx S4 室温离子电导率随
x 的变化
(i) 与
Na3 P0.62 As0.38 S4 Arrhenius 图
(ii) [36 ] ;
(d) c -Na3-2 x Cax PS4 室温离子电导率与活化能随
x 的变化
[61 ] (a) room temperature ion conductivity of (100 -x )Na3 PS4 ∙x Na4 SiS4 glass-ceramic[58 ] ; (b) crystal structure of cubic Na3 PS4 (left panel) and the interstitial sodium ions (right panel) [59 ] ; (c) room temperature ion conductivity of Na3 P0.62 As0.38 S4 (i) and Arrhenius plots and the corresponding impedance plots of Na3 P0.62 As0.38 S4 (ii) [36 ] ; (d) room temperature ion conductivity and activation energy of cubic Na3 - 2 x Cax PS4 as a function of x [61 ] Fig.3 ![]()
2017年,Liu等[36 ] 通过机械化学合成的方法制备出Na3 P0.62 As0.38 S4 电解质[图3 (c)],测得室温离子电导率为1.46×10-3 S/cm;相比Na3 PS4 ,Na3 P0.62 As0.38 S4 在干燥空气中很稳定,在湿度为15%的空气中暴露100 h后XRD显示没有新物质的生成,这是由于与P—O相比,As—O的亲和力较弱,因此不易形成水合物[60 ] .2018年,Lee等[61 ] 合成出Ca2+ 掺杂的c -Na3-2 x Cax PS4 ,当x =0.135时离子电导率最高[如图3 (d)],达到1×10-3 S/cm.电导率的提升是由于Ca2+ 掺杂形成了Na+ 空位并使得Na3 PS4 由四方相向立方相转变.总之,对Na3 PS4 的掺杂引入了Na+ 空位或间隙,能够有效提高电解质的离子电导率. ...
... [
58 ]
; (b) crystal structure of cubic Na3 PS4 (left panel) and the interstitial sodium ions (right panel) [59 ] ; (c) room temperature ion conductivity of Na3 P0.62 As0.38 S4 (i) and Arrhenius plots and the corresponding impedance plots of Na3 P0.62 As0.38 S4 (ii) [36 ] ; (d) room temperature ion conductivity and activation energy of cubic Na3 - 2 x Cax PS4 as a function of x [61 ] Fig.3 ![]()
2017年,Liu等[36 ] 通过机械化学合成的方法制备出Na3 P0.62 As0.38 S4 电解质[图3 (c)],测得室温离子电导率为1.46×10-3 S/cm;相比Na3 PS4 ,Na3 P0.62 As0.38 S4 在干燥空气中很稳定,在湿度为15%的空气中暴露100 h后XRD显示没有新物质的生成,这是由于与P—O相比,As—O的亲和力较弱,因此不易形成水合物[60 ] .2018年,Lee等[61 ] 合成出Ca2+ 掺杂的c -Na3-2 x Cax PS4 ,当x =0.135时离子电导率最高[如图3 (d)],达到1×10-3 S/cm.电导率的提升是由于Ca2+ 掺杂形成了Na+ 空位并使得Na3 PS4 由四方相向立方相转变.总之,对Na3 PS4 的掺杂引入了Na+ 空位或间隙,能够有效提高电解质的离子电导率. ...
Role of Na+ interstitials and dopants in enhancing the Na+ conductivity of the cubic Na3 PS4 superionic conductor
3
2015
... 除了阴离子掺杂,同样可以对硫化物中的Na或P原子进行掺杂或替代,以优化离子传输通道或晶体结构来获得更高效的离子传输.2014年,Hayashi等[35 ] 实验结果表明在Na3 PS4 中掺杂摩尔比为6%的Na4 SiS4 时其离子电导率明显提高,即名义成分为94 Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 时离子电导率达到7.4×10-4 S/cm,是母相Na3 PS4 的1.7倍[图3 (a)].立方相Na3 PS4 的电子密度分布显示Na+ 沿着Na1、Na2三维通道进行传输[58 ] ,XRD和Rietveld精修分析表明在94Na3 PS4 ∙6Na4 SiS4 中,Na2的占比大于Na3 PS4 ,这可能是导致电导率提升的主要原因.2015年,Ong等[59 ] 通过第一性原理发现纯的c -Na3 PS4 是一种极差的钠离子导体,而引入过量的Na+ 才是获得合理的Na+ 导电性的关键[图3 (b)].分子动力学模拟预测了用M4+ (M=Si、Ge、Sn)替代c -Na3 PS4 中的P5+ 得到Na3+ x Mx P1- x S4 (M=Si、Ge、Sn时,x =0.0625;M=Si时,x =0.125)的离子电导率,结果表明当在c -Na3 PS4 中掺杂6.25%的Sn时具有最高电导率,达到1.07×10-2 S/cm,即通过异价掺杂获得了间隙Na+ 使得电导率提高.拓扑和范霍夫相关函数分析表明,Na+ 运动中的通道体积和联系可能对提高Na+ 在该结构中的电导率起到重要作用.2017年,Adams等[37 ] 通过球磨和退火的方法合成了Na3+ x Mx P1- x S4 (M=Ge、Ti、Sn,x =0、0.1),其中Sn掺杂的Na3.1 Sn0.1 P0.1 S4 的电导率最高,达到2.5×10-4 S/cm,活化能为0.18 eV,与其计算机模拟结果相一致. ...
... [
59 ];
(c) Na3 P3- x Asx S4 室温离子电导率随
x 的变化
(i) 与
Na3 P0.62 As0.38 S4 Arrhenius 图
(ii) [36 ] ;
(d) c -Na3-2 x Cax PS4 室温离子电导率与活化能随
x 的变化
[61 ] (a) room temperature ion conductivity of (100 -x )Na3 PS4 ∙x Na4 SiS4 glass-ceramic[58 ] ; (b) crystal structure of cubic Na3 PS4 (left panel) and the interstitial sodium ions (right panel) [59 ] ; (c) room temperature ion conductivity of Na3 P0.62 As0.38 S4 (i) and Arrhenius plots and the corresponding impedance plots of Na3 P0.62 As0.38 S4 (ii) [36 ] ; (d) room temperature ion conductivity and activation energy of cubic Na3 - 2 x Cax PS4 as a function of x [61 ] Fig.3 ![]()
2017年,Liu等[36 ] 通过机械化学合成的方法制备出Na3 P0.62 As0.38 S4 电解质[图3 (c)],测得室温离子电导率为1.46×10-3 S/cm;相比Na3 PS4 ,Na3 P0.62 As0.38 S4 在干燥空气中很稳定,在湿度为15%的空气中暴露100 h后XRD显示没有新物质的生成,这是由于与P—O相比,As—O的亲和力较弱,因此不易形成水合物[60 ] .2018年,Lee等[61 ] 合成出Ca2+ 掺杂的c -Na3-2 x Cax PS4 ,当x =0.135时离子电导率最高[如图3 (d)],达到1×10-3 S/cm.电导率的提升是由于Ca2+ 掺杂形成了Na+ 空位并使得Na3 PS4 由四方相向立方相转变.总之,对Na3 PS4 的掺杂引入了Na+ 空位或间隙,能够有效提高电解质的离子电导率. ...
... [
59 ]
; (c) room temperature ion conductivity of Na3 P0.62 As0.38 S4 (i) and Arrhenius plots and the corresponding impedance plots of Na3 P0.62 As0.38 S4 (ii) [36 ] ; (d) room temperature ion conductivity and activation energy of cubic Na3 - 2 x Cax PS4 as a function of x [61 ] Fig.3 ![]()
2017年,Liu等[36 ] 通过机械化学合成的方法制备出Na3 P0.62 As0.38 S4 电解质[图3 (c)],测得室温离子电导率为1.46×10-3 S/cm;相比Na3 PS4 ,Na3 P0.62 As0.38 S4 在干燥空气中很稳定,在湿度为15%的空气中暴露100 h后XRD显示没有新物质的生成,这是由于与P—O相比,As—O的亲和力较弱,因此不易形成水合物[60 ] .2018年,Lee等[61 ] 合成出Ca2+ 掺杂的c -Na3-2 x Cax PS4 ,当x =0.135时离子电导率最高[如图3 (d)],达到1×10-3 S/cm.电导率的提升是由于Ca2+ 掺杂形成了Na+ 空位并使得Na3 PS4 由四方相向立方相转变.总之,对Na3 PS4 的掺杂引入了Na+ 空位或间隙,能够有效提高电解质的离子电导率. ...
Origin of outstanding phase and moisture stability in a Na3 P1- x Asx S4 superionic conductor
1
2017
... 2017年,Liu等[36 ] 通过机械化学合成的方法制备出Na3 P0.62 As0.38 S4 电解质[图3 (c)],测得室温离子电导率为1.46×10-3 S/cm;相比Na3 PS4 ,Na3 P0.62 As0.38 S4 在干燥空气中很稳定,在湿度为15%的空气中暴露100 h后XRD显示没有新物质的生成,这是由于与P—O相比,As—O的亲和力较弱,因此不易形成水合物[60 ] .2018年,Lee等[61 ] 合成出Ca2+ 掺杂的c -Na3-2 x Cax PS4 ,当x =0.135时离子电导率最高[如图3 (d)],达到1×10-3 S/cm.电导率的提升是由于Ca2+ 掺杂形成了Na+ 空位并使得Na3 PS4 由四方相向立方相转变.总之,对Na3 PS4 的掺杂引入了Na+ 空位或间隙,能够有效提高电解质的离子电导率. ...
