With the popularity of smart electronics and electric vehicles, there is an increasingly urgent need for high-efficiency energy storage devices. Zinc-ion capacitors can provide ideal energy and power density by integrating the energy storage mechanisms of supercapacitors and zinc-ion batteries. So, they have become one of the most promising electrochemical energy storage systems. Compared with Li-ion batteries, ZICs have the advantages of low cost, high safety, and high theoretical capacity. However, their development is still in the infant stage, and poor capacity and decay seriously prevent industrialization. Therefore, at present, the exploration of electrode materials and energy storage mechanisms are still hot spots. The cathode material is one of the core components of devices, and its microstructure and properties play a crucial role in electrochemical performance. This paper describes the current research advances inporous carbon materials, structural carbon materials, transition metal oxides, and transition metal carbide/nitride as cathode materials. The preparation method and structural design of materials are introduced. Moreover, the energy storage mechanisms and electrochemical behaviors are emphasized, and the causes of performance degradation are discussed. Finally, the current challenges and future development of cathode materials are pointed out.
ZHAN Shiying. The research process of cathode materials for aqueous zinc-ioncapacitors[J]. Energy Storage Science and Technology, 2023, 12(9): 2799-2810
Fig. 1
(a) Schematic illustration for the preparation of 3D porous PZC-A750 framework; (b) Rate performance of obtained-ZICs; (c) Ragone plots of Zn//PZC-A750 and Zn//PPy-A750 devices compared with other reported devices; (d) Schematic illustration for the transportation of ions and electrons; (e) Capacitive contributions of Zn//PZC-A750 ZICs[22]; (f) and (g) Schematic diagram of energy storage and ion transport of Zn//CT/SWNT[24]
Fig. 2
(a) The structure energy of H-rGO and Zn-rGO; (b) The calculated adsorption energy of H+ and Zn2+ on rGO;(c) The optimized charge-density-difference patterns; (d) Schematic diagram for the H+ adsorption-induced distortion of graphitic structure in rGO sheets during charge/discharge process[30]; (e) Fabrication processes of the N-GNF@CFs electrode[31]; (f) and (g) The mechanical performance of CFZHSCs under various bending angles[36]
Fig. 3
(a)—(b) Kinetic analysis of Zn2+ storage in the RuO2·H2O: a relationship curve of peak current versus scan rate and capacitive contribution[40]; (c) XRD patterns; (d)—(e) GITT curves and ion diffusion coefficients[44]; (f) TEM images of Co9S8@MnO2-60; (g) The as-built structural model of MnO2 structure with different views; (h) The energy barrier of Na atom migrations on a single layer of MnO2 surface without defects and containing oxygen vacancies; (i) CV curves of Co9S8@MnO2-60-based ZICs[45]
MXenes是继石墨烯之后兴起的一种新型二维材料,其化学方程式为M n+1X n T x (n=1~3),其中M指的是过渡金属(如Ti、V、Cr、Zr、Nb),X为C和/或N元素,T为各种表面端点(如—O、—OH、—F、—Cl)[46]。MXenes通常是通过选择性地蚀刻掉MAX相中的原子层来合成的,其中A代表化学元素周期表中13~16组中的元素,例如Al、Si和Sn[47]。不同于其他金属化合物,MXenes具有类金属的卓越导电性,优异的亲水性并且其表面富含官能团,这使它们被广泛应用于能源、医药、催化、电子和传感等领域[48-51]。尽管MXenes在很多领域具有光明的前景,但是与许多层状材料类似,层与层之间强烈的范德华力可以使脱层的MXenes层纳米片自发重新堆叠,缩短了层间间距,阻碍电解质离子的迁移,减少活性比表面积,限制其与电解质离子的充分接触[52]。为了解决这个问题,Chen等[53]受珍珠结构的启发,改性的Ti3C2T x 与大豆秸秆衍生的纳米纤维素相结合,这种生物质纳米纤维素可以作为层间的支柱和“砂浆”,可以改善力学性能,防止Ti3C2T x 的堆积包装,并促进电解质离子的传输,从而获得较高的电化学性能。Liu等[54]考虑到相关的金属离子储能装置(如Li+、Na+、Mg2+、Zn2+)中插层金属离子半径的尺寸,采用在层间距中插入有机小分子从而达到调节层间距的目的。研究者们分别将N,N-二甲基乙酰胺(DMAC)、乙腈(ACN)、二甲亚砜(DMSO)、氯化锂(H2O)插入Ti3C2T x 的层间距中,并组装一系列锌离子微型超级电容器对其进行比较。图4(a)显示了不同插层Ti3C2T x 电极的EIS对比。从曲线可以看出,Ti3C2T x -DMAC的电阻最低(约100 Ω),表明其具有较快的离子传输速率和动力学。所获得的器件当功率密度为6.1 W/cm3时,体积能量密度为439.7 mWh/cm3,超过了许多其他类型的微型装置[图4(b)]。为了探究材料的储能机理,对其充放电过程进行非原位表征,如图4(c)所示。在放电过程中,Zn转化为Zn2+并从阳极移动到阴极,然后插进Ti3C2T x -DMAC层或吸附在Ti3C2T x -DMAC阴极的表面。在充电过程中,离子运动方向相反。可以观察到,当电压从1.3 V下降到0 V时,Ti3C2T x -DMAC阴极的(002)峰在4.74°处逐渐向左移动,表明Zn2+已经插入到Ti3C2T x -DMAC阴极的层间。相反,当该装置从0充电到1.3 V时,特征峰逐渐转移到初始位置,这种可逆的充电/放电过程确保了所构建的器件具有卓越循环性能。图4(d)描述了该器件在不同电流密度下重复循环测试的体积电容变化,表明组装的器件具有优异的倍率性能和机械强度。Li等[55]合成了一种具有有效扩大层间间距的Sn4+预插层Ti2CT x,预插入的Ti2CT x 垂直排列在一个碳球上,通过缩短离子扩散路径和提高反应动力学来进一步促进离子运输。图4(e)中显示当电流密度为0.5 A/g时,对Ti2AlC/C、Ti2CT x /C,Sn4+-Ti2CT x /C的GCD进行测试,很明显Sn4+-Ti2CT x /C的电容最高,证明其优异的储能性能。此外,基于Sn4+-Ti2CT x /C的ZICs表现出卓越的抗自放电性能。图4(f)显示了所组装的器件在0.5 A/g下完全充电到2.0 V后随时间变化的电压,在最初的40 h内急剧下降后,电压逐渐稳定下来。具体来说,在548 h,电压值从2.0 V下降到1.51 V,计算出的总电压衰减率为0.989 mV/h。研究者们将材料优异的电化学性能归因于纳米结构上的优势,当Sn4+预插层后,层间间距从1.15 nm增加到1.27 nm,可以提高离子穿梭动力学,同时通过柱状效应提高离子存储空间从而提高容量和倍率性能[图4(f)]。
图4
(a) Ti3C2T x -DMAC、Ti3C2T x -DMSO、Ti3C2T x -CAN和Ti3C2T x -H2O电极材料的EIS图;(b) 所制备MSCs和不同类型能量储存器件的拉贡图;(c) 用DMAC分层Ti3C2T x 阴极的非原位XRD;(d) MSCs的倍率稳定性[54];(e) 复合电极的GCD曲线;(f) 所获得ZICs的自放电性能;(g) Sn4+ 插层后Ti2CT x /C电极的离子转移模型示意图[55]
Fig. 4
(a) EIS of Ti3C2T x -DMAC、Ti3C2T x -DMSO、Ti3C2T x -CAN and Ti3C2T x -H2O electrode materials; (b) Ragone plot of the fabricated MSCs and different types of energy storage devices; (c) Ex situ XRD patterns of the Ti3C2T x cathode delaminated with DMAC; (d) Rate stabilities of MSCs[54]; (e) GCD curves of composite electrodes; (f) Anti-self-discharge performance of the obtained ZICs; (g) Schematic illustration of ions transport model in Ti2CT x /C electrode after Sn4+ pre-intercalation[55]
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... [22];(f) Zn//CT/SWNT器件的储能示意图;(g) 离子在不同结构下的传输路径示意图[24](a) Schematic illustration for the preparation of 3D porous PZC-A750 framework; (b) Rate performance of obtained-ZICs; (c) Ragone plots of Zn//PZC-A750 and Zn//PPy-A750 devices compared with other reported devices; (d) Schematic illustration for the transportation of ions and electrons; (e) Capacitive contributions of Zn//PZC-A750 ZICs[22]; (f) and (g) Schematic diagram of energy storage and ion transport of Zn//CT/SWNT[24]Fig. 11.2 结构碳材料
... [24](a) Schematic illustration for the preparation of 3D porous PZC-A750 framework; (b) Rate performance of obtained-ZICs; (c) Ragone plots of Zn//PZC-A750 and Zn//PPy-A750 devices compared with other reported devices; (d) Schematic illustration for the transportation of ions and electrons; (e) Capacitive contributions of Zn//PZC-A750 ZICs[22]; (f) and (g) Schematic diagram of energy storage and ion transport of Zn//CT/SWNT[24]Fig. 11.2 结构碳材料
... [30];(e) N-GNF@CFs电极的制备过程图[31];(f)~(g) CFZHSCs在不同的弯曲角度下的力学性能[36](a) The structure energy of H-rGO and Zn-rGO; (b) The calculated adsorption energy of H+ and Zn2+ on rGO;(c) The optimized charge-density-difference patterns; (d) Schematic diagram for the H+ adsorption-induced distortion of graphitic structure in rGO sheets during charge/discharge process[30]; (e) Fabrication processes of the N-GNF@CFs electrode[31]; (f) and (g) The mechanical performance of CFZHSCs under various bending angles[36]Fig. 2
... [30]; (e) Fabrication processes of the N-GNF@CFs electrode[31]; (f) and (g) The mechanical performance of CFZHSCs under various bending angles[36]Fig. 2
... [31];(f)~(g) CFZHSCs在不同的弯曲角度下的力学性能[36](a) The structure energy of H-rGO and Zn-rGO; (b) The calculated adsorption energy of H+ and Zn2+ on rGO;(c) The optimized charge-density-difference patterns; (d) Schematic diagram for the H+ adsorption-induced distortion of graphitic structure in rGO sheets during charge/discharge process[30]; (e) Fabrication processes of the N-GNF@CFs electrode[31]; (f) and (g) The mechanical performance of CFZHSCs under various bending angles[36]Fig. 2
(a) The structure energy of H-rGO and Zn-rGO; (b) The calculated adsorption energy of H+ and Zn2+ on rGO;(c) The optimized charge-density-difference patterns; (d) Schematic diagram for the H+ adsorption-induced distortion of graphitic structure in rGO sheets during charge/discharge process[30]; (e) Fabrication processes of the N-GNF@CFs electrode[31]; (f) and (g) The mechanical performance of CFZHSCs under various bending angles[36]Fig. 2
... 过渡金属氧化物在自然界中储量丰富,价格低廉,具有多种化学价态可以提供丰富的氧化还原反应,是锌离子电池和超级电容器常用的电极材料[33,38-39].Dong等[40]首次报道了使用RuO2·xH2O作为阴极材料,锌板作为阳极和Zn(CF3SO3)2水溶液作为电解质.RuO2·xH2O阴极可在0.4~1.6 V (vs. Zn/Zn2+)电压窗内可逆存储Zn2+,放电容量可达122 mAh/g.研究者对电荷储存的动力学进行分析发现,该装置的阳极峰和阴极峰的b值均接近1,并且当扫速为20 mV/s时,拟合的表面控制的电容过程贡献率可以高达96.4%,这归于阴极材料上发生的快速可逆的赝电容反应[图3(a)、(b)].同年,Ma等[41]报道了V2O5作为ZICs的阴极材料,在0~2 V的电压范围内可以获得34.6 Wh/kg的放电能量.在经历6000次充放电循环后,具有97.3%的容量保持率. ...
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... 过渡金属氧化物在自然界中储量丰富,价格低廉,具有多种化学价态可以提供丰富的氧化还原反应,是锌离子电池和超级电容器常用的电极材料[33,38-39].Dong等[40]首次报道了使用RuO2·xH2O作为阴极材料,锌板作为阳极和Zn(CF3SO3)2水溶液作为电解质.RuO2·xH2O阴极可在0.4~1.6 V (vs. Zn/Zn2+)电压窗内可逆存储Zn2+,放电容量可达122 mAh/g.研究者对电荷储存的动力学进行分析发现,该装置的阳极峰和阴极峰的b值均接近1,并且当扫速为20 mV/s时,拟合的表面控制的电容过程贡献率可以高达96.4%,这归于阴极材料上发生的快速可逆的赝电容反应[图3(a)、(b)].同年,Ma等[41]报道了V2O5作为ZICs的阴极材料,在0~2 V的电压范围内可以获得34.6 Wh/kg的放电能量.在经历6000次充放电循环后,具有97.3%的容量保持率. ...