Vacancy-driven Na+ superionic conduction in new Ca-doped Na3 PS4 for all-solid-state Na-ion batteries
4
2018
... 除了阴离子掺杂,同样可以对硫化物中的Na或P原子进行掺杂或替代,以优化离子传输通道或晶体结构来获得更高效的离子传输.2014年,Hayashi等
[35 ] 实验结果表明在Na
3 PS
4 中掺杂摩尔比为6%的Na
4 SiS
4 时其离子电导率明显提高,即名义成分为94 Na
3 PS
4 ∙6Na
4 SiS
4 时离子电导率达到7.4×10
-4 S/cm,是母相Na
3 PS
4 的1.7倍[
图3 (a)].立方相Na
3 PS
4 的电子密度分布显示Na
+ 沿着Na1、Na2三维通道进行传输
[58 ] ,XRD和Rietveld精修分析表明在94Na
3 PS
4 ∙6Na
4 SiS
4 中,Na2的占比大于Na
3 PS
4 ,这可能是导致电导率提升的主要原因.2015年,Ong等
[59 ] 通过第一性原理发现纯的
c -Na
3 PS
4 是一种极差的钠离子导体,而引入过量的Na
+ 才是获得合理的Na
+ 导电性的关键[
图3 (b)].分子动力学模拟预测了用M
4+ (M=Si、Ge、Sn)替代
c -Na
3 PS
4 中的P
5+ 得到Na
3+ x M
x P
1- x S
4 (M=Si、Ge、Sn时,
x =0.0625;M=Si时,
x =0.125)的离子电导率,结果表明当在
c -Na
3 PS
4 中掺杂6.25%的Sn时具有最高电导率,达到1.07×10
-2 S/cm,即通过异价掺杂获得了间隙Na
+ 使得电导率提高.拓扑和范霍夫相关函数分析表明,Na
+ 运动中的通道体积和联系可能对提高Na
+ 在该结构中的电导率起到重要作用.2017年,Adams等
[37 ] 通过球磨和退火的方法合成了Na
3+ x M
x P
1- x S
4 (M=Ge、Ti、Sn,
x =0、0.1),其中Sn掺杂的Na
3.1 Sn
0.1 P
0.1 S
4 的电导率最高,达到2.5×10
-4 S/cm,活化能为0.18 eV,与其计算机模拟结果相一致.
图3 (a) (100 -x )Na3 PS4 ∙x Na4 SiS4 玻璃- 陶瓷相室温离子电导率[58 ] ;(b) 立方相Na3 PS4 晶体结构与间隙钠离子[59 ] ;(c) Na3 P3- x Asx S4 室温离子电导率随x 的变化(i) 与Na3 P0.62 As0.38 S4 Arrhenius 图(ii) [36 ] ;(d) c -Na3-2 x Cax PS4 室温离子电导率与活化能随x 的变化[61 ] (a) room temperature ion conductivity of (100 -x )Na3 PS4 ∙x Na4 SiS4 glass-ceramic[58 ] ; (b) crystal structure of cubic Na3 PS4 (left panel) and the interstitial sodium ions (right panel) [59 ] ; (c) room temperature ion conductivity of Na3 P0.62 As0.38 S4 (i) and Arrhenius plots and the corresponding impedance plots of Na3 P0.62 As0.38 S4 (ii) [36 ] ; (d) room temperature ion conductivity and activation energy of cubic Na3 - 2 x Cax PS4 as a function of x [61 ] Fig.3 ![]()
2017年,Liu等[36 ] 通过机械化学合成的方法制备出Na3 P0.62 As0.38 S4 电解质[图3 (c)],测得室温离子电导率为1.46×10-3 S/cm;相比Na3 PS4 ,Na3 P0.62 As0.38 S4 在干燥空气中很稳定,在湿度为15%的空气中暴露100 h后XRD显示没有新物质的生成,这是由于与P—O相比,As—O的亲和力较弱,因此不易形成水合物[60 ] .2018年,Lee等[61 ] 合成出Ca2+ 掺杂的c -Na3-2 x Cax PS4 ,当x =0.135时离子电导率最高[如图3 (d)],达到1×10-3 S/cm.电导率的提升是由于Ca2+ 掺杂形成了Na+ 空位并使得Na3 PS4 由四方相向立方相转变.总之,对Na3 PS4 的掺杂引入了Na+ 空位或间隙,能够有效提高电解质的离子电导率. ...
... [
61 ]
Fig.3 ![]()
2017年,Liu等[36 ] 通过机械化学合成的方法制备出Na3 P0.62 As0.38 S4 电解质[图3 (c)],测得室温离子电导率为1.46×10-3 S/cm;相比Na3 PS4 ,Na3 P0.62 As0.38 S4 在干燥空气中很稳定,在湿度为15%的空气中暴露100 h后XRD显示没有新物质的生成,这是由于与P—O相比,As—O的亲和力较弱,因此不易形成水合物[60 ] .2018年,Lee等[61 ] 合成出Ca2+ 掺杂的c -Na3-2 x Cax PS4 ,当x =0.135时离子电导率最高[如图3 (d)],达到1×10-3 S/cm.电导率的提升是由于Ca2+ 掺杂形成了Na+ 空位并使得Na3 PS4 由四方相向立方相转变.总之,对Na3 PS4 的掺杂引入了Na+ 空位或间隙,能够有效提高电解质的离子电导率. ...
... 2017年,Liu等[36 ] 通过机械化学合成的方法制备出Na3 P0.62 As0.38 S4 电解质[图3 (c)],测得室温离子电导率为1.46×10-3 S/cm;相比Na3 PS4 ,Na3 P0.62 As0.38 S4 在干燥空气中很稳定,在湿度为15%的空气中暴露100 h后XRD显示没有新物质的生成,这是由于与P—O相比,As—O的亲和力较弱,因此不易形成水合物[60 ] .2018年,Lee等[61 ] 合成出Ca2+ 掺杂的c -Na3-2 x Cax PS4 ,当x =0.135时离子电导率最高[如图3 (d)],达到1×10-3 S/cm.电导率的提升是由于Ca2+ 掺杂形成了Na+ 空位并使得Na3 PS4 由四方相向立方相转变.总之,对Na3 PS4 的掺杂引入了Na+ 空位或间隙,能够有效提高电解质的离子电导率. ...
... I 43m
6.9768 1.40 0.346 Na2 S+P2 S5 +CaS;500 r/min球磨5 h→700 ℃退火12 h 提高钠离子空位 [61 ] Na3 SbS4 Tetragonal ...
Solid electrolytes and interfaces in all-solid-state sodium batteries: Progress and perspective
1
2018
... 针对Na3 PS4 的掺杂研究是钠离子硫化物电解质体系中最全面的(表1 ),对其总结后可以得出,在晶体中引入钠空位或间隙是提高离子电导率最有效的方法,无论是阳离子还是阴离子掺杂.此外,适当的块体烧结温度,或从玻璃前驱体析出高导电性晶体也可以获得高的离子电导[62 ] .Na3 PS4 还表现出与金属钠或钠合金的良好兼容性,但是其空气稳定性有待提高.下一步希望在保持高离子电导率的基础上,发展增强化学稳定性的方法,例如掺杂、复合、包覆等,以期实现更好的应用前景. ...
Na3 SbS4 : A solution processable sodium superionic conductor for all-solid-state sodium-ion batteries
4
2016
1.10 0.200 Na2 S+Sb2 S3 +S;550 ℃烧结→甲醇/水溶液法 [63 ] Na3 SbS4 Tetragonal ...
... Na3 SbS4 是另一种有趣的钠离子硫化物电解质,它不仅具有该体系最高的离子电导率,还能在水中形成稳定的水合物,而不是水解产生硫化氢.其晶体结构与Na3 PS4 相似,拥有三维离子扩散通道.2016年,Zhang等[41 ] 首次报道了一种室温离子电导率高达3×10-3 S/cm的电解质Na3 SbS4 ,其活化能为0.25 eV.该电解质结构如图4 (a)所示,拥有四方相的晶体结构,Rietveld精修发现Na2位点存在20%的钠空位,而不是完全填满钠原子,整个结构中包含2.5%的钠离子空位.结合理论模拟和实验分析,他们研究了立方和四方相对Na3 SbS4 离子迁移的影响[38 ] ,发现立方相能适当提高离子电导率,但数值都在同一数量级上.此外,该电解质在干燥空气中很稳定,在空气湿度为65%的条件下暴露5 h后形成了Na3 SbS4 ∙9H2 O,继续将其在100 °C下加热5 h后脱水恢复为Na3 SbS4 ,这种特质为水溶液法合成提供了基础.同年Hong和Jung等[63 ] 通过溶液法合成出Na3 SbS4 ,离子电导率为1×10-4 ~3×10-4 S/cm,活化能为0.2 eV,并成功将其包覆在活性材料表面[图4 (b)],电池性能较机械混合的正极有了显著提高.Na3 SbS4 优秀的空气稳定性可以通过“软硬酸碱理论”解释:Sb(一种比P更软的酸)与O(一种硬碱)的亲和力比P与O的亲和力低[64 ] .2018年,Zhang和Chen等[53 , 65 ] 用Se代替S制得Na3 SbSe4 ,Se的大原子半径实现了晶格尺寸的进一步增大[图4 (c)],其高极化性的特点削弱了Na+ 与[SbSe4 3- ]四面体间的结合力,制备得到立方相的Na3 SbSe4 ,其电导率达到8.5×10-4 S/cm,活化能为0.193 eV.之后,Wang等[66 ] 通过固液融合技术成了纳米级Na3 SbS3.75 Se0.25 ,该技术结合了液相反应可以得到小粒径和固相反应达到高离子电导率的特点,其室温离子电导率为4.4×10-3 S/cm,活化能为21.73 kJ/mol. ...
... [
63 ];
(c) Na3 SbSe4 - x Sx 晶胞参数随
x 的变化
[65 ] ;
(d) Na4- x Sn1 - x Sbx S4 的晶体结构示意图
[67 ] ;
(e) 各种钠离子导体的
Arrhenius 图
[69 ] (a) crystal structure of Na3 SbS4 [41 ] ; (b) SEM image of Na3 SbS4 coated NaCrO2 [63 ] ; (c) lattice parameters of Na3 SbSe4 - x Sx as function of x [65 ] ; (d) crystal structure of Na4 - x Sn1 - x Sbx S4 [67 ] ; (e) arrhenius diagrams of various sodium-ion conductors [69 ] Fig.4 ![]()
2018年,Jung等[67 ] 发现一种新型电解质Na4- x Sn1- x Sbx S4 ,Sn和Sb共占8a 位[图4 (d)],虽然Na4 SnS4 的离子电导率非常低,接近绝缘体,且遇水分解,但掺入x =0.25的Sb后,离子电导率达到5.1×10-4 S/cm,且在干燥空气中能稳定至少24 h.2019年,Zhang等[68 ] 实验研究了在Na3 SbS4 中掺入二价阳离子Yb、Mg和三价的Al进入Na位,试图改变其晶体结构,构建更适合钠离子传输的通道,但是实验结果表明很难掺杂成功,不能有效提高离子电导率.Hayashi等[69 ] 报道了W掺杂的Na2.88 Sb0.88 W0.12 S4 ,将该电解质在1080 MPa 的压力下275 °C加热1.5 h后的电导率为1.7×10-2 S/cm,活化能为19 kJ/mol,当加热12 h后,离子电导率高达3.2×10-2 S/cm,活化能降为17 kJ/mol,成为目前已知的室温离子电导率最高的硫化物电解质[图4 (e)].同期,Zeier等[70 ] 也报道Na2.9 Sb0.9 W0.1 S4 室温离子电导率为(41±8)×10-3 S/cm.空位浓度的增加导致离子电导率提高了几个数量级.Hayashi等[71 ] 还报道了使用液相法合成了具有优异化学稳定性的电解质Na2.88 Sb0.88 W0.12 S4 ,室温离子电导率为4.28×10-3 S/cm. ...
... [
63 ]
; (c) lattice parameters of Na3 SbSe4 - x Sx as function of x [65 ] ; (d) crystal structure of Na4 - x Sn1 - x Sbx S4 [67 ] ; (e) arrhenius diagrams of various sodium-ion conductors [69 ] Fig.4 ![]()
2018年,Jung等[67 ] 发现一种新型电解质Na4- x Sn1- x Sbx S4 ,Sn和Sb共占8a 位[图4 (d)],虽然Na4 SnS4 的离子电导率非常低,接近绝缘体,且遇水分解,但掺入x =0.25的Sb后,离子电导率达到5.1×10-4 S/cm,且在干燥空气中能稳定至少24 h.2019年,Zhang等[68 ] 实验研究了在Na3 SbS4 中掺入二价阳离子Yb、Mg和三价的Al进入Na位,试图改变其晶体结构,构建更适合钠离子传输的通道,但是实验结果表明很难掺杂成功,不能有效提高离子电导率.Hayashi等[69 ] 报道了W掺杂的Na2.88 Sb0.88 W0.12 S4 ,将该电解质在1080 MPa 的压力下275 °C加热1.5 h后的电导率为1.7×10-2 S/cm,活化能为19 kJ/mol,当加热12 h后,离子电导率高达3.2×10-2 S/cm,活化能降为17 kJ/mol,成为目前已知的室温离子电导率最高的硫化物电解质[图4 (e)].同期,Zeier等[70 ] 也报道Na2.9 Sb0.9 W0.1 S4 室温离子电导率为(41±8)×10-3 S/cm.空位浓度的增加导致离子电导率提高了几个数量级.Hayashi等[71 ] 还报道了使用液相法合成了具有优异化学稳定性的电解质Na2.88 Sb0.88 W0.12 S4 ,室温离子电导率为4.28×10-3 S/cm. ...
An air-stable Na3 SbS4 superionic conductor prepared by a rapid and economic synthetic procedure
2
2016
1.05 0.220 Na3 SbS4 · 9H2 O;150 ℃1 h脱水 [64 ] Na2.88 Sb0.88 W0.12 S4 Cubic ...
... Na3 SbS4 是另一种有趣的钠离子硫化物电解质,它不仅具有该体系最高的离子电导率,还能在水中形成稳定的水合物,而不是水解产生硫化氢.其晶体结构与Na3 PS4 相似,拥有三维离子扩散通道.2016年,Zhang等[41 ] 首次报道了一种室温离子电导率高达3×10-3 S/cm的电解质Na3 SbS4 ,其活化能为0.25 eV.该电解质结构如图4 (a)所示,拥有四方相的晶体结构,Rietveld精修发现Na2位点存在20%的钠空位,而不是完全填满钠原子,整个结构中包含2.5%的钠离子空位.结合理论模拟和实验分析,他们研究了立方和四方相对Na3 SbS4 离子迁移的影响[38 ] ,发现立方相能适当提高离子电导率,但数值都在同一数量级上.此外,该电解质在干燥空气中很稳定,在空气湿度为65%的条件下暴露5 h后形成了Na3 SbS4 ∙9H2 O,继续将其在100 °C下加热5 h后脱水恢复为Na3 SbS4 ,这种特质为水溶液法合成提供了基础.同年Hong和Jung等[63 ] 通过溶液法合成出Na3 SbS4 ,离子电导率为1×10-4 ~3×10-4 S/cm,活化能为0.2 eV,并成功将其包覆在活性材料表面[图4 (b)],电池性能较机械混合的正极有了显著提高.Na3 SbS4 优秀的空气稳定性可以通过“软硬酸碱理论”解释:Sb(一种比P更软的酸)与O(一种硬碱)的亲和力比P与O的亲和力低[64 ] .2018年,Zhang和Chen等[53 , 65 ] 用Se代替S制得Na3 SbSe4 ,Se的大原子半径实现了晶格尺寸的进一步增大[图4 (c)],其高极化性的特点削弱了Na+ 与[SbSe4 3- ]四面体间的结合力,制备得到立方相的Na3 SbSe4 ,其电导率达到8.5×10-4 S/cm,活化能为0.193 eV.之后,Wang等[66 ] 通过固液融合技术成了纳米级Na3 SbS3.75 Se0.25 ,该技术结合了液相反应可以得到小粒径和固相反应达到高离子电导率的特点,其室温离子电导率为4.4×10-3 S/cm,活化能为21.73 kJ/mol. ...
Na3 SbSe4- x Sx as sodium superionic conductors
3
2018
... Na3 SbS4 是另一种有趣的钠离子硫化物电解质,它不仅具有该体系最高的离子电导率,还能在水中形成稳定的水合物,而不是水解产生硫化氢.其晶体结构与Na3 PS4 相似,拥有三维离子扩散通道.2016年,Zhang等[41 ] 首次报道了一种室温离子电导率高达3×10-3 S/cm的电解质Na3 SbS4 ,其活化能为0.25 eV.该电解质结构如图4 (a)所示,拥有四方相的晶体结构,Rietveld精修发现Na2位点存在20%的钠空位,而不是完全填满钠原子,整个结构中包含2.5%的钠离子空位.结合理论模拟和实验分析,他们研究了立方和四方相对Na3 SbS4 离子迁移的影响[38 ] ,发现立方相能适当提高离子电导率,但数值都在同一数量级上.此外,该电解质在干燥空气中很稳定,在空气湿度为65%的条件下暴露5 h后形成了Na3 SbS4 ∙9H2 O,继续将其在100 °C下加热5 h后脱水恢复为Na3 SbS4 ,这种特质为水溶液法合成提供了基础.同年Hong和Jung等[63 ] 通过溶液法合成出Na3 SbS4 ,离子电导率为1×10-4 ~3×10-4 S/cm,活化能为0.2 eV,并成功将其包覆在活性材料表面[图4 (b)],电池性能较机械混合的正极有了显著提高.Na3 SbS4 优秀的空气稳定性可以通过“软硬酸碱理论”解释:Sb(一种比P更软的酸)与O(一种硬碱)的亲和力比P与O的亲和力低[64 ] .2018年,Zhang和Chen等[53 , 65 ] 用Se代替S制得Na3 SbSe4 ,Se的大原子半径实现了晶格尺寸的进一步增大[图4 (c)],其高极化性的特点削弱了Na+ 与[SbSe4 3- ]四面体间的结合力,制备得到立方相的Na3 SbSe4 ,其电导率达到8.5×10-4 S/cm,活化能为0.193 eV.之后,Wang等[66 ] 通过固液融合技术成了纳米级Na3 SbS3.75 Se0.25 ,该技术结合了液相反应可以得到小粒径和固相反应达到高离子电导率的特点,其室温离子电导率为4.4×10-3 S/cm,活化能为21.73 kJ/mol. ...
... [
65 ];
(d) Na4- x Sn1 - x Sbx S4 的晶体结构示意图
[67 ] ;
(e) 各种钠离子导体的
Arrhenius 图
[69 ] (a) crystal structure of Na3 SbS4 [41 ] ; (b) SEM image of Na3 SbS4 coated NaCrO2 [63 ] ; (c) lattice parameters of Na3 SbSe4 - x Sx as function of x [65 ] ; (d) crystal structure of Na4 - x Sn1 - x Sbx S4 [67 ] ; (e) arrhenius diagrams of various sodium-ion conductors [69 ] Fig.4 ![]()
2018年,Jung等[67 ] 发现一种新型电解质Na4- x Sn1- x Sbx S4 ,Sn和Sb共占8a 位[图4 (d)],虽然Na4 SnS4 的离子电导率非常低,接近绝缘体,且遇水分解,但掺入x =0.25的Sb后,离子电导率达到5.1×10-4 S/cm,且在干燥空气中能稳定至少24 h.2019年,Zhang等[68 ] 实验研究了在Na3 SbS4 中掺入二价阳离子Yb、Mg和三价的Al进入Na位,试图改变其晶体结构,构建更适合钠离子传输的通道,但是实验结果表明很难掺杂成功,不能有效提高离子电导率.Hayashi等[69 ] 报道了W掺杂的Na2.88 Sb0.88 W0.12 S4 ,将该电解质在1080 MPa 的压力下275 °C加热1.5 h后的电导率为1.7×10-2 S/cm,活化能为19 kJ/mol,当加热12 h后,离子电导率高达3.2×10-2 S/cm,活化能降为17 kJ/mol,成为目前已知的室温离子电导率最高的硫化物电解质[图4 (e)].同期,Zeier等[70 ] 也报道Na2.9 Sb0.9 W0.1 S4 室温离子电导率为(41±8)×10-3 S/cm.空位浓度的增加导致离子电导率提高了几个数量级.Hayashi等[71 ] 还报道了使用液相法合成了具有优异化学稳定性的电解质Na2.88 Sb0.88 W0.12 S4 ,室温离子电导率为4.28×10-3 S/cm. ...
... [
65 ]
; (d) crystal structure of Na4 - x Sn1 - x Sbx S4 [67 ] ; (e) arrhenius diagrams of various sodium-ion conductors [69 ] Fig.4 ![]()
2018年,Jung等[67 ] 发现一种新型电解质Na4- x Sn1- x Sbx S4 ,Sn和Sb共占8a 位[图4 (d)],虽然Na4 SnS4 的离子电导率非常低,接近绝缘体,且遇水分解,但掺入x =0.25的Sb后,离子电导率达到5.1×10-4 S/cm,且在干燥空气中能稳定至少24 h.2019年,Zhang等[68 ] 实验研究了在Na3 SbS4 中掺入二价阳离子Yb、Mg和三价的Al进入Na位,试图改变其晶体结构,构建更适合钠离子传输的通道,但是实验结果表明很难掺杂成功,不能有效提高离子电导率.Hayashi等[69 ] 报道了W掺杂的Na2.88 Sb0.88 W0.12 S4 ,将该电解质在1080 MPa 的压力下275 °C加热1.5 h后的电导率为1.7×10-2 S/cm,活化能为19 kJ/mol,当加热12 h后,离子电导率高达3.2×10-2 S/cm,活化能降为17 kJ/mol,成为目前已知的室温离子电导率最高的硫化物电解质[图4 (e)].同期,Zeier等[70 ] 也报道Na2.9 Sb0.9 W0.1 S4 室温离子电导率为(41±8)×10-3 S/cm.空位浓度的增加导致离子电导率提高了几个数量级.Hayashi等[71 ] 还报道了使用液相法合成了具有优异化学稳定性的电解质Na2.88 Sb0.88 W0.12 S4 ,室温离子电导率为4.28×10-3 S/cm. ...