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... 过渡金属氧化物在自然界中储量丰富,价格低廉,具有多种化学价态可以提供丰富的氧化还原反应,是锌离子电池和超级电容器常用的电极材料[33,38-39].Dong等[40]首次报道了使用RuO2·xH2O作为阴极材料,锌板作为阳极和Zn(CF3SO3)2水溶液作为电解质.RuO2·xH2O阴极可在0.4~1.6 V (vs. Zn/Zn2+)电压窗内可逆存储Zn2+,放电容量可达122 mAh/g.研究者对电荷储存的动力学进行分析发现,该装置的阳极峰和阴极峰的b值均接近1,并且当扫速为20 mV/s时,拟合的表面控制的电容过程贡献率可以高达96.4%,这归于阴极材料上发生的快速可逆的赝电容反应[图3(a)、(b)].同年,Ma等[41]报道了V2O5作为ZICs的阴极材料,在0~2 V的电压范围内可以获得34.6 Wh/kg的放电能量.在经历6000次充放电循环后,具有97.3%的容量保持率. ...
... [40];Na0.11MnO2/3DG复合材料(c) XRD图谱;(d)~(e) GITT曲线和离子扩散系数[44];(f) Co9S8@MnO2-60电极材料的TEM图谱;(g) 不同视角下的MnO2 结构模型的构建;(h) Na原子在无缺陷和含氧空位的单层MnO2 表面迁移的能垒;(i) Co9S8@MnO2-60基ZICs的CV曲线[45](a)—(b) Kinetic analysis of Zn2+ storage in the RuO2·H2O: a relationship curve of peak current versus scan rate and capacitive contribution[40]; (c) XRD patterns; (d)—(e) GITT curves and ion diffusion coefficients[44]; (f) TEM images of Co9S8@MnO2-60; (g) The as-built structural model of MnO2 structure with different views; (h) The energy barrier of Na atom migrations on a single layer of MnO2 surface without defects and containing oxygen vacancies; (i) CV curves of Co9S8@MnO2-60-based ZICs[45]Fig. 3
... [40]; (c) XRD patterns; (d)—(e) GITT curves and ion diffusion coefficients[44]; (f) TEM images of Co9S8@MnO2-60; (g) The as-built structural model of MnO2 structure with different views; (h) The energy barrier of Na atom migrations on a single layer of MnO2 surface without defects and containing oxygen vacancies; (i) CV curves of Co9S8@MnO2-60-based ZICs[45]Fig. 3
(a)—(b) Kinetic analysis of Zn2+ storage in the RuO2·H2O: a relationship curve of peak current versus scan rate and capacitive contribution[40]; (c) XRD patterns; (d)—(e) GITT curves and ion diffusion coefficients[44]; (f) TEM images of Co9S8@MnO2-60; (g) The as-built structural model of MnO2 structure with different views; (h) The energy barrier of Na atom migrations on a single layer of MnO2 surface without defects and containing oxygen vacancies; (i) CV curves of Co9S8@MnO2-60-based ZICs[45]Fig. 3
... [44]; (f) TEM images of Co9S8@MnO2-60; (g) The as-built structural model of MnO2 structure with different views; (h) The energy barrier of Na atom migrations on a single layer of MnO2 surface without defects and containing oxygen vacancies; (i) CV curves of Co9S8@MnO2-60-based ZICs[45]Fig. 3
(a)—(b) Kinetic analysis of Zn2+ storage in the RuO2·H2O: a relationship curve of peak current versus scan rate and capacitive contribution[40]; (c) XRD patterns; (d)—(e) GITT curves and ion diffusion coefficients[44]; (f) TEM images of Co9S8@MnO2-60; (g) The as-built structural model of MnO2 structure with different views; (h) The energy barrier of Na atom migrations on a single layer of MnO2 surface without defects and containing oxygen vacancies; (i) CV curves of Co9S8@MnO2-60-based ZICs[45]Fig. 3
... MXenes是继石墨烯之后兴起的一种新型二维材料,其化学方程式为M n+1X n T x (n=1~3),其中M指的是过渡金属(如Ti、V、Cr、Zr、Nb),X为C和/或N元素,T为各种表面端点(如—O、—OH、—F、—Cl)[46].MXenes通常是通过选择性地蚀刻掉MAX相中的原子层来合成的,其中A代表化学元素周期表中13~16组中的元素,例如Al、Si和Sn[47].不同于其他金属化合物,MXenes具有类金属的卓越导电性,优异的亲水性并且其表面富含官能团,这使它们被广泛应用于能源、医药、催化、电子和传感等领域[48-51].尽管MXenes在很多领域具有光明的前景,但是与许多层状材料类似,层与层之间强烈的范德华力可以使脱层的MXenes层纳米片自发重新堆叠,缩短了层间间距,阻碍电解质离子的迁移,减少活性比表面积,限制其与电解质离子的充分接触[52].为了解决这个问题,Chen等[53]受珍珠结构的启发,改性的Ti3C2T x 与大豆秸秆衍生的纳米纤维素相结合,这种生物质纳米纤维素可以作为层间的支柱和“砂浆”,可以改善力学性能,防止Ti3C2T x 的堆积包装,并促进电解质离子的传输,从而获得较高的电化学性能.Liu等[54]考虑到相关的金属离子储能装置(如Li+、Na+、Mg2+、Zn2+)中插层金属离子半径的尺寸,采用在层间距中插入有机小分子从而达到调节层间距的目的.研究者们分别将N,N-二甲基乙酰胺(DMAC)、乙腈(ACN)、二甲亚砜(DMSO)、氯化锂(H2O)插入Ti3C2T x 的层间距中,并组装一系列锌离子微型超级电容器对其进行比较.图4(a)显示了不同插层Ti3C2T x 电极的EIS对比.从曲线可以看出,Ti3C2T x -DMAC的电阻最低(约100 Ω),表明其具有较快的离子传输速率和动力学.所获得的器件当功率密度为6.1 W/cm3时,体积能量密度为439.7 mWh/cm3,超过了许多其他类型的微型装置[图4(b)].为了探究材料的储能机理,对其充放电过程进行非原位表征,如图4(c)所示.在放电过程中,Zn转化为Zn2+并从阳极移动到阴极,然后插进Ti3C2T x -DMAC层或吸附在Ti3C2T x -DMAC阴极的表面.在充电过程中,离子运动方向相反.可以观察到,当电压从1.3 V下降到0 V时,Ti3C2T x -DMAC阴极的(002)峰在4.74°处逐渐向左移动,表明Zn2+已经插入到Ti3C2T x -DMAC阴极的层间.相反,当该装置从0充电到1.3 V时,特征峰逐渐转移到初始位置,这种可逆的充电/放电过程确保了所构建的器件具有卓越循环性能.图4(d)描述了该器件在不同电流密度下重复循环测试的体积电容变化,表明组装的器件具有优异的倍率性能和机械强度.Li等[55]合成了一种具有有效扩大层间间距的Sn4+预插层Ti2CT x,预插入的Ti2CT x 垂直排列在一个碳球上,通过缩短离子扩散路径和提高反应动力学来进一步促进离子运输.图4(e)中显示当电流密度为0.5 A/g时,对Ti2AlC/C、Ti2CT x /C,Sn4+-Ti2CT x /C的GCD进行测试,很明显Sn4+-Ti2CT x /C的电容最高,证明其优异的储能性能.此外,基于Sn4+-Ti2CT x /C的ZICs表现出卓越的抗自放电性能.图4(f)显示了所组装的器件在0.5 A/g下完全充电到2.0 V后随时间变化的电压,在最初的40 h内急剧下降后,电压逐渐稳定下来.具体来说,在548 h,电压值从2.0 V下降到1.51 V,计算出的总电压衰减率为0.989 mV/h.研究者们将材料优异的电化学性能归因于纳米结构上的优势,当Sn4+预插层后,层间间距从1.15 nm增加到1.27 nm,可以提高离子穿梭动力学,同时通过柱状效应提高离子存储空间从而提高容量和倍率性能[图4(f)]. ...