Grain-boundary-resistance-less Na3 SbS4- x Sex solid electrolytes for all-solid-state sodium batteries
1
2019
... Na3 SbS4 是另一种有趣的钠离子硫化物电解质,它不仅具有该体系最高的离子电导率,还能在水中形成稳定的水合物,而不是水解产生硫化氢.其晶体结构与Na3 PS4 相似,拥有三维离子扩散通道.2016年,Zhang等[41 ] 首次报道了一种室温离子电导率高达3×10-3 S/cm的电解质Na3 SbS4 ,其活化能为0.25 eV.该电解质结构如图4 (a)所示,拥有四方相的晶体结构,Rietveld精修发现Na2位点存在20%的钠空位,而不是完全填满钠原子,整个结构中包含2.5%的钠离子空位.结合理论模拟和实验分析,他们研究了立方和四方相对Na3 SbS4 离子迁移的影响[38 ] ,发现立方相能适当提高离子电导率,但数值都在同一数量级上.此外,该电解质在干燥空气中很稳定,在空气湿度为65%的条件下暴露5 h后形成了Na3 SbS4 ∙9H2 O,继续将其在100 °C下加热5 h后脱水恢复为Na3 SbS4 ,这种特质为水溶液法合成提供了基础.同年Hong和Jung等[63 ] 通过溶液法合成出Na3 SbS4 ,离子电导率为1×10-4 ~3×10-4 S/cm,活化能为0.2 eV,并成功将其包覆在活性材料表面[图4 (b)],电池性能较机械混合的正极有了显著提高.Na3 SbS4 优秀的空气稳定性可以通过“软硬酸碱理论”解释:Sb(一种比P更软的酸)与O(一种硬碱)的亲和力比P与O的亲和力低[64 ] .2018年,Zhang和Chen等[53 , 65 ] 用Se代替S制得Na3 SbSe4 ,Se的大原子半径实现了晶格尺寸的进一步增大[图4 (c)],其高极化性的特点削弱了Na+ 与[SbSe4 3- ]四面体间的结合力,制备得到立方相的Na3 SbSe4 ,其电导率达到8.5×10-4 S/cm,活化能为0.193 eV.之后,Wang等[66 ] 通过固液融合技术成了纳米级Na3 SbS3.75 Se0.25 ,该技术结合了液相反应可以得到小粒径和固相反应达到高离子电导率的特点,其室温离子电导率为4.4×10-3 S/cm,活化能为21.73 kJ/mol. ...
New Na-ion solid electrolytes Na4- x Sn1- x Sbx S4 (0.02≤x ≤0.33) for all-solid-state Na-ion batteries
3
2018
... Na
3 SbS
4 是另一种有趣的钠离子硫化物电解质,它不仅具有该体系最高的离子电导率,还能在水中形成稳定的水合物,而不是水解产生硫化氢.其晶体结构与Na
3 PS
4 相似,拥有三维离子扩散通道.2016年,Zhang等
[41 ] 首次报道了一种室温离子电导率高达3×10
-3 S/cm的电解质Na
3 SbS
4 ,其活化能为0.25 eV.该电解质结构如
图4 (a)所示,拥有四方相的晶体结构,Rietveld精修发现Na2位点存在20%的钠空位,而不是完全填满钠原子,整个结构中包含2.5%的钠离子空位.结合理论模拟和实验分析,他们研究了立方和四方相对Na
3 SbS
4 离子迁移的影响
[38 ] ,发现立方相能适当提高离子电导率,但数值都在同一数量级上.此外,该电解质在干燥空气中很稳定,在空气湿度为65%的条件下暴露5 h后形成了Na
3 SbS
4 ∙9H
2 O,继续将其在100 °C下加热5 h后脱水恢复为Na
3 SbS
4 ,这种特质为水溶液法合成提供了基础.同年Hong和Jung等
[63 ] 通过溶液法合成出Na
3 SbS
4 ,离子电导率为1×10
-4 ~3×10
-4 S/cm,活化能为0.2 eV,并成功将其包覆在活性材料表面[
图4 (b)],电池性能较机械混合的正极有了显著提高.Na
3 SbS
4 优秀的空气稳定性可以通过“软硬酸碱理论”解释:Sb(一种比P更软的酸)与O(一种硬碱)的亲和力比P与O的亲和力低
[64 ] .2018年,Zhang和Chen等
[53 , 65 ] 用Se代替S制得Na
3 SbSe
4 ,Se的大原子半径实现了晶格尺寸的进一步增大[
图4 (c)],其高极化性的特点削弱了Na
+ 与[SbSe
4 3- ]四面体间的结合力,制备得到立方相的Na
3 SbSe
4 ,其电导率达到8.5×10
-4 S/cm,活化能为0.193 eV.之后,Wang等
[66 ] 通过固液融合技术成了纳米级Na
3 SbS
3.75 Se
0.25 ,该技术结合了液相反应可以得到小粒径和固相反应达到高离子电导率的特点,其室温离子电导率为4.4×10
-3 S/cm,活化能为21.73 kJ/mol.
图4 (a) Na3 SbS4 的晶体结构[41 ] ;(b) Na3 SbS4 包覆NaCrO2 的SEM 图[63 ] ;(c) Na3 SbSe4 - x Sx 晶胞参数随x 的变化[65 ] ;(d) Na4- x Sn1 - x Sbx S4 的晶体结构示意图[67 ] ;(e) 各种钠离子导体的Arrhenius 图[69 ] (a) crystal structure of Na3 SbS4 [41 ] ; (b) SEM image of Na3 SbS4 coated NaCrO2 [63 ] ; (c) lattice parameters of Na3 SbSe4 - x Sx as function of x [65 ] ; (d) crystal structure of Na4 - x Sn1 - x Sbx S4 [67 ] ; (e) arrhenius diagrams of various sodium-ion conductors [69 ] Fig.4 ![]()
2018年,Jung等[67 ] 发现一种新型电解质Na4- x Sn1- x Sbx S4 ,Sn和Sb共占8a 位[图4 (d)],虽然Na4 SnS4 的离子电导率非常低,接近绝缘体,且遇水分解,但掺入x =0.25的Sb后,离子电导率达到5.1×10-4 S/cm,且在干燥空气中能稳定至少24 h.2019年,Zhang等[68 ] 实验研究了在Na3 SbS4 中掺入二价阳离子Yb、Mg和三价的Al进入Na位,试图改变其晶体结构,构建更适合钠离子传输的通道,但是实验结果表明很难掺杂成功,不能有效提高离子电导率.Hayashi等[69 ] 报道了W掺杂的Na2.88 Sb0.88 W0.12 S4 ,将该电解质在1080 MPa 的压力下275 °C加热1.5 h后的电导率为1.7×10-2 S/cm,活化能为19 kJ/mol,当加热12 h后,离子电导率高达3.2×10-2 S/cm,活化能降为17 kJ/mol,成为目前已知的室温离子电导率最高的硫化物电解质[图4 (e)].同期,Zeier等[70 ] 也报道Na2.9 Sb0.9 W0.1 S4 室温离子电导率为(41±8)×10-3 S/cm.空位浓度的增加导致离子电导率提高了几个数量级.Hayashi等[71 ] 还报道了使用液相法合成了具有优异化学稳定性的电解质Na2.88 Sb0.88 W0.12 S4 ,室温离子电导率为4.28×10-3 S/cm. ...
... [
67 ]
; (e) arrhenius diagrams of various sodium-ion conductors [69 ] Fig.4 ![]()
2018年,Jung等[67 ] 发现一种新型电解质Na4- x Sn1- x Sbx S4 ,Sn和Sb共占8a 位[图4 (d)],虽然Na4 SnS4 的离子电导率非常低,接近绝缘体,且遇水分解,但掺入x =0.25的Sb后,离子电导率达到5.1×10-4 S/cm,且在干燥空气中能稳定至少24 h.2019年,Zhang等[68 ] 实验研究了在Na3 SbS4 中掺入二价阳离子Yb、Mg和三价的Al进入Na位,试图改变其晶体结构,构建更适合钠离子传输的通道,但是实验结果表明很难掺杂成功,不能有效提高离子电导率.Hayashi等[69 ] 报道了W掺杂的Na2.88 Sb0.88 W0.12 S4 ,将该电解质在1080 MPa 的压力下275 °C加热1.5 h后的电导率为1.7×10-2 S/cm,活化能为19 kJ/mol,当加热12 h后,离子电导率高达3.2×10-2 S/cm,活化能降为17 kJ/mol,成为目前已知的室温离子电导率最高的硫化物电解质[图4 (e)].同期,Zeier等[70 ] 也报道Na2.9 Sb0.9 W0.1 S4 室温离子电导率为(41±8)×10-3 S/cm.空位浓度的增加导致离子电导率提高了几个数量级.Hayashi等[71 ] 还报道了使用液相法合成了具有优异化学稳定性的电解质Na2.88 Sb0.88 W0.12 S4 ,室温离子电导率为4.28×10-3 S/cm. ...
... 2018年,Jung等[67 ] 发现一种新型电解质Na4- x Sn1- x Sbx S4 ,Sn和Sb共占8a 位[图4 (d)],虽然Na4 SnS4 的离子电导率非常低,接近绝缘体,且遇水分解,但掺入x =0.25的Sb后,离子电导率达到5.1×10-4 S/cm,且在干燥空气中能稳定至少24 h.2019年,Zhang等[68 ] 实验研究了在Na3 SbS4 中掺入二价阳离子Yb、Mg和三价的Al进入Na位,试图改变其晶体结构,构建更适合钠离子传输的通道,但是实验结果表明很难掺杂成功,不能有效提高离子电导率.Hayashi等[69 ] 报道了W掺杂的Na2.88 Sb0.88 W0.12 S4 ,将该电解质在1080 MPa 的压力下275 °C加热1.5 h后的电导率为1.7×10-2 S/cm,活化能为19 kJ/mol,当加热12 h后,离子电导率高达3.2×10-2 S/cm,活化能降为17 kJ/mol,成为目前已知的室温离子电导率最高的硫化物电解质[图4 (e)].同期,Zeier等[70 ] 也报道Na2.9 Sb0.9 W0.1 S4 室温离子电导率为(41±8)×10-3 S/cm.空位浓度的增加导致离子电导率提高了几个数量级.Hayashi等[71 ] 还报道了使用液相法合成了具有优异化学稳定性的电解质Na2.88 Sb0.88 W0.12 S4 ,室温离子电导率为4.28×10-3 S/cm. ...