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... MXenes是继石墨烯之后兴起的一种新型二维材料,其化学方程式为M n+1X n T x (n=1~3),其中M指的是过渡金属(如Ti、V、Cr、Zr、Nb),X为C和/或N元素,T为各种表面端点(如—O、—OH、—F、—Cl)[46].MXenes通常是通过选择性地蚀刻掉MAX相中的原子层来合成的,其中A代表化学元素周期表中13~16组中的元素,例如Al、Si和Sn[47].不同于其他金属化合物,MXenes具有类金属的卓越导电性,优异的亲水性并且其表面富含官能团,这使它们被广泛应用于能源、医药、催化、电子和传感等领域[48-51].尽管MXenes在很多领域具有光明的前景,但是与许多层状材料类似,层与层之间强烈的范德华力可以使脱层的MXenes层纳米片自发重新堆叠,缩短了层间间距,阻碍电解质离子的迁移,减少活性比表面积,限制其与电解质离子的充分接触[52].为了解决这个问题,Chen等[53]受珍珠结构的启发,改性的Ti3C2T x 与大豆秸秆衍生的纳米纤维素相结合,这种生物质纳米纤维素可以作为层间的支柱和“砂浆”,可以改善力学性能,防止Ti3C2T x 的堆积包装,并促进电解质离子的传输,从而获得较高的电化学性能.Liu等[54]考虑到相关的金属离子储能装置(如Li+、Na+、Mg2+、Zn2+)中插层金属离子半径的尺寸,采用在层间距中插入有机小分子从而达到调节层间距的目的.研究者们分别将N,N-二甲基乙酰胺(DMAC)、乙腈(ACN)、二甲亚砜(DMSO)、氯化锂(H2O)插入Ti3C2T x 的层间距中,并组装一系列锌离子微型超级电容器对其进行比较.图4(a)显示了不同插层Ti3C2T x 电极的EIS对比.从曲线可以看出,Ti3C2T x -DMAC的电阻最低(约100 Ω),表明其具有较快的离子传输速率和动力学.所获得的器件当功率密度为6.1 W/cm3时,体积能量密度为439.7 mWh/cm3,超过了许多其他类型的微型装置[图4(b)].为了探究材料的储能机理,对其充放电过程进行非原位表征,如图4(c)所示.在放电过程中,Zn转化为Zn2+并从阳极移动到阴极,然后插进Ti3C2T x -DMAC层或吸附在Ti3C2T x -DMAC阴极的表面.在充电过程中,离子运动方向相反.可以观察到,当电压从1.3 V下降到0 V时,Ti3C2T x -DMAC阴极的(002)峰在4.74°处逐渐向左移动,表明Zn2+已经插入到Ti3C2T x -DMAC阴极的层间.相反,当该装置从0充电到1.3 V时,特征峰逐渐转移到初始位置,这种可逆的充电/放电过程确保了所构建的器件具有卓越循环性能.图4(d)描述了该器件在不同电流密度下重复循环测试的体积电容变化,表明组装的器件具有优异的倍率性能和机械强度.Li等[55]合成了一种具有有效扩大层间间距的Sn4+预插层Ti2CT x,预插入的Ti2CT x 垂直排列在一个碳球上,通过缩短离子扩散路径和提高反应动力学来进一步促进离子运输.图4(e)中显示当电流密度为0.5 A/g时,对Ti2AlC/C、Ti2CT x /C,Sn4+-Ti2CT x /C的GCD进行测试,很明显Sn4+-Ti2CT x /C的电容最高,证明其优异的储能性能.此外,基于Sn4+-Ti2CT x /C的ZICs表现出卓越的抗自放电性能.图4(f)显示了所组装的器件在0.5 A/g下完全充电到2.0 V后随时间变化的电压,在最初的40 h内急剧下降后,电压逐渐稳定下来.具体来说,在548 h,电压值从2.0 V下降到1.51 V,计算出的总电压衰减率为0.989 mV/h.研究者们将材料优异的电化学性能归因于纳米结构上的优势,当Sn4+预插层后,层间间距从1.15 nm增加到1.27 nm,可以提高离子穿梭动力学,同时通过柱状效应提高离子存储空间从而提高容量和倍率性能[图4(f)]. ...