掺杂型 Na3 SbS4 钠离子固体电解质的制备与离子输运性能研究
1
2018
... 2018年,Jung等[67 ] 发现一种新型电解质Na4- x Sn1- x Sbx S4 ,Sn和Sb共占8a 位[图4 (d)],虽然Na4 SnS4 的离子电导率非常低,接近绝缘体,且遇水分解,但掺入x =0.25的Sb后,离子电导率达到5.1×10-4 S/cm,且在干燥空气中能稳定至少24 h.2019年,Zhang等[68 ] 实验研究了在Na3 SbS4 中掺入二价阳离子Yb、Mg和三价的Al进入Na位,试图改变其晶体结构,构建更适合钠离子传输的通道,但是实验结果表明很难掺杂成功,不能有效提高离子电导率.Hayashi等[69 ] 报道了W掺杂的Na2.88 Sb0.88 W0.12 S4 ,将该电解质在1080 MPa 的压力下275 °C加热1.5 h后的电导率为1.7×10-2 S/cm,活化能为19 kJ/mol,当加热12 h后,离子电导率高达3.2×10-2 S/cm,活化能降为17 kJ/mol,成为目前已知的室温离子电导率最高的硫化物电解质[图4 (e)].同期,Zeier等[70 ] 也报道Na2.9 Sb0.9 W0.1 S4 室温离子电导率为(41±8)×10-3 S/cm.空位浓度的增加导致离子电导率提高了几个数量级.Hayashi等[71 ] 还报道了使用液相法合成了具有优异化学稳定性的电解质Na2.88 Sb0.88 W0.12 S4 ,室温离子电导率为4.28×10-3 S/cm. ...
掺杂型 Na3 SbS4 钠离子固体电解质的制备与离子输运性能研究
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2018
... 2018年,Jung等[67 ] 发现一种新型电解质Na4- x Sn1- x Sbx S4 ,Sn和Sb共占8a 位[图4 (d)],虽然Na4 SnS4 的离子电导率非常低,接近绝缘体,且遇水分解,但掺入x =0.25的Sb后,离子电导率达到5.1×10-4 S/cm,且在干燥空气中能稳定至少24 h.2019年,Zhang等[68 ] 实验研究了在Na3 SbS4 中掺入二价阳离子Yb、Mg和三价的Al进入Na位,试图改变其晶体结构,构建更适合钠离子传输的通道,但是实验结果表明很难掺杂成功,不能有效提高离子电导率.Hayashi等[69 ] 报道了W掺杂的Na2.88 Sb0.88 W0.12 S4 ,将该电解质在1080 MPa 的压力下275 °C加热1.5 h后的电导率为1.7×10-2 S/cm,活化能为19 kJ/mol,当加热12 h后,离子电导率高达3.2×10-2 S/cm,活化能降为17 kJ/mol,成为目前已知的室温离子电导率最高的硫化物电解质[图4 (e)].同期,Zeier等[70 ] 也报道Na2.9 Sb0.9 W0.1 S4 室温离子电导率为(41±8)×10-3 S/cm.空位浓度的增加导致离子电导率提高了几个数量级.Hayashi等[71 ] 还报道了使用液相法合成了具有优异化学稳定性的电解质Na2.88 Sb0.88 W0.12 S4 ,室温离子电导率为4.28×10-3 S/cm. ...
A sodium-ion sulfide solid electrolyte with unprecedented conductivity at room temperature
4
2019
... 510 r/min球磨5 h/30 h→275 ℃退火
增大空位浓度,稳定立方相 [69 ] Na10 SnP2 S12 Tetragonal ...
... Na
3 SbS
4 是另一种有趣的钠离子硫化物电解质,它不仅具有该体系最高的离子电导率,还能在水中形成稳定的水合物,而不是水解产生硫化氢.其晶体结构与Na
3 PS
4 相似,拥有三维离子扩散通道.2016年,Zhang等
[41 ] 首次报道了一种室温离子电导率高达3×10
-3 S/cm的电解质Na
3 SbS
4 ,其活化能为0.25 eV.该电解质结构如
图4 (a)所示,拥有四方相的晶体结构,Rietveld精修发现Na2位点存在20%的钠空位,而不是完全填满钠原子,整个结构中包含2.5%的钠离子空位.结合理论模拟和实验分析,他们研究了立方和四方相对Na
3 SbS
4 离子迁移的影响
[38 ] ,发现立方相能适当提高离子电导率,但数值都在同一数量级上.此外,该电解质在干燥空气中很稳定,在空气湿度为65%的条件下暴露5 h后形成了Na
3 SbS
4 ∙9H
2 O,继续将其在100 °C下加热5 h后脱水恢复为Na
3 SbS
4 ,这种特质为水溶液法合成提供了基础.同年Hong和Jung等
[63 ] 通过溶液法合成出Na
3 SbS
4 ,离子电导率为1×10
-4 ~3×10
-4 S/cm,活化能为0.2 eV,并成功将其包覆在活性材料表面[
图4 (b)],电池性能较机械混合的正极有了显著提高.Na
3 SbS
4 优秀的空气稳定性可以通过“软硬酸碱理论”解释:Sb(一种比P更软的酸)与O(一种硬碱)的亲和力比P与O的亲和力低
[64 ] .2018年,Zhang和Chen等
[53 , 65 ] 用Se代替S制得Na
3 SbSe
4 ,Se的大原子半径实现了晶格尺寸的进一步增大[
图4 (c)],其高极化性的特点削弱了Na
+ 与[SbSe
4 3- ]四面体间的结合力,制备得到立方相的Na
3 SbSe
4 ,其电导率达到8.5×10
-4 S/cm,活化能为0.193 eV.之后,Wang等
[66 ] 通过固液融合技术成了纳米级Na
3 SbS
3.75 Se
0.25 ,该技术结合了液相反应可以得到小粒径和固相反应达到高离子电导率的特点,其室温离子电导率为4.4×10
-3 S/cm,活化能为21.73 kJ/mol.
图4 (a) Na3 SbS4 的晶体结构[41 ] ;(b) Na3 SbS4 包覆NaCrO2 的SEM 图[63 ] ;(c) Na3 SbSe4 - x Sx 晶胞参数随x 的变化[65 ] ;(d) Na4- x Sn1 - x Sbx S4 的晶体结构示意图[67 ] ;(e) 各种钠离子导体的Arrhenius 图[69 ] (a) crystal structure of Na3 SbS4 [41 ] ; (b) SEM image of Na3 SbS4 coated NaCrO2 [63 ] ; (c) lattice parameters of Na3 SbSe4 - x Sx as function of x [65 ] ; (d) crystal structure of Na4 - x Sn1 - x Sbx S4 [67 ] ; (e) arrhenius diagrams of various sodium-ion conductors [69 ] Fig.4 ![]()
2018年,Jung等[67 ] 发现一种新型电解质Na4- x Sn1- x Sbx S4 ,Sn和Sb共占8a 位[图4 (d)],虽然Na4 SnS4 的离子电导率非常低,接近绝缘体,且遇水分解,但掺入x =0.25的Sb后,离子电导率达到5.1×10-4 S/cm,且在干燥空气中能稳定至少24 h.2019年,Zhang等[68 ] 实验研究了在Na3 SbS4 中掺入二价阳离子Yb、Mg和三价的Al进入Na位,试图改变其晶体结构,构建更适合钠离子传输的通道,但是实验结果表明很难掺杂成功,不能有效提高离子电导率.Hayashi等[69 ] 报道了W掺杂的Na2.88 Sb0.88 W0.12 S4 ,将该电解质在1080 MPa 的压力下275 °C加热1.5 h后的电导率为1.7×10-2 S/cm,活化能为19 kJ/mol,当加热12 h后,离子电导率高达3.2×10-2 S/cm,活化能降为17 kJ/mol,成为目前已知的室温离子电导率最高的硫化物电解质[图4 (e)].同期,Zeier等[70 ] 也报道Na2.9 Sb0.9 W0.1 S4 室温离子电导率为(41±8)×10-3 S/cm.空位浓度的增加导致离子电导率提高了几个数量级.Hayashi等[71 ] 还报道了使用液相法合成了具有优异化学稳定性的电解质Na2.88 Sb0.88 W0.12 S4 ,室温离子电导率为4.28×10-3 S/cm. ...
... [
69 ]
Fig.4 ![]()
2018年,Jung等[67 ] 发现一种新型电解质Na4- x Sn1- x Sbx S4 ,Sn和Sb共占8a 位[图4 (d)],虽然Na4 SnS4 的离子电导率非常低,接近绝缘体,且遇水分解,但掺入x =0.25的Sb后,离子电导率达到5.1×10-4 S/cm,且在干燥空气中能稳定至少24 h.2019年,Zhang等[68 ] 实验研究了在Na3 SbS4 中掺入二价阳离子Yb、Mg和三价的Al进入Na位,试图改变其晶体结构,构建更适合钠离子传输的通道,但是实验结果表明很难掺杂成功,不能有效提高离子电导率.Hayashi等[69 ] 报道了W掺杂的Na2.88 Sb0.88 W0.12 S4 ,将该电解质在1080 MPa 的压力下275 °C加热1.5 h后的电导率为1.7×10-2 S/cm,活化能为19 kJ/mol,当加热12 h后,离子电导率高达3.2×10-2 S/cm,活化能降为17 kJ/mol,成为目前已知的室温离子电导率最高的硫化物电解质[图4 (e)].同期,Zeier等[70 ] 也报道Na2.9 Sb0.9 W0.1 S4 室温离子电导率为(41±8)×10-3 S/cm.空位浓度的增加导致离子电导率提高了几个数量级.Hayashi等[71 ] 还报道了使用液相法合成了具有优异化学稳定性的电解质Na2.88 Sb0.88 W0.12 S4 ,室温离子电导率为4.28×10-3 S/cm. ...
... 2018年,Jung等[67 ] 发现一种新型电解质Na4- x Sn1- x Sbx S4 ,Sn和Sb共占8a 位[图4 (d)],虽然Na4 SnS4 的离子电导率非常低,接近绝缘体,且遇水分解,但掺入x =0.25的Sb后,离子电导率达到5.1×10-4 S/cm,且在干燥空气中能稳定至少24 h.2019年,Zhang等[68 ] 实验研究了在Na3 SbS4 中掺入二价阳离子Yb、Mg和三价的Al进入Na位,试图改变其晶体结构,构建更适合钠离子传输的通道,但是实验结果表明很难掺杂成功,不能有效提高离子电导率.Hayashi等[69 ] 报道了W掺杂的Na2.88 Sb0.88 W0.12 S4 ,将该电解质在1080 MPa 的压力下275 °C加热1.5 h后的电导率为1.7×10-2 S/cm,活化能为19 kJ/mol,当加热12 h后,离子电导率高达3.2×10-2 S/cm,活化能降为17 kJ/mol,成为目前已知的室温离子电导率最高的硫化物电解质[图4 (e)].同期,Zeier等[70 ] 也报道Na2.9 Sb0.9 W0.1 S4 室温离子电导率为(41±8)×10-3 S/cm.空位浓度的增加导致离子电导率提高了几个数量级.Hayashi等[71 ] 还报道了使用液相法合成了具有优异化学稳定性的电解质Na2.88 Sb0.88 W0.12 S4 ,室温离子电导率为4.28×10-3 S/cm. ...
Defect-mediated conductivity enhancements in Na3– x Pn1– x Wx S4 (Pn=P, Sb) using aliovalent substi-tutions
1
2019
... 2018年,Jung等[67 ] 发现一种新型电解质Na4- x Sn1- x Sbx S4 ,Sn和Sb共占8a 位[图4 (d)],虽然Na4 SnS4 的离子电导率非常低,接近绝缘体,且遇水分解,但掺入x =0.25的Sb后,离子电导率达到5.1×10-4 S/cm,且在干燥空气中能稳定至少24 h.2019年,Zhang等[68 ] 实验研究了在Na3 SbS4 中掺入二价阳离子Yb、Mg和三价的Al进入Na位,试图改变其晶体结构,构建更适合钠离子传输的通道,但是实验结果表明很难掺杂成功,不能有效提高离子电导率.Hayashi等[69 ] 报道了W掺杂的Na2.88 Sb0.88 W0.12 S4 ,将该电解质在1080 MPa 的压力下275 °C加热1.5 h后的电导率为1.7×10-2 S/cm,活化能为19 kJ/mol,当加热12 h后,离子电导率高达3.2×10-2 S/cm,活化能降为17 kJ/mol,成为目前已知的室温离子电导率最高的硫化物电解质[图4 (e)].同期,Zeier等[70 ] 也报道Na2.9 Sb0.9 W0.1 S4 室温离子电导率为(41±8)×10-3 S/cm.空位浓度的增加导致离子电导率提高了几个数量级.Hayashi等[71 ] 还报道了使用液相法合成了具有优异化学稳定性的电解质Na2.88 Sb0.88 W0.12 S4 ,室温离子电导率为4.28×10-3 S/cm. ...
Aqueous solution synthesis of Na3 SbS4 -Na2 WS4 superionic conductors
1
2020
... 2018年,Jung等[67 ] 发现一种新型电解质Na4- x Sn1- x Sbx S4 ,Sn和Sb共占8a 位[图4 (d)],虽然Na4 SnS4 的离子电导率非常低,接近绝缘体,且遇水分解,但掺入x =0.25的Sb后,离子电导率达到5.1×10-4 S/cm,且在干燥空气中能稳定至少24 h.2019年,Zhang等[68 ] 实验研究了在Na3 SbS4 中掺入二价阳离子Yb、Mg和三价的Al进入Na位,试图改变其晶体结构,构建更适合钠离子传输的通道,但是实验结果表明很难掺杂成功,不能有效提高离子电导率.Hayashi等[69 ] 报道了W掺杂的Na2.88 Sb0.88 W0.12 S4 ,将该电解质在1080 MPa 的压力下275 °C加热1.5 h后的电导率为1.7×10-2 S/cm,活化能为19 kJ/mol,当加热12 h后,离子电导率高达3.2×10-2 S/cm,活化能降为17 kJ/mol,成为目前已知的室温离子电导率最高的硫化物电解质[图4 (e)].同期,Zeier等[70 ] 也报道Na2.9 Sb0.9 W0.1 S4 室温离子电导率为(41±8)×10-3 S/cm.空位浓度的增加导致离子电导率提高了几个数量级.Hayashi等[71 ] 还报道了使用液相法合成了具有优异化学稳定性的电解质Na2.88 Sb0.88 W0.12 S4 ,室温离子电导率为4.28×10-3 S/cm. ...
A lithium superionic conductor
1
2011
... 基于Li10 GeP2 S12 (LGPS)的锂离子固态电解质具有极高的离子电导率(1.2×10-2 S/cm)[72 ] ,类似的四元钠离子电解质也开始进入研究者的视野.2015年,Kandagal等[73 ] 利用第一性原理预测Na10 GeP2 S12 的室温离子电导率可以达到4.7×10-3 S/cm,活化能为0.2 eV.2018年[74 ] 实验合成的Na10 GeP2 S12 (杂相较多)室温电导率为2.4×10-5 S/cm,活化能为40 kJ/mol.Richards等[75 ] 利用第一性原理预测了Na10 MP2 S12 (M=Si、Ge、Sn)的离子电导率,并制备出Na10 SnP2 S12 (杂相较多),其离子电导率达到4×10-4 S/cm,活化能为0.356 eV.Nazar等[76 ] 合成了Na11 Sn2 PS12 新型电解质,离子电导率达1.4×10-3 S/cm,活化能为0.25 eV.该电解质结构如图5 所示,结构中的PS4- 、SnS4- 四面体共同组成八面体离子传输通道,为钠离子的扩散运动提供了广阔的空间.Kang等[77 ] 通过分子动力学模拟表明,Na11 Sn2 PS12 电解质室温离子电导率可以得到2.4×10-3 S/cm,钠空位在Na11 Sn2 PS12 电解质中均匀分布并且所有的钠离子都积极参与扩散过程,当使用Si、Ge原子替代电解质中的Sn原子时,理论计算表明其晶格体积会缩小从而导致电导率的下降.之后Roling等[78 ] 使用Na3 PS4 和Na4 SnS4 合成Na11 Sn2 PS12 ,室温离子电导率达3.7×10-3 S/cm.Liu和Wang等[79 ] 报道了电解质Na10.8 Sn1.9 PS11.8 离子电导率6.7×10-4 S/cm,单晶X射线衍射和第一性原理计算表明离子电导率主要由本征钠空位和三维钠离子传导通路所决定.2019年,Adams等[80 ] 将Na11 Sn2 PS12 中S用Se代替,将原料经过15 h球磨,在550 °C下热处理6 h后得到的Na11 Sn2 PSe12 室温电导率为1×10-3 S/cm. ...
Theoretical prediction of a highly conducting solid electrolyte for sodium batteries: Na10 GeP2 S12
1
2015
... 基于Li10 GeP2 S12 (LGPS)的锂离子固态电解质具有极高的离子电导率(1.2×10-2 S/cm)[72 ] ,类似的四元钠离子电解质也开始进入研究者的视野.2015年,Kandagal等[73 ] 利用第一性原理预测Na10 GeP2 S12 的室温离子电导率可以达到4.7×10-3 S/cm,活化能为0.2 eV.2018年[74 ] 实验合成的Na10 GeP2 S12 (杂相较多)室温电导率为2.4×10-5 S/cm,活化能为40 kJ/mol.Richards等[75 ] 利用第一性原理预测了Na10 MP2 S12 (M=Si、Ge、Sn)的离子电导率,并制备出Na10 SnP2 S12 (杂相较多),其离子电导率达到4×10-4 S/cm,活化能为0.356 eV.Nazar等[76 ] 合成了Na11 Sn2 PS12 新型电解质,离子电导率达1.4×10-3 S/cm,活化能为0.25 eV.该电解质结构如图5 所示,结构中的PS4- 、SnS4- 四面体共同组成八面体离子传输通道,为钠离子的扩散运动提供了广阔的空间.Kang等[77 ] 通过分子动力学模拟表明,Na11 Sn2 PS12 电解质室温离子电导率可以得到2.4×10-3 S/cm,钠空位在Na11 Sn2 PS12 电解质中均匀分布并且所有的钠离子都积极参与扩散过程,当使用Si、Ge原子替代电解质中的Sn原子时,理论计算表明其晶格体积会缩小从而导致电导率的下降.之后Roling等[78 ] 使用Na3 PS4 和Na4 SnS4 合成Na11 Sn2 PS12 ,室温离子电导率达3.7×10-3 S/cm.Liu和Wang等[79 ] 报道了电解质Na10.8 Sn1.9 PS11.8 离子电导率6.7×10-4 S/cm,单晶X射线衍射和第一性原理计算表明离子电导率主要由本征钠空位和三维钠离子传导通路所决定.2019年,Adams等[80 ] 将Na11 Sn2 PS12 中S用Se代替,将原料经过15 h球磨,在550 °C下热处理6 h后得到的Na11 Sn2 PSe12 室温电导率为1×10-3 S/cm. ...
Preparation of sodium ion conductive Na10 GeP2 S12 glass-ceramic electrolytes
2
2018
... 510 r/min球磨5 h→235 ℃退火1 h
[74 ] Na11 Sn2 PS12 Tetragonal ...
... 基于Li10 GeP2 S12 (LGPS)的锂离子固态电解质具有极高的离子电导率(1.2×10-2 S/cm)[72 ] ,类似的四元钠离子电解质也开始进入研究者的视野.2015年,Kandagal等[73 ] 利用第一性原理预测Na10 GeP2 S12 的室温离子电导率可以达到4.7×10-3 S/cm,活化能为0.2 eV.2018年[74 ] 实验合成的Na10 GeP2 S12 (杂相较多)室温电导率为2.4×10-5 S/cm,活化能为40 kJ/mol.Richards等[75 ] 利用第一性原理预测了Na10 MP2 S12 (M=Si、Ge、Sn)的离子电导率,并制备出Na10 SnP2 S12 (杂相较多),其离子电导率达到4×10-4 S/cm,活化能为0.356 eV.Nazar等[76 ] 合成了Na11 Sn2 PS12 新型电解质,离子电导率达1.4×10-3 S/cm,活化能为0.25 eV.该电解质结构如图5 所示,结构中的PS4- 、SnS4- 四面体共同组成八面体离子传输通道,为钠离子的扩散运动提供了广阔的空间.Kang等[77 ] 通过分子动力学模拟表明,Na11 Sn2 PS12 电解质室温离子电导率可以得到2.4×10-3 S/cm,钠空位在Na11 Sn2 PS12 电解质中均匀分布并且所有的钠离子都积极参与扩散过程,当使用Si、Ge原子替代电解质中的Sn原子时,理论计算表明其晶格体积会缩小从而导致电导率的下降.之后Roling等[78 ] 使用Na3 PS4 和Na4 SnS4 合成Na11 Sn2 PS12 ,室温离子电导率达3.7×10-3 S/cm.Liu和Wang等[79 ] 报道了电解质Na10.8 Sn1.9 PS11.8 离子电导率6.7×10-4 S/cm,单晶X射线衍射和第一性原理计算表明离子电导率主要由本征钠空位和三维钠离子传导通路所决定.2019年,Adams等[80 ] 将Na11 Sn2 PS12 中S用Se代替,将原料经过15 h球磨,在550 °C下热处理6 h后得到的Na11 Sn2 PSe12 室温电导率为1×10-3 S/cm. ...