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... MXenes是继石墨烯之后兴起的一种新型二维材料,其化学方程式为M n+1X n T x (n=1~3),其中M指的是过渡金属(如Ti、V、Cr、Zr、Nb),X为C和/或N元素,T为各种表面端点(如—O、—OH、—F、—Cl)[46].MXenes通常是通过选择性地蚀刻掉MAX相中的原子层来合成的,其中A代表化学元素周期表中13~16组中的元素,例如Al、Si和Sn[47].不同于其他金属化合物,MXenes具有类金属的卓越导电性,优异的亲水性并且其表面富含官能团,这使它们被广泛应用于能源、医药、催化、电子和传感等领域[48-51].尽管MXenes在很多领域具有光明的前景,但是与许多层状材料类似,层与层之间强烈的范德华力可以使脱层的MXenes层纳米片自发重新堆叠,缩短了层间间距,阻碍电解质离子的迁移,减少活性比表面积,限制其与电解质离子的充分接触[52].为了解决这个问题,Chen等[53]受珍珠结构的启发,改性的Ti3C2T x 与大豆秸秆衍生的纳米纤维素相结合,这种生物质纳米纤维素可以作为层间的支柱和“砂浆”,可以改善力学性能,防止Ti3C2T x 的堆积包装,并促进电解质离子的传输,从而获得较高的电化学性能.Liu等[54]考虑到相关的金属离子储能装置(如Li+、Na+、Mg2+、Zn2+)中插层金属离子半径的尺寸,采用在层间距中插入有机小分子从而达到调节层间距的目的.研究者们分别将N,N-二甲基乙酰胺(DMAC)、乙腈(ACN)、二甲亚砜(DMSO)、氯化锂(H2O)插入Ti3C2T x 的层间距中,并组装一系列锌离子微型超级电容器对其进行比较.图4(a)显示了不同插层Ti3C2T x 电极的EIS对比.从曲线可以看出,Ti3C2T x -DMAC的电阻最低(约100 Ω),表明其具有较快的离子传输速率和动力学.所获得的器件当功率密度为6.1 W/cm3时,体积能量密度为439.7 mWh/cm3,超过了许多其他类型的微型装置[图4(b)].为了探究材料的储能机理,对其充放电过程进行非原位表征,如图4(c)所示.在放电过程中,Zn转化为Zn2+并从阳极移动到阴极,然后插进Ti3C2T x -DMAC层或吸附在Ti3C2T x -DMAC阴极的表面.在充电过程中,离子运动方向相反.可以观察到,当电压从1.3 V下降到0 V时,Ti3C2T x -DMAC阴极的(002)峰在4.74°处逐渐向左移动,表明Zn2+已经插入到Ti3C2T x -DMAC阴极的层间.相反,当该装置从0充电到1.3 V时,特征峰逐渐转移到初始位置,这种可逆的充电/放电过程确保了所构建的器件具有卓越循环性能.图4(d)描述了该器件在不同电流密度下重复循环测试的体积电容变化,表明组装的器件具有优异的倍率性能和机械强度.Li等[55]合成了一种具有有效扩大层间间距的Sn4+预插层Ti2CT x,预插入的Ti2CT x 垂直排列在一个碳球上,通过缩短离子扩散路径和提高反应动力学来进一步促进离子运输.图4(e)中显示当电流密度为0.5 A/g时,对Ti2AlC/C、Ti2CT x /C,Sn4+-Ti2CT x /C的GCD进行测试,很明显Sn4+-Ti2CT x /C的电容最高,证明其优异的储能性能.此外,基于Sn4+-Ti2CT x /C的ZICs表现出卓越的抗自放电性能.图4(f)显示了所组装的器件在0.5 A/g下完全充电到2.0 V后随时间变化的电压,在最初的40 h内急剧下降后,电压逐渐稳定下来.具体来说,在548 h,电压值从2.0 V下降到1.51 V,计算出的总电压衰减率为0.989 mV/h.研究者们将材料优异的电化学性能归因于纳米结构上的优势,当Sn4+预插层后,层间间距从1.15 nm增加到1.27 nm,可以提高离子穿梭动力学,同时通过柱状效应提高离子存储空间从而提高容量和倍率性能[图4(f)]. ...
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... MXenes是继石墨烯之后兴起的一种新型二维材料,其化学方程式为M n+1X n T x (n=1~3),其中M指的是过渡金属(如Ti、V、Cr、Zr、Nb),X为C和/或N元素,T为各种表面端点(如—O、—OH、—F、—Cl)[46].MXenes通常是通过选择性地蚀刻掉MAX相中的原子层来合成的,其中A代表化学元素周期表中13~16组中的元素,例如Al、Si和Sn[47].不同于其他金属化合物,MXenes具有类金属的卓越导电性,优异的亲水性并且其表面富含官能团,这使它们被广泛应用于能源、医药、催化、电子和传感等领域[48-51].尽管MXenes在很多领域具有光明的前景,但是与许多层状材料类似,层与层之间强烈的范德华力可以使脱层的MXenes层纳米片自发重新堆叠,缩短了层间间距,阻碍电解质离子的迁移,减少活性比表面积,限制其与电解质离子的充分接触[52].为了解决这个问题,Chen等[53]受珍珠结构的启发,改性的Ti3C2T x 与大豆秸秆衍生的纳米纤维素相结合,这种生物质纳米纤维素可以作为层间的支柱和“砂浆”,可以改善力学性能,防止Ti3C2T x 的堆积包装,并促进电解质离子的传输,从而获得较高的电化学性能.Liu等[54]考虑到相关的金属离子储能装置(如Li+、Na+、Mg2+、Zn2+)中插层金属离子半径的尺寸,采用在层间距中插入有机小分子从而达到调节层间距的目的.研究者们分别将N,N-二甲基乙酰胺(DMAC)、乙腈(ACN)、二甲亚砜(DMSO)、氯化锂(H2O)插入Ti3C2T x 的层间距中,并组装一系列锌离子微型超级电容器对其进行比较.图4(a)显示了不同插层Ti3C2T x 电极的EIS对比.从曲线可以看出,Ti3C2T x -DMAC的电阻最低(约100 Ω),表明其具有较快的离子传输速率和动力学.所获得的器件当功率密度为6.1 W/cm3时,体积能量密度为439.7 mWh/cm3,超过了许多其他类型的微型装置[图4(b)].为了探究材料的储能机理,对其充放电过程进行非原位表征,如图4(c)所示.在放电过程中,Zn转化为Zn2+并从阳极移动到阴极,然后插进Ti3C2T x -DMAC层或吸附在Ti3C2T x -DMAC阴极的表面.在充电过程中,离子运动方向相反.可以观察到,当电压从1.3 V下降到0 V时,Ti3C2T x -DMAC阴极的(002)峰在4.74°处逐渐向左移动,表明Zn2+已经插入到Ti3C2T x -DMAC阴极的层间.相反,当该装置从0充电到1.3 V时,特征峰逐渐转移到初始位置,这种可逆的充电/放电过程确保了所构建的器件具有卓越循环性能.图4(d)描述了该器件在不同电流密度下重复循环测试的体积电容变化,表明组装的器件具有优异的倍率性能和机械强度.Li等[55]合成了一种具有有效扩大层间间距的Sn4+预插层Ti2CT x,预插入的Ti2CT x 垂直排列在一个碳球上,通过缩短离子扩散路径和提高反应动力学来进一步促进离子运输.图4(e)中显示当电流密度为0.5 A/g时,对Ti2AlC/C、Ti2CT x /C,Sn4+-Ti2CT x /C的GCD进行测试,很明显Sn4+-Ti2CT x /C的电容最高,证明其优异的储能性能.此外,基于Sn4+-Ti2CT x /C的ZICs表现出卓越的抗自放电性能.图4(f)显示了所组装的器件在0.5 A/g下完全充电到2.0 V后随时间变化的电压,在最初的40 h内急剧下降后,电压逐渐稳定下来.具体来说,在548 h,电压值从2.0 V下降到1.51 V,计算出的总电压衰减率为0.989 mV/h.研究者们将材料优异的电化学性能归因于纳米结构上的优势,当Sn4+预插层后,层间间距从1.15 nm增加到1.27 nm,可以提高离子穿梭动力学,同时通过柱状效应提高离子存储空间从而提高容量和倍率性能[图4(f)]. ...