Design and synthesis of the superionic conductor Na10 SnP2 S12
2
2016
... 380 r/min球磨17 h→700 ℃退火
[75 ] Na10 GeP2 S12 Tetragonal ...
... 基于Li10 GeP2 S12 (LGPS)的锂离子固态电解质具有极高的离子电导率(1.2×10-2 S/cm)[72 ] ,类似的四元钠离子电解质也开始进入研究者的视野.2015年,Kandagal等[73 ] 利用第一性原理预测Na10 GeP2 S12 的室温离子电导率可以达到4.7×10-3 S/cm,活化能为0.2 eV.2018年[74 ] 实验合成的Na10 GeP2 S12 (杂相较多)室温电导率为2.4×10-5 S/cm,活化能为40 kJ/mol.Richards等[75 ] 利用第一性原理预测了Na10 MP2 S12 (M=Si、Ge、Sn)的离子电导率,并制备出Na10 SnP2 S12 (杂相较多),其离子电导率达到4×10-4 S/cm,活化能为0.356 eV.Nazar等[76 ] 合成了Na11 Sn2 PS12 新型电解质,离子电导率达1.4×10-3 S/cm,活化能为0.25 eV.该电解质结构如图5 所示,结构中的PS4- 、SnS4- 四面体共同组成八面体离子传输通道,为钠离子的扩散运动提供了广阔的空间.Kang等[77 ] 通过分子动力学模拟表明,Na11 Sn2 PS12 电解质室温离子电导率可以得到2.4×10-3 S/cm,钠空位在Na11 Sn2 PS12 电解质中均匀分布并且所有的钠离子都积极参与扩散过程,当使用Si、Ge原子替代电解质中的Sn原子时,理论计算表明其晶格体积会缩小从而导致电导率的下降.之后Roling等[78 ] 使用Na3 PS4 和Na4 SnS4 合成Na11 Sn2 PS12 ,室温离子电导率达3.7×10-3 S/cm.Liu和Wang等[79 ] 报道了电解质Na10.8 Sn1.9 PS11.8 离子电导率6.7×10-4 S/cm,单晶X射线衍射和第一性原理计算表明离子电导率主要由本征钠空位和三维钠离子传导通路所决定.2019年,Adams等[80 ] 将Na11 Sn2 PS12 中S用Se代替,将原料经过15 h球磨,在550 °C下热处理6 h后得到的Na11 Sn2 PSe12 室温电导率为1×10-3 S/cm. ...
Na11 Sn2 PS12 : A new solid state sodium superionic conductor
4
2018
1.40 0.250 Na2 S+P2 S5 +SnS2 ;700 ℃烧结2 h并缓慢降温 [76 ] Na11 Sn2 PS12 Tetragonal ...
... 基于Li10 GeP2 S12 (LGPS)的锂离子固态电解质具有极高的离子电导率(1.2×10-2 S/cm)[72 ] ,类似的四元钠离子电解质也开始进入研究者的视野.2015年,Kandagal等[73 ] 利用第一性原理预测Na10 GeP2 S12 的室温离子电导率可以达到4.7×10-3 S/cm,活化能为0.2 eV.2018年[74 ] 实验合成的Na10 GeP2 S12 (杂相较多)室温电导率为2.4×10-5 S/cm,活化能为40 kJ/mol.Richards等[75 ] 利用第一性原理预测了Na10 MP2 S12 (M=Si、Ge、Sn)的离子电导率,并制备出Na10 SnP2 S12 (杂相较多),其离子电导率达到4×10-4 S/cm,活化能为0.356 eV.Nazar等[76 ] 合成了Na11 Sn2 PS12 新型电解质,离子电导率达1.4×10-3 S/cm,活化能为0.25 eV.该电解质结构如图5 所示,结构中的PS4- 、SnS4- 四面体共同组成八面体离子传输通道,为钠离子的扩散运动提供了广阔的空间.Kang等[77 ] 通过分子动力学模拟表明,Na11 Sn2 PS12 电解质室温离子电导率可以得到2.4×10-3 S/cm,钠空位在Na11 Sn2 PS12 电解质中均匀分布并且所有的钠离子都积极参与扩散过程,当使用Si、Ge原子替代电解质中的Sn原子时,理论计算表明其晶格体积会缩小从而导致电导率的下降.之后Roling等[78 ] 使用Na3 PS4 和Na4 SnS4 合成Na11 Sn2 PS12 ,室温离子电导率达3.7×10-3 S/cm.Liu和Wang等[79 ] 报道了电解质Na10.8 Sn1.9 PS11.8 离子电导率6.7×10-4 S/cm,单晶X射线衍射和第一性原理计算表明离子电导率主要由本征钠空位和三维钠离子传导通路所决定.2019年,Adams等[80 ] 将Na11 Sn2 PS12 中S用Se代替,将原料经过15 h球磨,在550 °C下热处理6 h后得到的Na11 Sn2 PSe12 室温电导率为1×10-3 S/cm. ...
... [
76 ]
: (a) Na1 、
Na2 表示位点部分占据,
Na3 、
Na4 、
Na5 表示位点全部占据;
(b) Li10 GeP2 S12 的晶胞结构
(a ×a ×c ) 与
Na11 Sn2 PS12 (a ′×a ′×c ′) 具有相似的晶胞结构
, 其中
a =2 a ′,
c =2c ′;
(c) 、
(d) c 轴俯视相互连接的
NaS6 八面体;
(e) 沿
c 轴排列的钠原子
Crystal structure of Na11 Sn2 PS12 [76 ] : (a) the Na1, Na2 sites are fractional occupancy while the Na3, Na4, Na5 ion sites are almost full occupied sites; (b) the small tetragonal cell (a ×a ×c ) equivalent to Li10 GeP2 S12 is related to the actual tetragonal cell (a ′×a ′×c ′) of Na11 Sn2 PS12 as follows: a = 2 a ′, c =2c ′; (c) 、(d) view of the ab planes consisting of interconnected NaS6 octahedron; (e) view of the sodium atoms chains that run along c Fig.5 ![]()
2.2.2 Na11 Sn2 SbS12 型电解质 将Sb完全置换Na11 Sn2 PS12 中的P,可得到Na11 Sn2 SbS12 电解质.虽然这两种化合物具有类似的晶体结构,但是离子电导率却有很大差异.2018年Nazar等[81 ] 合成出Na11 Sn2 SbS12 电解质,测得离子电导率为(5.6±0.03)×10-4 S/cm.通过单晶衍射的方法对比两种电解质发现钠离子在晶格中重新分布是决定该材料离子迁移率的关键因素.Giucci等[82 ] 通过密度泛函理论预测了Na11 Sn2 SbS12 的稳定性并指出当使用Ge替代Sn的Na11 Ge2 SbS12 具有更高的稳定性且离子电导率会提高2倍.近期,Yao等[83 ] 通过固相法制备出Se掺杂的Na11 Sn2 SbS11.5 Se0.5 ,测得室温离子电导率为6.6×10-4 S/cm,并使用其与Na3 PS4 设计出双电解质层的钠电池表现出较好的循环稳定性. ...
... [
76 ]
: (a) the Na1, Na2 sites are fractional occupancy while the Na3, Na4, Na5 ion sites are almost full occupied sites; (b) the small tetragonal cell (a ×a ×c ) equivalent to Li10 GeP2 S12 is related to the actual tetragonal cell (a ′×a ′×c ′) of Na11 Sn2 PS12 as follows: a = 2 a ′, c =2c ′; (c)、
(d) view of the ab planes consisting of interconnected NaS6 octahedron; (e) view of the sodium atoms chains that run along c Fig.5 ![]()
2.2.2 Na11 Sn2 SbS12 型电解质 将Sb完全置换Na11 Sn2 PS12 中的P,可得到Na11 Sn2 SbS12 电解质.虽然这两种化合物具有类似的晶体结构,但是离子电导率却有很大差异.2018年Nazar等[81 ] 合成出Na11 Sn2 SbS12 电解质,测得离子电导率为(5.6±0.03)×10-4 S/cm.通过单晶衍射的方法对比两种电解质发现钠离子在晶格中重新分布是决定该材料离子迁移率的关键因素.Giucci等[82 ] 通过密度泛函理论预测了Na11 Sn2 SbS12 的稳定性并指出当使用Ge替代Sn的Na11 Ge2 SbS12 具有更高的稳定性且离子电导率会提高2倍.近期,Yao等[83 ] 通过固相法制备出Se掺杂的Na11 Sn2 SbS11.5 Se0.5 ,测得室温离子电导率为6.6×10-4 S/cm,并使用其与Na3 PS4 设计出双电解质层的钠电池表现出较好的循环稳定性. ...
First-principles investigations on sodium superionic conductor Na11 Sn2 PS12
1
2019
... 基于Li10 GeP2 S12 (LGPS)的锂离子固态电解质具有极高的离子电导率(1.2×10-2 S/cm)[72 ] ,类似的四元钠离子电解质也开始进入研究者的视野.2015年,Kandagal等[73 ] 利用第一性原理预测Na10 GeP2 S12 的室温离子电导率可以达到4.7×10-3 S/cm,活化能为0.2 eV.2018年[74 ] 实验合成的Na10 GeP2 S12 (杂相较多)室温电导率为2.4×10-5 S/cm,活化能为40 kJ/mol.Richards等[75 ] 利用第一性原理预测了Na10 MP2 S12 (M=Si、Ge、Sn)的离子电导率,并制备出Na10 SnP2 S12 (杂相较多),其离子电导率达到4×10-4 S/cm,活化能为0.356 eV.Nazar等[76 ] 合成了Na11 Sn2 PS12 新型电解质,离子电导率达1.4×10-3 S/cm,活化能为0.25 eV.该电解质结构如图5 所示,结构中的PS4- 、SnS4- 四面体共同组成八面体离子传输通道,为钠离子的扩散运动提供了广阔的空间.Kang等[77 ] 通过分子动力学模拟表明,Na11 Sn2 PS12 电解质室温离子电导率可以得到2.4×10-3 S/cm,钠空位在Na11 Sn2 PS12 电解质中均匀分布并且所有的钠离子都积极参与扩散过程,当使用Si、Ge原子替代电解质中的Sn原子时,理论计算表明其晶格体积会缩小从而导致电导率的下降.之后Roling等[78 ] 使用Na3 PS4 和Na4 SnS4 合成Na11 Sn2 PS12 ,室温离子电导率达3.7×10-3 S/cm.Liu和Wang等[79 ] 报道了电解质Na10.8 Sn1.9 PS11.8 离子电导率6.7×10-4 S/cm,单晶X射线衍射和第一性原理计算表明离子电导率主要由本征钠空位和三维钠离子传导通路所决定.2019年,Adams等[80 ] 将Na11 Sn2 PS12 中S用Se代替,将原料经过15 h球磨,在550 °C下热处理6 h后得到的Na11 Sn2 PSe12 室温电导率为1×10-3 S/cm. ...
Vacancy-controlled Na+ superion conduction in Na11 Sn2 PS12
2
2018
3.70 0.387 Na3 PS4 +Na4 SnS4 ;420 ℃烧结24 h [78 ] Na11 Sn2 PSe12 Tetragonal ...
... 基于Li10 GeP2 S12 (LGPS)的锂离子固态电解质具有极高的离子电导率(1.2×10-2 S/cm)[72 ] ,类似的四元钠离子电解质也开始进入研究者的视野.2015年,Kandagal等[73 ] 利用第一性原理预测Na10 GeP2 S12 的室温离子电导率可以达到4.7×10-3 S/cm,活化能为0.2 eV.2018年[74 ] 实验合成的Na10 GeP2 S12 (杂相较多)室温电导率为2.4×10-5 S/cm,活化能为40 kJ/mol.Richards等[75 ] 利用第一性原理预测了Na10 MP2 S12 (M=Si、Ge、Sn)的离子电导率,并制备出Na10 SnP2 S12 (杂相较多),其离子电导率达到4×10-4 S/cm,活化能为0.356 eV.Nazar等[76 ] 合成了Na11 Sn2 PS12 新型电解质,离子电导率达1.4×10-3 S/cm,活化能为0.25 eV.该电解质结构如图5 所示,结构中的PS4- 、SnS4- 四面体共同组成八面体离子传输通道,为钠离子的扩散运动提供了广阔的空间.Kang等[77 ] 通过分子动力学模拟表明,Na11 Sn2 PS12 电解质室温离子电导率可以得到2.4×10-3 S/cm,钠空位在Na11 Sn2 PS12 电解质中均匀分布并且所有的钠离子都积极参与扩散过程,当使用Si、Ge原子替代电解质中的Sn原子时,理论计算表明其晶格体积会缩小从而导致电导率的下降.之后Roling等[78 ] 使用Na3 PS4 和Na4 SnS4 合成Na11 Sn2 PS12 ,室温离子电导率达3.7×10-3 S/cm.Liu和Wang等[79 ] 报道了电解质Na10.8 Sn1.9 PS11.8 离子电导率6.7×10-4 S/cm,单晶X射线衍射和第一性原理计算表明离子电导率主要由本征钠空位和三维钠离子传导通路所决定.2019年,Adams等[80 ] 将Na11 Sn2 PS12 中S用Se代替,将原料经过15 h球磨,在550 °C下热处理6 h后得到的Na11 Sn2 PSe12 室温电导率为1×10-3 S/cm. ...
A quaternary sodium superionic conductor-Na10.8 Sn1.9 PS11.8
1
2018
... 基于Li10 GeP2 S12 (LGPS)的锂离子固态电解质具有极高的离子电导率(1.2×10-2 S/cm)[72 ] ,类似的四元钠离子电解质也开始进入研究者的视野.2015年,Kandagal等[73 ] 利用第一性原理预测Na10 GeP2 S12 的室温离子电导率可以达到4.7×10-3 S/cm,活化能为0.2 eV.2018年[74 ] 实验合成的Na10 GeP2 S12 (杂相较多)室温电导率为2.4×10-5 S/cm,活化能为40 kJ/mol.Richards等[75 ] 利用第一性原理预测了Na10 MP2 S12 (M=Si、Ge、Sn)的离子电导率,并制备出Na10 SnP2 S12 (杂相较多),其离子电导率达到4×10-4 S/cm,活化能为0.356 eV.Nazar等[76 ] 合成了Na11 Sn2 PS12 新型电解质,离子电导率达1.4×10-3 S/cm,活化能为0.25 eV.该电解质结构如图5 所示,结构中的PS4- 、SnS4- 四面体共同组成八面体离子传输通道,为钠离子的扩散运动提供了广阔的空间.Kang等[77 ] 通过分子动力学模拟表明,Na11 Sn2 PS12 电解质室温离子电导率可以得到2.4×10-3 S/cm,钠空位在Na11 Sn2 PS12 电解质中均匀分布并且所有的钠离子都积极参与扩散过程,当使用Si、Ge原子替代电解质中的Sn原子时,理论计算表明其晶格体积会缩小从而导致电导率的下降.之后Roling等[78 ] 使用Na3 PS4 和Na4 SnS4 合成Na11 Sn2 PS12 ,室温离子电导率达3.7×10-3 S/cm.Liu和Wang等[79 ] 报道了电解质Na10.8 Sn1.9 PS11.8 离子电导率6.7×10-4 S/cm,单晶X射线衍射和第一性原理计算表明离子电导率主要由本征钠空位和三维钠离子传导通路所决定.2019年,Adams等[80 ] 将Na11 Sn2 PS12 中S用Se代替,将原料经过15 h球磨,在550 °C下热处理6 h后得到的Na11 Sn2 PSe12 室温电导率为1×10-3 S/cm. ...
Mechanochemical synthesis of fast sodium ion conductor Na11 Sn2 PSe12 enables first sodium-selenium all-solid-state battery
2
2019
... 450 r/min球磨15 h→550 ℃退火6 h
[80 ] 2.1.2 Na3 SbS4 电解质 Na3 SbS4 是另一种有趣的钠离子硫化物电解质,它不仅具有该体系最高的离子电导率,还能在水中形成稳定的水合物,而不是水解产生硫化氢.其晶体结构与Na3 PS4 相似,拥有三维离子扩散通道.2016年,Zhang等[41 ] 首次报道了一种室温离子电导率高达3×10-3 S/cm的电解质Na3 SbS4 ,其活化能为0.25 eV.该电解质结构如图4 (a)所示,拥有四方相的晶体结构,Rietveld精修发现Na2位点存在20%的钠空位,而不是完全填满钠原子,整个结构中包含2.5%的钠离子空位.结合理论模拟和实验分析,他们研究了立方和四方相对Na3 SbS4 离子迁移的影响[38 ] ,发现立方相能适当提高离子电导率,但数值都在同一数量级上.此外,该电解质在干燥空气中很稳定,在空气湿度为65%的条件下暴露5 h后形成了Na3 SbS4 ∙9H2 O,继续将其在100 °C下加热5 h后脱水恢复为Na3 SbS4 ,这种特质为水溶液法合成提供了基础.同年Hong和Jung等[63 ] 通过溶液法合成出Na3 SbS4 ,离子电导率为1×10-4 ~3×10-4 S/cm,活化能为0.2 eV,并成功将其包覆在活性材料表面[图4 (b)],电池性能较机械混合的正极有了显著提高.Na3 SbS4 优秀的空气稳定性可以通过“软硬酸碱理论”解释:Sb(一种比P更软的酸)与O(一种硬碱)的亲和力比P与O的亲和力低[64 ] .2018年,Zhang和Chen等[53 , 65 ] 用Se代替S制得Na3 SbSe4 ,Se的大原子半径实现了晶格尺寸的进一步增大[图4 (c)],其高极化性的特点削弱了Na+ 与[SbSe4 3- ]四面体间的结合力,制备得到立方相的Na3 SbSe4 ,其电导率达到8.5×10-4 S/cm,活化能为0.193 eV.之后,Wang等[66 ] 通过固液融合技术成了纳米级Na3 SbS3.75 Se0.25 ,该技术结合了液相反应可以得到小粒径和固相反应达到高离子电导率的特点,其室温离子电导率为4.4×10-3 S/cm,活化能为21.73 kJ/mol. ...
... 基于Li10 GeP2 S12 (LGPS)的锂离子固态电解质具有极高的离子电导率(1.2×10-2 S/cm)[72 ] ,类似的四元钠离子电解质也开始进入研究者的视野.2015年,Kandagal等[73 ] 利用第一性原理预测Na10 GeP2 S12 的室温离子电导率可以达到4.7×10-3 S/cm,活化能为0.2 eV.2018年[74 ] 实验合成的Na10 GeP2 S12 (杂相较多)室温电导率为2.4×10-5 S/cm,活化能为40 kJ/mol.Richards等[75 ] 利用第一性原理预测了Na10 MP2 S12 (M=Si、Ge、Sn)的离子电导率,并制备出Na10 SnP2 S12 (杂相较多),其离子电导率达到4×10-4 S/cm,活化能为0.356 eV.Nazar等[76 ] 合成了Na11 Sn2 PS12 新型电解质,离子电导率达1.4×10-3 S/cm,活化能为0.25 eV.该电解质结构如图5 所示,结构中的PS4- 、SnS4- 四面体共同组成八面体离子传输通道,为钠离子的扩散运动提供了广阔的空间.Kang等[77 ] 通过分子动力学模拟表明,Na11 Sn2 PS12 电解质室温离子电导率可以得到2.4×10-3 S/cm,钠空位在Na11 Sn2 PS12 电解质中均匀分布并且所有的钠离子都积极参与扩散过程,当使用Si、Ge原子替代电解质中的Sn原子时,理论计算表明其晶格体积会缩小从而导致电导率的下降.之后Roling等[78 ] 使用Na3 PS4 和Na4 SnS4 合成Na11 Sn2 PS12 ,室温离子电导率达3.7×10-3 S/cm.Liu和Wang等[79 ] 报道了电解质Na10.8 Sn1.9 PS11.8 离子电导率6.7×10-4 S/cm,单晶X射线衍射和第一性原理计算表明离子电导率主要由本征钠空位和三维钠离子传导通路所决定.2019年,Adams等[80 ] 将Na11 Sn2 PS12 中S用Se代替,将原料经过15 h球磨,在550 °C下热处理6 h后得到的Na11 Sn2 PSe12 室温电导率为1×10-3 S/cm. ...