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... MXenes是继石墨烯之后兴起的一种新型二维材料,其化学方程式为M n+1X n T x (n=1~3),其中M指的是过渡金属(如Ti、V、Cr、Zr、Nb),X为C和/或N元素,T为各种表面端点(如—O、—OH、—F、—Cl)[46].MXenes通常是通过选择性地蚀刻掉MAX相中的原子层来合成的,其中A代表化学元素周期表中13~16组中的元素,例如Al、Si和Sn[47].不同于其他金属化合物,MXenes具有类金属的卓越导电性,优异的亲水性并且其表面富含官能团,这使它们被广泛应用于能源、医药、催化、电子和传感等领域[48-51].尽管MXenes在很多领域具有光明的前景,但是与许多层状材料类似,层与层之间强烈的范德华力可以使脱层的MXenes层纳米片自发重新堆叠,缩短了层间间距,阻碍电解质离子的迁移,减少活性比表面积,限制其与电解质离子的充分接触[52].为了解决这个问题,Chen等[53]受珍珠结构的启发,改性的Ti3C2T x 与大豆秸秆衍生的纳米纤维素相结合,这种生物质纳米纤维素可以作为层间的支柱和“砂浆”,可以改善力学性能,防止Ti3C2T x 的堆积包装,并促进电解质离子的传输,从而获得较高的电化学性能.Liu等[54]考虑到相关的金属离子储能装置(如Li+、Na+、Mg2+、Zn2+)中插层金属离子半径的尺寸,采用在层间距中插入有机小分子从而达到调节层间距的目的.研究者们分别将N,N-二甲基乙酰胺(DMAC)、乙腈(ACN)、二甲亚砜(DMSO)、氯化锂(H2O)插入Ti3C2T x 的层间距中,并组装一系列锌离子微型超级电容器对其进行比较.图4(a)显示了不同插层Ti3C2T x 电极的EIS对比.从曲线可以看出,Ti3C2T x -DMAC的电阻最低(约100 Ω),表明其具有较快的离子传输速率和动力学.所获得的器件当功率密度为6.1 W/cm3时,体积能量密度为439.7 mWh/cm3,超过了许多其他类型的微型装置[图4(b)].为了探究材料的储能机理,对其充放电过程进行非原位表征,如图4(c)所示.在放电过程中,Zn转化为Zn2+并从阳极移动到阴极,然后插进Ti3C2T x -DMAC层或吸附在Ti3C2T x -DMAC阴极的表面.在充电过程中,离子运动方向相反.可以观察到,当电压从1.3 V下降到0 V时,Ti3C2T x -DMAC阴极的(002)峰在4.74°处逐渐向左移动,表明Zn2+已经插入到Ti3C2T x -DMAC阴极的层间.相反,当该装置从0充电到1.3 V时,特征峰逐渐转移到初始位置,这种可逆的充电/放电过程确保了所构建的器件具有卓越循环性能.图4(d)描述了该器件在不同电流密度下重复循环测试的体积电容变化,表明组装的器件具有优异的倍率性能和机械强度.Li等[55]合成了一种具有有效扩大层间间距的Sn4+预插层Ti2CT x,预插入的Ti2CT x 垂直排列在一个碳球上,通过缩短离子扩散路径和提高反应动力学来进一步促进离子运输.图4(e)中显示当电流密度为0.5 A/g时,对Ti2AlC/C、Ti2CT x /C,Sn4+-Ti2CT x /C的GCD进行测试,很明显Sn4+-Ti2CT x /C的电容最高,证明其优异的储能性能.此外,基于Sn4+-Ti2CT x /C的ZICs表现出卓越的抗自放电性能.图4(f)显示了所组装的器件在0.5 A/g下完全充电到2.0 V后随时间变化的电压,在最初的40 h内急剧下降后,电压逐渐稳定下来.具体来说,在548 h,电压值从2.0 V下降到1.51 V,计算出的总电压衰减率为0.989 mV/h.研究者们将材料优异的电化学性能归因于纳米结构上的优势,当Sn4+预插层后,层间间距从1.15 nm增加到1.27 nm,可以提高离子穿梭动力学,同时通过柱状效应提高离子存储空间从而提高容量和倍率性能[图4(f)]. ...
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... MXenes是继石墨烯之后兴起的一种新型二维材料,其化学方程式为M n+1X n T x (n=1~3),其中M指的是过渡金属(如Ti、V、Cr、Zr、Nb),X为C和/或N元素,T为各种表面端点(如—O、—OH、—F、—Cl)[46].MXenes通常是通过选择性地蚀刻掉MAX相中的原子层来合成的,其中A代表化学元素周期表中13~16组中的元素,例如Al、Si和Sn[47].不同于其他金属化合物,MXenes具有类金属的卓越导电性,优异的亲水性并且其表面富含官能团,这使它们被广泛应用于能源、医药、催化、电子和传感等领域[48-51].尽管MXenes在很多领域具有光明的前景,但是与许多层状材料类似,层与层之间强烈的范德华力可以使脱层的MXenes层纳米片自发重新堆叠,缩短了层间间距,阻碍电解质离子的迁移,减少活性比表面积,限制其与电解质离子的充分接触[52].为了解决这个问题,Chen等[53]受珍珠结构的启发,改性的Ti3C2T x 与大豆秸秆衍生的纳米纤维素相结合,这种生物质纳米纤维素可以作为层间的支柱和“砂浆”,可以改善力学性能,防止Ti3C2T x 的堆积包装,并促进电解质离子的传输,从而获得较高的电化学性能.Liu等[54]考虑到相关的金属离子储能装置(如Li+、Na+、Mg2+、Zn2+)中插层金属离子半径的尺寸,采用在层间距中插入有机小分子从而达到调节层间距的目的.研究者们分别将N,N-二甲基乙酰胺(DMAC)、乙腈(ACN)、二甲亚砜(DMSO)、氯化锂(H2O)插入Ti3C2T x 的层间距中,并组装一系列锌离子微型超级电容器对其进行比较.图4(a)显示了不同插层Ti3C2T x 电极的EIS对比.从曲线可以看出,Ti3C2T x -DMAC的电阻最低(约100 Ω),表明其具有较快的离子传输速率和动力学.所获得的器件当功率密度为6.1 W/cm3时,体积能量密度为439.7 mWh/cm3,超过了许多其他类型的微型装置[图4(b)].为了探究材料的储能机理,对其充放电过程进行非原位表征,如图4(c)所示.在放电过程中,Zn转化为Zn2+并从阳极移动到阴极,然后插进Ti3C2T x -DMAC层或吸附在Ti3C2T x -DMAC阴极的表面.在充电过程中,离子运动方向相反.可以观察到,当电压从1.3 V下降到0 V时,Ti3C2T x -DMAC阴极的(002)峰在4.74°处逐渐向左移动,表明Zn2+已经插入到Ti3C2T x -DMAC阴极的层间.相反,当该装置从0充电到1.3 V时,特征峰逐渐转移到初始位置,这种可逆的充电/放电过程确保了所构建的器件具有卓越循环性能.图4(d)描述了该器件在不同电流密度下重复循环测试的体积电容变化,表明组装的器件具有优异的倍率性能和机械强度.Li等[55]合成了一种具有有效扩大层间间距的Sn4+预插层Ti2CT x,预插入的Ti2CT x 垂直排列在一个碳球上,通过缩短离子扩散路径和提高反应动力学来进一步促进离子运输.图4(e)中显示当电流密度为0.5 A/g时,对Ti2AlC/C、Ti2CT x /C,Sn4+-Ti2CT x /C的GCD进行测试,很明显Sn4+-Ti2CT x /C的电容最高,证明其优异的储能性能.此外,基于Sn4+-Ti2CT x /C的ZICs表现出卓越的抗自放电性能.图4(f)显示了所组装的器件在0.5 A/g下完全充电到2.0 V后随时间变化的电压,在最初的40 h内急剧下降后,电压逐渐稳定下来.具体来说,在548 h,电压值从2.0 V下降到1.51 V,计算出的总电压衰减率为0.989 mV/h.研究者们将材料优异的电化学性能归因于纳米结构上的优势,当Sn4+预插层后,层间间距从1.15 nm增加到1.27 nm,可以提高离子穿梭动力学,同时通过柱状效应提高离子存储空间从而提高容量和倍率性能[图4(f)]. ...
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... MXenes是继石墨烯之后兴起的一种新型二维材料,其化学方程式为M n+1X n T x (n=1~3),其中M指的是过渡金属(如Ti、V、Cr、Zr、Nb),X为C和/或N元素,T为各种表面端点(如—O、—OH、—F、—Cl)[46].MXenes通常是通过选择性地蚀刻掉MAX相中的原子层来合成的,其中A代表化学元素周期表中13~16组中的元素,例如Al、Si和Sn[47].不同于其他金属化合物,MXenes具有类金属的卓越导电性,优异的亲水性并且其表面富含官能团,这使它们被广泛应用于能源、医药、催化、电子和传感等领域[48-51].尽管MXenes在很多领域具有光明的前景,但是与许多层状材料类似,层与层之间强烈的范德华力可以使脱层的MXenes层纳米片自发重新堆叠,缩短了层间间距,阻碍电解质离子的迁移,减少活性比表面积,限制其与电解质离子的充分接触[52].为了解决这个问题,Chen等[53]受珍珠结构的启发,改性的Ti3C2T x 与大豆秸秆衍生的纳米纤维素相结合,这种生物质纳米纤维素可以作为层间的支柱和“砂浆”,可以改善力学性能,防止Ti3C2T x 的堆积包装,并促进电解质离子的传输,从而获得较高的电化学性能.Liu等[54]考虑到相关的金属离子储能装置(如Li+、Na+、Mg2+、Zn2+)中插层金属离子半径的尺寸,采用在层间距中插入有机小分子从而达到调节层间距的目的.研究者们分别将N,N-二甲基乙酰胺(DMAC)、乙腈(ACN)、二甲亚砜(DMSO)、氯化锂(H2O)插入Ti3C2T x 的层间距中,并组装一系列锌离子微型超级电容器对其进行比较.图4(a)显示了不同插层Ti3C2T x 电极的EIS对比.从曲线可以看出,Ti3C2T x -DMAC的电阻最低(约100 Ω),表明其具有较快的离子传输速率和动力学.所获得的器件当功率密度为6.1 W/cm3时,体积能量密度为439.7 mWh/cm3,超过了许多其他类型的微型装置[图4(b)].为了探究材料的储能机理,对其充放电过程进行非原位表征,如图4(c)所示.在放电过程中,Zn转化为Zn2+并从阳极移动到阴极,然后插进Ti3C2T x -DMAC层或吸附在Ti3C2T x -DMAC阴极的表面.在充电过程中,离子运动方向相反.可以观察到,当电压从1.3 V下降到0 V时,Ti3C2T x -DMAC阴极的(002)峰在4.74°处逐渐向左移动,表明Zn2+已经插入到Ti3C2T x -DMAC阴极的层间.相反,当该装置从0充电到1.3 V时,特征峰逐渐转移到初始位置,这种可逆的充电/放电过程确保了所构建的器件具有卓越循环性能.图4(d)描述了该器件在不同电流密度下重复循环测试的体积电容变化,表明组装的器件具有优异的倍率性能和机械强度.Li等[55]合成了一种具有有效扩大层间间距的Sn4+预插层Ti2CT x,预插入的Ti2CT x 垂直排列在一个碳球上,通过缩短离子扩散路径和提高反应动力学来进一步促进离子运输.图4(e)中显示当电流密度为0.5 A/g时,对Ti2AlC/C、Ti2CT x /C,Sn4+-Ti2CT x /C的GCD进行测试,很明显Sn4+-Ti2CT x /C的电容最高,证明其优异的储能性能.此外,基于Sn4+-Ti2CT x /C的ZICs表现出卓越的抗自放电性能.图4(f)显示了所组装的器件在0.5 A/g下完全充电到2.0 V后随时间变化的电压,在最初的40 h内急剧下降后,电压逐渐稳定下来.具体来说,在548 h,电压值从2.0 V下降到1.51 V,计算出的总电压衰减率为0.989 mV/h.研究者们将材料优异的电化学性能归因于纳米结构上的优势,当Sn4+预插层后,层间间距从1.15 nm增加到1.27 nm,可以提高离子穿梭动力学,同时通过柱状效应提高离子存储空间从而提高容量和倍率性能[图4(f)]. ...
... [54];(e) 复合电极的GCD曲线;(f) 所获得ZICs的自放电性能;(g) Sn4+ 插层后Ti2CT x /C电极的离子转移模型示意图[55](a) EIS of Ti3C2T x -DMAC、Ti3C2T x -DMSO、Ti3C2T x -CAN and Ti3C2T x -H2O electrode materials; (b) Ragone plot of the fabricated MSCs and different types of energy storage devices; (c) Ex situ XRD patterns of the Ti3C2T x cathode delaminated with DMAC; (d) Rate stabilities of MSCs[54]; (e) GCD curves of composite electrodes; (f) Anti-self-discharge performance of the obtained ZICs; (g) Schematic illustration of ions transport model in Ti2CT x /C electrode after Sn4+ pre-intercalation[55]Fig. 42 总结与展望
... [54]; (e) GCD curves of composite electrodes; (f) Anti-self-discharge performance of the obtained ZICs; (g) Schematic illustration of ions transport model in Ti2CT x /C electrode after Sn4+ pre-intercalation[55]Fig. 42 总结与展望
... MXenes是继石墨烯之后兴起的一种新型二维材料,其化学方程式为M n+1X n T x (n=1~3),其中M指的是过渡金属(如Ti、V、Cr、Zr、Nb),X为C和/或N元素,T为各种表面端点(如—O、—OH、—F、—Cl)[46].MXenes通常是通过选择性地蚀刻掉MAX相中的原子层来合成的,其中A代表化学元素周期表中13~16组中的元素,例如Al、Si和Sn[47].不同于其他金属化合物,MXenes具有类金属的卓越导电性,优异的亲水性并且其表面富含官能团,这使它们被广泛应用于能源、医药、催化、电子和传感等领域[48-51].尽管MXenes在很多领域具有光明的前景,但是与许多层状材料类似,层与层之间强烈的范德华力可以使脱层的MXenes层纳米片自发重新堆叠,缩短了层间间距,阻碍电解质离子的迁移,减少活性比表面积,限制其与电解质离子的充分接触[52].为了解决这个问题,Chen等[53]受珍珠结构的启发,改性的Ti3C2T x 与大豆秸秆衍生的纳米纤维素相结合,这种生物质纳米纤维素可以作为层间的支柱和“砂浆”,可以改善力学性能,防止Ti3C2T x 的堆积包装,并促进电解质离子的传输,从而获得较高的电化学性能.Liu等[54]考虑到相关的金属离子储能装置(如Li+、Na+、Mg2+、Zn2+)中插层金属离子半径的尺寸,采用在层间距中插入有机小分子从而达到调节层间距的目的.研究者们分别将N,N-二甲基乙酰胺(DMAC)、乙腈(ACN)、二甲亚砜(DMSO)、氯化锂(H2O)插入Ti3C2T x 的层间距中,并组装一系列锌离子微型超级电容器对其进行比较.图4(a)显示了不同插层Ti3C2T x 电极的EIS对比.从曲线可以看出,Ti3C2T x -DMAC的电阻最低(约100 Ω),表明其具有较快的离子传输速率和动力学.所获得的器件当功率密度为6.1 W/cm3时,体积能量密度为439.7 mWh/cm3,超过了许多其他类型的微型装置[图4(b)].为了探究材料的储能机理,对其充放电过程进行非原位表征,如图4(c)所示.在放电过程中,Zn转化为Zn2+并从阳极移动到阴极,然后插进Ti3C2T x -DMAC层或吸附在Ti3C2T x -DMAC阴极的表面.在充电过程中,离子运动方向相反.可以观察到,当电压从1.3 V下降到0 V时,Ti3C2T x -DMAC阴极的(002)峰在4.74°处逐渐向左移动,表明Zn2+已经插入到Ti3C2T x -DMAC阴极的层间.相反,当该装置从0充电到1.3 V时,特征峰逐渐转移到初始位置,这种可逆的充电/放电过程确保了所构建的器件具有卓越循环性能.图4(d)描述了该器件在不同电流密度下重复循环测试的体积电容变化,表明组装的器件具有优异的倍率性能和机械强度.Li等[55]合成了一种具有有效扩大层间间距的Sn4+预插层Ti2CT x,预插入的Ti2CT x 垂直排列在一个碳球上,通过缩短离子扩散路径和提高反应动力学来进一步促进离子运输.图4(e)中显示当电流密度为0.5 A/g时,对Ti2AlC/C、Ti2CT x /C,Sn4+-Ti2CT x /C的GCD进行测试,很明显Sn4+-Ti2CT x /C的电容最高,证明其优异的储能性能.此外,基于Sn4+-Ti2CT x /C的ZICs表现出卓越的抗自放电性能.图4(f)显示了所组装的器件在0.5 A/g下完全充电到2.0 V后随时间变化的电压,在最初的40 h内急剧下降后,电压逐渐稳定下来.具体来说,在548 h,电压值从2.0 V下降到1.51 V,计算出的总电压衰减率为0.989 mV/h.研究者们将材料优异的电化学性能归因于纳米结构上的优势,当Sn4+预插层后,层间间距从1.15 nm增加到1.27 nm,可以提高离子穿梭动力学,同时通过柱状效应提高离子存储空间从而提高容量和倍率性能[图4(f)]. ...
... [55](a) EIS of Ti3C2T x -DMAC、Ti3C2T x -DMSO、Ti3C2T x -CAN and Ti3C2T x -H2O electrode materials; (b) Ragone plot of the fabricated MSCs and different types of energy storage devices; (c) Ex situ XRD patterns of the Ti3C2T x cathode delaminated with DMAC; (d) Rate stabilities of MSCs[54]; (e) GCD curves of composite electrodes; (f) Anti-self-discharge performance of the obtained ZICs; (g) Schematic illustration of ions transport model in Ti2CT x /C electrode after Sn4+ pre-intercalation[55]Fig. 42 总结与展望